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公开(公告)号：KR1020120096213A
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：KR1020110015477
申请日：2011-02-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1068 , G11C2029/0411 , G11C16/10 , G11C16/26
Abstract: PURPOSE: A controller, an operating method thereof, and a memory system including the same are provided to improve error correction performance by correcting error bits. CONSTITUTION: A memory controller(30) controls a nonvolatile memory device(20). A command generating unit(31) generates a read command applied to the nonvolatile memory device. A buffer(32) receives the first page data outputted from the nonvolatile memory in response to a read command and the second page data including error position information corresponding to the first page data. A buffer combines a part of original data with the first page data based on error position information.
Abstract translation: 目的：提供一种控制器，其操作方法以及包括该控制器的存储系统，以通过校正错误位来改善纠错性能。 构成：存储器控制器（30）控制非易失性存储器件（20）。 命令生成单元（31）生成应用于非易失性存储装置的读取命令。 缓冲器（32）响应于读取命令接收从非易失性存储器输出的第一页数据，并且第二页数据包括对应于第一页数据的错误位置信息。 缓冲器基于错误位置信息将原始数据的一部分与第一页数据相结合。
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公开(公告)号：KR1020080020753A
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：KR1020060083995
申请日：2006-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32862
Abstract: A method for preventing contamination of a process gas injection nozzle is provided to prevent particles from being formed in a process gas supply nozzle by continuously flowing purge gas like N2 gas and NF3 gas toward a process gas supply nozzle while the supply of process gas through the process gas supply nozzle stops. A semiconductor substrate having a silicon oxide layer is introduced into a process chamber of etch equipment(S300). Process gas for removing the silicon oxide layer is injected into the process chamber through the process gas supply nozzle(S302). Purge gas is firstly flowed through the process gas supply nozzle(S304). While the purge gas reacts with the silicon oxide layer to form reaction products, purge gas is secondly flowed through the process gas supply nozzle(S306). While the semiconductor substrate is heated, purge gas is thirdly flowed through the process gas supply nozzle(S308). The first, second and third flow processes for flowing the purge gas through the process gas supply nozzle can be performed continuously.
Abstract translation: 提供一种防止工艺气体注入喷嘴的污染的方法，以防止在工艺气体供给喷嘴中通过连续地将吹扫气体像N 2气体和NF 3气体一样流向工艺气体供给喷嘴，同时通过 工艺气体供应喷嘴停止。 将具有氧化硅层的半导体衬底引入蚀刻设备的处理室（S300）。 用于除去氧化硅层的工艺气体通过工艺气体供给喷嘴注入工艺室（S302）。 吹扫气体首先流过工艺气体供应喷嘴（S304）。 当吹扫气体与氧化硅层反应形成反应产物时，吹扫气体二次流过工艺气体供应喷嘴（S306）。 当半导体衬底被加热时，净化气体第三次流过工艺气体供应喷嘴（S308）。 用于使净化气体流过工艺气体供应喷嘴的第一，第二和第三流动过程可以连续进行。
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33.发明授权이동통신 시스템의 비.에스.에스에서 비.에스.피의공용화가 가능한 에프.알.아이.에이 및 비.에스.피 공용화방법 失效이동통신시스템의비。에스。에스에서비에。에스。피의공용화가가능한에프。알。아이。에이및비에스。피공용화방
公开(公告)号：KR100387060B1
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：KR1020010005579
申请日：2001-02-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 강남욱
Abstract: PURPOSE: A method for sharing an FRIA(Frame Relay Interface Assembly) and a BSP(Board Support Package) capable of sharing the BSP in a BSS(Base Station Subsystem) of a mobile communication system is provided to prevent the waste of a memory by copying the BSP to a memory region shared between an MP(Main Processor) and a PC(Protocol Conversion) when initializing a hardware and performing the hardware initialization in the FRIA without composing a specific flash ROM in a PC unit. CONSTITUTION: A BSM(Base Station Management) starts a pSOS(302), and initializes an MP unit and PC units(304). The MP unit and the PC units check a port size of a flash ROM(306). If the port size of the flash ROM is 8 bits(308), the MP unit runs a BSP code corresponding to the MP unit among BSP codes stored in an MP unit flash ROM and initializes hardware devices connected to the MP unit(310). If the port size of the flash ROM is 16 bits(312), the PC units run a BSP code corresponding to the PC units among BSP codes copied in the DPRAMs and initialize hardware devices connected to the PC units(314).
