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公开(公告)号：KR1020170061059A
公开(公告)日：2017-06-02
申请号：KR1020160120637
申请日：2016-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 웨어러블디바이스는, 사용자의목표상태에관한정보와목표상태에대응하는가이드정보를저장하는저장부를구비한다. 센서부는사용자의상태를감지하여상태감지정보를생성한다. 제어부는, 목표상태에관한정보와상태감지정보에기초하여사용자상태가목표상태에부합하는지여부를판단하고, 부합하지않는경우가이드정보를사용자에게제공한다. 사용자의상태정보에따라사용자의상태가바람직한목표상태가되도록사용자를유도할수 있다.
Abstract translation: 可穿戴设备具有存储单元，用于存储关于用户的目标状态的信息以及与目标状态相对应的指导信息。 传感器单元检测用户的状态并生成状态检测信息。 控制单元基于关于目标状态和状态检测信息的信息来确定用户状态是否匹配目标状态，并且当状态不匹配时向用户提供指导信息。 用户可以根据用户的状态信息被引导到期望的目标状态。
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公开(公告)号：KR101708893B1
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020100085606
申请日：2010-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03H9/02149 , H03H3/04 , H03H9/1014 , H03H9/131 , H03H9/564 , H03H9/706 , H03H2003/021
Abstract: 체적음향공진기구조및 제조방법을제공한다. 체적음향공진기는하면의소정영역에비아홀(via)이형성된제1 기판, 상기제1 기판의상부에제1 공기공동이형성되고, 상기제1 공기공동상부에하부전극, 압전층, 상부전극의순서로적층된제1 적층공진부, 상기제1 기판의상부에제2 공기공동이형성되고, 상기제2 공기공동상부에상기하부전극, 상기압전층, 상기상부전극의순서로적층된제2 적층공진부및 상기제1 적층공진부와상기제2 적층공진부가상기하부전극또는상기상부전극을통하여연결되고, 상기제1 적층공진부와상기제2 적층공진부사이에서상기연결된하부전극또는상부전극의하면에제3 공기공동이형성된제1 전극부를포함한다.
Abstract translation: 提供了一种大容量声波谐振器（BAWR），一种制造BAWR的方法，以及包括BAWR的双工器。 BAWR可以包括第一基板，其包括形成在第一基板的底表面的预定区域中的通孔。 可以在第一基板上形成第一空气腔，并且第一层叠谐振部分可以按照下电极，压电层和上电极的顺序层叠在第一空气腔的上方。 可以在第一基板的上方形成第二空气腔，并且第二层压谐振部分可以按照下电极，压电层和上电极的顺序层叠在第二空气腔的上方。 第一层叠谐振部分和第二层叠谐振部分可以通过下电极或上电极连接。 第一电极部分可以包括形成在第一层压谐振部分和第二层压谐振部分之间的下电极或上电极的底表面上的第三空腔。
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公开(公告)号：KR101696644B1
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：KR1020100090811
申请日：2010-09-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L25/065 , H01L23/13 , H01L23/538 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01P1/208
CPC classification number: H01L23/66 , H01L23/13 , H01L23/5385 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L2223/6616 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
Abstract: 3차원수직배선을이용한 RF 적층모듈의구조및 배치방법을제공한다. , 3차원수직배선을이용한 RF 적층모듈에서제1 웨이퍼는적어도하나의제1 관통홀및 제1 RF 소자를포함한다. 제2 웨이퍼는제2 RF 소자및 상기제1 관통홀과대응되는위치에구비된적어도하나의제2 관통홀을포함한다. 수직배선은상기제1 관통홀과상기제2 관통홀을연결한다. 관통전극은상기제1 관통홀의하면또는상기제2 관통홀의상면으로외부소자와연결된다.
Abstract translation: 提供了一种使用三维（3D）垂直布线的射频（RF）分层模块的结构和布置方法。 具有3D垂直布线的RF分层模块中的第一晶片可以包括第一RF器件和至少一个第一通孔。 第二晶片可以包括第二RF器件和设置在对应于至少一个第一通孔的位置处的至少一个第二通孔。 垂直布线可以连接至少一个第一通孔和至少一个第二通孔。 垂直布线可以被配置为通过至少一个第一通孔的底表面或至少一个第二通孔的顶表面连接到外部装置。
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公开(公告)号：KR101663010B1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020100111045
申请日：2010-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03H7/38 , H03H9/54 , H03H2007/386
Abstract: RF용매칭세그먼트회로및 이를이용한 RF 통합소자를제공한다. RF용매칭세그먼트회로는제1 RF 소자와연결되는입력단, 제1 캐패시터및 제1 인덕터가병렬로연결된병렬세그먼트, 상기병렬세그먼트와직렬로연결된제2 인덕터및 제2 RF 소자와연결되는출력단을포함하고, 상기제1 캐패시터, 상기제1 인덕터및 상기제2 인덕터는상기제1 RF 소자와상기제2 RF 소자사이의임피던스가매칭되도록구성된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101634305B1
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：KR1020100044062
申请日：2010-05-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: H03H9/2463 , B82Y30/00 , H03H2009/02322
Abstract: 탄소계나노물질을이용한공진기가개시된다. 제안되는공진기는, 희생층이형성된기판및 희생층상에형성되고적어도하나의탄소계나노물질층및 적어도하나의실리콘카바이드(SiC)층을포함하는공진구조체를포함한다.
