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公开(公告)号：KR1020160009915A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：KR1020140090446
申请日：2014-07-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04L51/24 , G06F3/0488 , H04L51/046 , H04M1/72552 , H04M2250/22
Abstract: 한실시예에따르면, 전자장치의동작방법에있어서, 윈도우내에표시된객체를선택하는동작과, 선택된객체를기반으로상기객체와연결된다른윈도우를호출하는동작을포함할수 있다. 전자장치의동작방법에있어서상술한방법에한정하지않고본 발명의동일또는유사한범위에서다른실시예가가능하다.
Abstract translation: 本发明涉及一种处理数据的方法及其电子设备。 根据实施例，用于操作电子设备的方法可以包括以下操作：选择在窗口中显示的对象; 并基于所选择的对象调用连接到对象的另一窗口。 用于操作电子设备的方法不限于上述方法，而是可以在本发明的相同或相似的范围内进行其它实施例。
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公开(公告)号：KR1020150135711A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：KR1020140062484
申请日：2014-05-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L21/7688 , H01L27/10814 , H01L27/10891 , H01L21/0274
Abstract: 본발명은반도체제조방법에관한것으로, 활성영역들이형성된기판을제공하고, 상기기판상에제1 방향과상기제1 방향과교차하는제2 방향을따라각각엇갈리게배열되어상기활성영역들을노출시키는오프닝들을정의하는복수개의마스크패턴들을형성하고, 그리고상기오프닝들을통해노출된활성영역을리세스시켜상기제1 및제2 방향을따라각각엇갈리게배열되는복수개의콘택홀들을형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及半导体器件的制造方法。 该方法包括提供具有有源区的衬底，形成限定开口的掩模图案，所述掩模图案在基板上沿与第一方向交叉的第一方向和第二方向交替布置，并暴露有源区，并且形成交替排列的接触孔 通过使由开口暴露的活性区域凹进而在第一和第二方向上。
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公开(公告)号：KR1020150076939A
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020130165681
申请日：2013-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04W28/24
CPC classification number: H04W28/0268 , H04L47/215 , H04L47/2458 , H04L47/283 , H04L47/76 , H04L47/805 , H04W28/24 , H04W72/087
Abstract: 본발명의실시예들은이동통신시스템에서 QoS 서비스를위한 QoS 스위칭방법및 장치를제공한다. 본발명의일 실시예에따르면, 이동통신시스템에서 QoS 서비스를위한스케줄러의 QoS 스위칭방법에있어서, 복수의 QoS 서비스들을제공하기위한총 자원사용값을기준으로하여, 다운그레이드, 업그레이드및 그레이드유지중 어느하나에해당하는상기 QoS 서비스들의등급조정에관한 QoS 스위칭을결정하는과정; 및상기결정된 QoS 스위칭에따라, 상기 QoS 서비스들의등급을조정하는과정을포함한다.
Abstract translation: 本发明的实施例提供一种用于移动通信系统中的QoS服务的QoS切换方法和装置。 根据本发明的实施例，移动通信系统中的QoS服务调度器的QoS切换方法包括以下步骤：确定属于降级，升级和分级的QoS服务的QoS切换， 基于总资源使用量的维护作为参考值，用于提供多个QoS服务; 以及根据确定的QoS切换来调整QoS服务的等级。
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公开(公告)号：KR1020150019815A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020130097157
申请日：2013-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W28/04 , H04W52/146 , H04W88/12
Abstract: The present invention relates to a method and apparatus for controlling uplink in a wireless communications system. The method of controlling a base station for uplink control in a wireless communications system includes the steps of: receiving power information on at least one terminal from at least one base station; determining a data transmission power amount excluding transmission power used for control channel transmission among current transmission power amounts of terminals for each of the terminal; determining a tolerable interference amount on a basis of the current transmission power amount, the data transmission power amount; and a required data rate for each of the terminal; and limiting an uplink interference amount of the base station by using the tolerable interference amount determined for each of the terminal.
Abstract translation: 本发明涉及一种在无线通信系统中控制上行链路的方法和装置。 在无线通信系统中控制用于上行链路控制的基站的方法包括以下步骤：从至少一个基站接收至少一个终端的功率信息; 确定每个所述终端的当前终端的发送功率量之间除了用于控制信道传输的发送功率之外的数据发送功率量; 基于当前发送功率量确定容许干扰量，数据发送功率量; 和每个终端所需的数据速率; 以及通过使用为每个终端确定的可容忍干扰量来限制基站的上行链路干扰量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101475071B1
公开(公告)日：2014-12-22
申请号：KR1020080004812
申请日：2008-01-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 이동통신 시스템에서 단말의 향상된 랜덤 액세스 채널(RACH)의 송신 방법에 있어서, 상향링크 프리앰블을 기지국으로 송신하고, 상기 상향링크 프리앰블에 대한 긍정 응답을 수신하면, 향상된 상향링크 전용 채널(E-DCH) 및 전용 물리 제어 채널(DPCCH)을 송신하며,상기 DPCCH 전송은 상기 E-DCH 전송을 위한 미리 결정된 시간 이전에 시작됨을 특징으로 한다.