Abstract translation: 目的：提供一种用于共享能够在移动通信系统的BSS（基站子系统）中共享BSP的FRIA（帧中继接口组件）和BSP（电路板支持包）的方法，以防止浪费存储器 当初始化硬件和在FRIA中执行硬件初始化时，将BSP复制到MP（主处理器）和PC（协议转换）之间共享的存储区域，而不在PC单元中组成特定的闪存ROM。 构成：BSM（基站管理）启动pSOS（302），并初始化MP单元和PC单元（304）。 MP单元和PC单元检查闪存ROM的端口大小（306）。 如果快闪ROM的端口大小是8位（308），则MP单元在存储在MP单元快闪ROM中的BSP码中运行与MP单元相对应的BSP码，并初始化连接到MP单元（310）的硬件设备。 如果快闪ROM的端口大小是16位（312），则PC单元在DPRAM中复制的BSP代码中运行与PC单元相对应的BSP代码，并初始化连接到PC单元的硬件设备（314）。
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公开(公告)号：KR102254120B1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：KR1020140029772
申请日：2014-03-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 애플리케이션의실행결과를표시하는디바이스및 방법이제공된다. 애플리케이션의실행결과를표시하는방법은, 복수애플리케이션에대응하는복수의아이콘을화면에표시하는단계; 상기복수의아이콘중 제1 아이콘에대한제1 사용자입력을수신하는단계; 상기제1 사용자입력에응답하여상기제1 아이콘주변에상기제1 아이콘에대응되고, 애플리케이션의실행결과를나타내는제1 윈도우를표시하는단계; 상기제1 윈도우에대한제2 사용자입력을수신하는단계; 및상기제2 사용자입력이수신됨에따라, 상기화면에, 인접하여배열된복수의윈도우를표시하는단계;를포함하며, 상기제1 윈도우는상기복수의윈도우상에중첩하여표시된다.
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公开(公告)号：KR102211868B1
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：KR1020140180346
申请日：2014-12-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은불휘발성메모리및 메모리컨트롤러를포함하는스토리지장치의동작방법에관한것이다. 본발명의동작방법은, 메모리컨트롤러가불휘발성메모리의제1 메모리셀들을프로그램하는단계, 그리고제1 메모리셀들이프로그램된후 임계시간동안외부호스트장치로부터쓰기데이터가수신되지않으면, 메모리컨트롤러가외부호스트장치의요청없이, 불휘발성메모리의제2 메모리셀들을케어데이터를이용하여프로그램하는단계를포함하는동작방법.
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公开(公告)号：KR1020160150552A
公开(公告)日：2016-12-30
申请号：KR1020150088721
申请日：2015-06-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F3/0607 , G06F3/0658 , G06F3/0688
Abstract: 본발명에따른데이터저장장치는, 컨트롤러, 제1 비휘발성메모리장치들및 상기컨트롤러와상기제1 비휘발성메모리장치들에접속된제1 스케일아웃장치를포함하고, 상기제1 스케일아웃장치는, 제1 스케일아웃컨트롤러와제1 휘발성메모리를포함하고, 상기제1 스케일아웃컨트롤러는, 상기컨트롤러에연결된복수의채널들과선택적으로접속되기위한복수의호스트인터페이스들을포함하며, 상기제1 스케일아웃컨트롤러는상기제1 비휘발성메모리장치들과상기제1 휘발성메모리를제어한다.