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公开(公告)号：KR101616941B1
公开(公告)日：2016-04-29
申请号：KR1020090083818
申请日：2009-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 체적탄성파공진기를이용한위상천이장치를개시한다. 체적탄성파공진기를이용한위상천이장치는체적탄성파공진기의주파수에대한위상변화특성을이용하고, 하나이상의인덕터, 하나이상의커패시터등을함께이용하여위상천이장치를구성할수 있다.
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公开(公告)号：KR101470509B1
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：KR1020080041935
申请日：2008-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김덕환
IPC: H03D7/00
CPC classification number: H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1491 , H03D2200/0025 , H03D2200/0043 , H03D2200/0084
Abstract: 본발명은전압이득과선형성이개선된주파수혼합기에관한것으로, 셀프바이어스(self bias) 제어하에고주파(Radio Frequency: RF) 신호를전류신호로변환하는전압이득조절이가능한트랜스컨덕터와, 상기전류신호를스위칭부로전달하는분리기와, 국부발진(Local Osillation: LO) 신호에따라스위칭동작을수행하여, 상기 RF 신호의주파수와상기 LO 신호의주파수의합 혹은차에해당하는주파수를갖는신호를출력하는스위칭부를포함하며, 상기트랜스컨덕터는제 1 MOS 트랜지스터, 제 2 MOS 트랜지스터, 저항을포함하여구성되고, 상기저항은상기제 1 MOS 트랜지스터의드레인과상기제 1 MOS 트랜지스터의게이트를연결하고, 상기제 2 MOS 트랜지스터의드레인과상기제 2 MOS 트랜지스터의게이트를연결하여, 높은전압이득과짝수번째하모닉성분(고조파성분)이제거되어개선된선형성을얻을수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020140052380A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120118435
申请日：2012-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC: H01P7/00
CPC classification number: H01L29/82 , B81B3/0078 , B81B2201/0271 , B82Y25/00 , G01N29/022 , G01N29/036 , H01L29/0673 , H01L29/42372 , H01L29/78 , Y10S977/762 , Y10S977/938
Abstract: Disclosed are a nanoresonance apparatus and a method for same, including at least one protruding portion on a gate electrode or a nanowire. The nanoresonance apparatus includes at least one gate electrode configured to generate a magnetic field; at least one protruding portion connecting a source electrode to a drain electrode and formed in a direction of the gate electrode; and a nanowire configured to resonate according to the magnetic field.
Abstract translation: 公开了一种纳米谐振装置及其方法，包括在栅电极或纳米线上的至少一个突出部分。 所述纳米谐振装置包括至少一个被配置为产生磁场的栅电极; 至少一个突出部分，其将源电极连接到漏电极并沿栅电极的方向形成; 以及配置成根据磁场共振的纳米线。
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公开(公告)号：KR1020140011665A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：KR1020120078313
申请日：2012-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B81C1/00134 , B81B3/0018 , H03H3/0072 , H03H9/2463
Abstract: Disclosed are a nanoresonator and a method for manufacturing the same. According to an embodiment of the present invention, the nanoresonator includes a substrate, a first insulating layer formed on the substrate, a first source formed in a first position on the first insulating layer, a first drain formed in a second position facing the first position on the first insulating layer, a nanowire channel where one end is connected to the first source and the other end is connected to the first drain and having the same doping type and doping concentration with the first source and the first drain, and at least one nanowire channel separated from the first nanowire channel and formed in at least one direction among the vertical and horizontal directions of the first nanowire channel.
Abstract translation: 公开了一种纳米谐振器及其制造方法。 根据本发明的实施例，纳米谐振器包括基板，形成在基板上的第一绝缘层，形成在第一绝缘层上的第一位置的第一源极，形成在面向第一位置的第二位置的第一漏极 在第一绝缘层上的纳米线通道，其一端连接到第一源极，另一端连接到第一漏极，并且具有与第一源极和第一漏极相同的掺杂类型和掺杂浓度，以及至少一个 纳米线通道与第一纳米线通道分离并形成在第一纳米线通道的垂直和水平方向之间的至少一个方向上。
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