WCDMA, RACH, E-DCH, Node B controlled scheduling-
公开(公告)号：KR1020130102399A
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020120023599
申请日：2012-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/00 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L27/2481
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to improve crystallization by performing an active epitaxial growth process on the front surface of a substrate. CONSTITUTION: A first semiconductor layer (118) has a first conductivity type. The first semiconductor layer is extended in a first direction. Second semiconductor layers (122) are separated from each other in the first direction. The second semiconductor layer has a second conductivity type. An insulating layer structure (130) surrounds the sidewalls of the first semiconductor layer and the second semiconductor layers and.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过在衬底的前表面上进行有源外延生长工艺来改善结晶。 构成：第一半导体层（118）具有第一导电类型。 第一半导体层沿第一方向延伸。 第二半导体层（122）在第一方向上彼此分离。 第二半导体层具有第二导电类型。 绝缘层结构（130）围绕第一半导体层和第二半导体层的侧壁。
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公开(公告)号：KR1020130054011A
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020110119779
申请日：2011-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김은정
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/8242 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/3086 , H01L27/105 , H01L27/10885 , H01L27/10894 , H01L27/11531
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent the tilt of a pattern by forming a trench after a part of the trench is filled. CONSTITUTION: A first trench is formed in a part of a substrate. The first trench is filled. A first filling layer is formed. A spacer(140S) is formed in the sidewall of a protrusion part(120P). The substrate is etched to form a second trench(130T). [Reference numerals] (AA) Cell region; (BB) Peripheral circuit region
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以在填充沟槽的一部分之后通过形成沟槽来防止图案的倾斜。 构成：在衬底的一部分中形成第一沟槽。 第一条沟填满了。 形成第一填充层。 在突出部分（120P）的侧壁中形成间隔物（140S）。 蚀刻衬底以形成第二沟槽（130T）。 （附图标记）（AA）单元区域; （BB）外围电路区域
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公开(公告)号：KR1020110111698A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：KR1020100030903
申请日：2010-04-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/26
CPC classification number: H04L5/003 , H04L1/1812 , H04L1/1864 , H04L1/1874 , H04L1/1896 , H04W72/1221 , H04W72/1284 , H04W28/0278 , H04L41/00 , H04W28/04
Abstract: 통신 시스템에서 버퍼 상태 보고(BSR: Buffer State Report)를 사용하여 사용자 장치를 관리하는 방법에 있어서, 임의의 사용자 장치로부터 상기 사용자 장치의 버퍼 길이를 포함하는 BSR를 수신하는 과정과, 상기 BSR이 상기 사용자 장치의 버퍼 길이가 '0'임을 나타내는 제로(zero) BSR인지 검사하는 과정과, 상기 검사 결과 상기 BSR이 상기 제로 BSR이면, 상기 사용자 장치의 상태를 상기 제로 BSR 을 수신하였음을 나타내는 제로 BSR 상태로 천이시키는 과정을 포함한다.
Abstract translation: 提供了一种用于通信系统中的上行链路调度的方法和装置。 该方法包括：确定用户设备（UE）是否包括在上行链路调度列表中，如果UE被包括在上行链路调度列表中，则UE估计缓冲区长度，确定缓冲状态报告（BSR） 指示UE已经从UE接收到缓冲区长度，如果估计的缓冲器长度为0，并且UE转换到非零BSR接收状态并且在上行链路调度列表中维护，则如果尚未接收到BSR 来自UE。 非零BSR接收状态是没有接收到指示UE的缓冲器长度的零BSR为0的状态。
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公开(公告)号：KR100986737B1
公开(公告)日：2010-10-08
申请号：KR1020080077637
申请日：2008-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김은정
CPC classification number: H04W52/146 , H04W52/262 , H04W72/1205
Abstract: 본 발명이 제공하는 이동 통신 시스템의 기지국에서 상향 링크 전용 채널을 제어하기 위한 방법은, 이동 단말로부터 수신한 스케줄링 정보에 포함된 여유 전력 정보를 포함하는 구성 판단 정보를 생성하는 과정과, 상기 구성 판단 정보를 바탕으로 상기 상향 링크 전용 채널 구성 정보의 변경이 필요한지 여부를 결정하는 과정을 포함한다. 상기 상향 링크 전용 채널 구성 정보의 변경이 필요한 경우, 상기 구성 판단 정보를 바탕으로 상기 상향 링크 전용 채널 구성 정보를 변경하는 과정을 더 포함할 수 있고, 상기 상향 링크 전용 채널 구성 정보를 변경한다는 메시지를 기지국 제어기로 송신하는 과정을 더 포함할 수 있고,상기 송신한 메시지에 대응하여, 상기 기지국 제어기로부터 상기 변경된 상향 링크 전용 채널 구성 정보에 따라 상기 상향 링크 전용 채널을 재설정하라는 메시지를 수신하는 과정을 더 포함할 수 있다.
이동 통신 시스템, 향상된 상향링크 전용채널, E-DCH, 스케줄링
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