公开(公告)号：KR1020060046605A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：KR1020050029159

申请日：2005-04-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데 ,  우케이도모아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/3266

Abstract: 본 발명의 목적은 플라즈마 처리에 있어서, 간단하고 저비용으로 고주파 방전의 개시를 용이하게 하여 방전을 안정되게 유지하는 것이다. 세그먼트 자석(M
0 )의 하면(N극)으로부터 나온 자력선의 일부(B
M )는, 바로 아래의 주변 플라즈마 영역(PS
B )으로 내려와서 상방으로 U턴하여 원주방향 근처의 세그먼트 자석(M
E )의 하면(S극)에 도달한다. 또한, 세그먼트 자석(m
E )의 하면(N극)으로부터 나온 자력선의 일부(B
m )는 바로 아래의 주변 플라즈마 영역(PS
B )으로 내려와서 상방으로 U턴하여 원주방향 근처의 세그먼트 자석(m
0 )의 하면(S극)에 도달한다. 더욱이, 외측 세그먼트 자석(M
0 )의 하면(N극)으로부터 나온 자력선의 일부(B
c )가 바로 아래의 주변 플라즈마 영역(PS
B )으로 내려와서 상방으로 U턴하여 반경방향 옆의 내측의 세그먼트 자석(m
0 )의 하면(S극)에 도달한다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是便于在等离子体处理中以简单和低成本的方式开始高频放电，从而稳定地保持放电。 段磁铁

公开(公告)号：KR100884416B1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：KR1020050029159

申请日：2005-04-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데 ,  우케이도모아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/3266

Abstract: 본 발명의 목적은 플라즈마 처리에 있어서, 간단하고 저비용으로 고주파 방전의 개시를 용이하게 하여 방전을 안정되게 유지하는 것이다. 세그먼트 자석(M
0 )의 하면(N극)으로부터 나온 자력선의 일부(B
M )는, 바로 아래의 주변 플라즈마 영역(PS
B )으로 내려와서 상방으로 U턴하여 원주방향 근처의 세그먼트 자석(M
E )의 하면(S극)에 도달한다. 또한, 세그먼트 자석(m
E )의 하면(N극)으로부터 나온 자력선의 일부(B
m )는 바로 아래의 주변 플라즈마 영역(PS
B )으로 내려와서 상방으로 U턴하여 원주방향 근처의 세그먼트 자석(m
0 )의 하면(S극)에 도달한다. 더욱이, 외측 세그먼트 자석(M
0 )의 하면(N극)으로부터 나온 자력선의 일부(B
c )가 바로 아래의 주변 플라즈마 영역(PS
B )으로 내려와서 상방으로 U턴하여 반경방향 옆의 내측의 세그먼트 자석(m
0 )의 하면(S극)에 도달한다.