Abstract translation: 数据存储装置包括通过多个通道连接到多个集群的控制器，其中每个集群包括包括横向扩展控制器和缓冲器的横向扩展装置。 横向扩展控制器连接到多个子信道，多个子信道中的每一个连接一组非易失性存储器（NVM）设备，使得横向扩展控制器控制数据处理操作的执行 指向任何一个NVM设备和缓冲区。
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公开(公告)号：KR1020160150478A
公开(公告)日：2016-12-30
申请号：KR1020150088538
申请日：2015-06-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0656 , G06F3/061 , G06F3/0631 , G06F3/0647 , G06F3/0659 , G06F3/0685 , G06F11/00 , G06F12/0246 , G06F12/0615 , G06F13/28
Abstract: 데이터저장장치가공개된다. 상기데이터저장장치는컨트롤러와, 스케일-아웃저장장치와, 상기컨트롤러와상기스케일-아웃저장장치사이에접속된인터페이스를포함한다. 상기컨트롤러는명령타입과상기명령타입에대한파라미터를갖는명령정보를포함하는제1명령을상기인터페이스를통해상기스케일-아웃저장장치로전송하고, 상기스케일-아웃저장장치는상기제1명령에해당하는작동을수행한다. 상기스케일-아웃저장장치는상기인터페이스에접속된스케일-아웃컨트롤러와, 상기스케일-아웃컨트롤러에접속된휘발성메모리와, 상기스케일-아웃컨트롤러에접속된불휘발성메모리를포함한다.
Abstract translation: 数据存储装置包括：第一控制器; 横向扩展存储设备; 以及连接在所述第一控制器与所述横向伸出存储装置之间的接口，其中，所述第一控制器被配置为通过所述接口向所述横向扩展存储装置发送包括命令类型的命令类型和具有参数的命令信息的第一命令， 对于所述指令类型，其中所述横向扩展存储装置被配置为执行与所述第一命令相对应的操作，并且其中所述横向扩展存储装置包括连接到所述接口的横向扩展控制器，连接到所述接口的易失性存储器 横向扩展控制器和连接到横向扩展控制器的非易失性存储器。
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40.发明公开스토리지 디바이스에서의 입출력 처리 방법 및 이를 적용하는 스토리지 디바이스 및 비휘발성 메모리 디바이스 审中-实审存储设备中的输入/输出处理方法，以及存储设备和采用该存储器件的非易失性存储器件
公开(公告)号：KR1020160094764A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：KR1020150016184
申请日：2015-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0611 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F13/20 , G06F13/16
Abstract: 스토리지디바이스에서의입출력처리방법및 이를적용하는스토리지디바이스및 비휘발성메모리디바이스에관하여개시한다. 스토리지디바이스에서의입출력처리방법은스토리지디바이스의동작에관련된리소스운용상태의변화에기초하여리드예상시간을조정하는단계및, 상기조정된리드예상시간에기초하여상기스토리지디바이스에서의입출력처리제어를수행하는단계를포함하며, 상기입출력처리제어를수행하는단계는상기스토리지디바이스에서의리드동작을마치고나서상기리드예상시간이경과하기전에는리퀘스트순서에관계없이상기스토리지디바이스에서의프로그램커맨드수행을보류하고, 리드커맨드를우선적으로수행하도록입출력처리를수행하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种存储装置中的输入/输出处理方法，应用该存储装置的存储装置和非易失性存储装置。 存储装置中的输入/输出处理方法包括：基于与存储装置的运动相关的资源运行状态的变化来控制超前预测时间的步骤; 以及基于所控制的预测时间来控制所述存储装置中的输入/输出处理的步骤。 用于控制输入/输出处理的步骤在存储装置中的引导运动之前通过引导预测时间之前，不管请求顺序推迟存储装置中的程序命令; 并执行输入/输出处理以优先执行引导命令。 存储设备包括：非易失性存储器设备和存储器控制器。
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