公开(公告)号：KR102147541B1

公开(公告)日：2020-08-24

申请号：KR1020130119408

申请日：2013-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유지에 ,  김덕환 ,  박호수 ,  송인상 ,  신제식

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/17

公开(公告)号：KR102265058B1

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：KR1020200102415

申请日：2020-08-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유지에 ,  김덕환 ,  박호수 ,  송인상 ,  신제식

IPC: H03H9/60 ,  H03H9/64 ,  H03H9/02 ,  H03H9/70

公开(公告)号：KR101928371B1

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：KR1020120078313

申请日：2012-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유지에 ,  김덕환 ,  송인상 ,  추이징

IPC: H01P7/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 나노공진기 및 그의 제조 방법이 개시된다. 실시예에 따른 나노공진기는 기판, 기판 상에 형성된 제1 절연층, 제1 절연층 상에서 제1 위치에 형성된 제1 소스, 제1 절연층 상에서 제1 위치와 대향하는 제2 위치에 형성된 제1 드레인, 일 단이 상기 제1 소스에 연결되고 타 단이 제1 드레인에 연결되며, 제1 소스 및 제1 드레인과 동일한 도핑 타입 및 도핑 농도를 갖는 제1 나노와이어 채널 및 제1 나노와이어 채널의 수직 방향 및 수평 방향 중 어느 하나의 방향으로 형성되어 제1 나노와이어 채널과 이격하여 배치된 적어도 하나 이상의 다른 나노와이어 채널을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020140011665A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：KR1020120078313

申请日：2012-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유지에 ,  김덕환 ,  송인상 ,  추이징

IPC: H01P7/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B81C1/00134 ,  B81B3/0018 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/2463

Abstract: Disclosed are a nanoresonator and a method for manufacturing the same. According to an embodiment of the present invention, the nanoresonator includes a substrate, a first insulating layer formed on the substrate, a first source formed in a first position on the first insulating layer, a first drain formed in a second position facing the first position on the first insulating layer, a nanowire channel where one end is connected to the first source and the other end is connected to the first drain and having the same doping type and doping concentration with the first source and the first drain, and at least one nanowire channel separated from the first nanowire channel and formed in at least one direction among the vertical and horizontal directions of the first nanowire channel.

Abstract translation: 公开了一种纳米谐振器及其制造方法。 根据本发明的实施例，纳米谐振器包括基板，形成在基板上的第一绝缘层，形成在第一绝缘层上的第一位置的第一源极，形成在面向第一位置的第二位置的第一漏极 在第一绝缘层上的纳米线通道，其一端连接到第一源极，另一端连接到第一漏极，并且具有与第一源极和第一漏极相同的掺杂类型和掺杂浓度，以及至少一个 纳米线通道与第一纳米线通道分离并形成在第一纳米线通道的垂直和水平方向之间的至少一个方向上。

公开(公告)号：KR1020150040640A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：KR1020130119408

申请日：2013-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유지에 ,  김덕환 ,  박호수 ,  송인상 ,  신제식

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/17

CPC classification number: H03H9/605 ,  H03H9/02086 ,  H03H9/542

Abstract: 일실시예에따른음향필터는신호입력포트, 사다리형필터회로, 제1 분기사다리형필터회로, 제2 분기사다리형필터회로, 및신호출력포트를포함한다. 여기서, 제1 분기사다리형필터회로및 제2 분기사다리형필터회로는병렬로연결되고, 신호입력포트는사다리형필터회로와연결되며, 사다리형필터회로는 2개의병렬로연결된분기사다리형필터회로들과직렬로연결되고, 2개의병렬로연결된분기사다리형필터회로들은신호출력포트와연결된다. 이때, 제1 분기사다리형필터회로에서공진기들의 C 축방향은제2 분기사다리형필터회로에서대응하는공진기들의 C 축방향과반대이다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的声滤波器包括信号输入端口，梯形滤波器电路，第四季梯形滤波器电路，第二四分之一梯形滤波器电路和信号输出端口。 第一季度梯形滤波电路和第二十四梯形滤波电路并联，信号输入端口连接到梯形滤波电路，梯形滤波电路串联连接 并联连接的四分之一梯形滤波器电路，并联连接的四分之一梯形滤波器电路连接到信号输出端口。 这里，第一四分之一梯形滤波器电路中的谐振器的C轴方向与第二十四​​梯形滤波器电路中的相应谐振器的C轴方向相反。