公开(公告)号：KR102235120B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020150093407A

申请日：2015-06-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김은정 ,  김봉수 ,  김용관 ,  한성희 ,  황유상

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/764

CPC classification number: H01L27/108 ,  H01L21/764 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/1087 ,  H01L27/10888 ,  H01L2924/1436

Abstract: 반도체 소자 및 그의 제조 방법이 제공된다. 반도체 소자는 반도체 기판에 정의된 액티브 영역, 상기 반도체 기판 상에, 상기 액티브 영역과 연결되는 제1 콘택 플러그, 상기 반도체 기판 상에, 상기 제1 콘택 플러그와 인접하는 비트 라인, 상기 제1 콘택 플러그와 상기 비트 라인 사이에 형성된 제1 에어갭 스페이서, 상기 제1 콘택 플러그 상의 랜딩 패드, 상기 비트 라인 상의 블로킹 절연막으로, 상기 블로킹 절연막의 상면은 상기 랜딩 패드의 상면과 나란하거나 높은 블로킹 절연막 및 상기 제1 에어갭 스페이서 상에, 상기 제1 에어갭 스페이서와 수직적으로 중첩되고, 상기 블로킹 절연막 및 상기 랜딩 패드 사이에 위치하는 에어갭 캡핑막을 포함한다.

公开(公告)号：WO2022092597A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：PCT/KR2021/013500

申请日：2021-10-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김은정 ,  서정필 ,  김성호 ,  정승준 ,  고수홍 ,  김법명

IPC: G02F1/1362

Abstract: 디스플레이 장치는, 상단, 좌측단, 우측단, 및 하단을 포함하는 직사각형 형상으로 형성되며, 상기 하단으로 연장되는 복수의 배선 패드를 포함하는 제1기판과, 제1기판의 전면에 마련되는 표시층과, 표시층의 전면에 마련되며, 제1기판의 상단, 좌측단, 및 우측단과 일치하는 상단, 좌측단, 및 우측단과, 제1기판의 하단보다 짧은 하단을 포함하며, 제1기판의 복수의 배선 패드가 노출되도록 설치되는 제2기판과, 제1기판의 하단과 제2기판의 하단에 마련되며 복수의 배선 패드와 연결되는 복수의 측면 배선 패드, 및 복수의 측면 배선 패드에 연결되는 디스플레이 구동회로를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020170076479A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：KR1020150186780

申请日：2015-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김대익 ,  김은정 ,  김봉수 ,  박제민 ,  황유상

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816

Abstract: 패턴을형성하기위하여기판상의피쳐층위에복수의제1 라인패턴과복수의제1 스페이스매립패턴이하나씩교대로배치된제1 레벨패턴층을형성한다. 복수의제1 스페이스매립패턴중 일부를제거하여제1 레벨패턴층에서단속적또는연속적으로연장되는제2 방향패턴공간을형성한다. 제2 방향패턴공간을채우는제2 매립막을형성하여복수의제1 라인패턴과제2 매립막과의조합으로이루어지는망상구조패턴을형성한다. 망상구조패턴을식각마스크로이용하여피쳐층을식각하여복수의홀을가지는피쳐패턴을형성한다.

Abstract translation: 形成多个第一线图案和多个第一空间嵌入图案交替地布置在基板上的特征层上以形成图案的第一级图案层。 多个第一空间嵌入图案的一部分被去除以形成在第一级图案层中间断地或连续地延伸的第二方向图案空间。 填充第二方向图案空间的第二嵌入膜形成为与多个第一线图案投影2掩埋膜组合以形成网络结构图案。 使用网络结构图案作为蚀刻掩模蚀刻特征层以形成具有多个孔的特征图案。

公开(公告)号：KR101584689B1

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：KR1020090018314

申请日：2009-03-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심세준 ,  김은정 ,  이재곤 ,  윤상보

IPC: H04B7/04

CPC classification number: H04W52/42 ,  H04B7/0452 ,  H04B7/0665 ,  H04B7/0862 ,  H04L25/03891 ,  H04L25/03993 ,  H04W52/343 ,  H04W52/346

Abstract: 본발명은다중안테나시스템에서다중사용자간섭제거방법및 장치에관한것으로서, 다중안테나시스템에서다중사용자간섭제거를위한기지국의방법은, 특정단말에간섭을미치는적어도하나의간섭단말의프리코딩벡터정보와상기기지국의총 전송전력대 상기특정단말에대한전송전력비 정보를확인하는과정과, 상기확인된정보를포함하는제어신호를상기특정단말로전송하는과정을포함하여, 다른단말의간섭을백색화하여양자화잡음에의한영향을제거할수 있다.

公开(公告)号：KR1020130102401A

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：KR1020120023601

申请日：2012-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김은정 ,  고승필 ,  김용준

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/224 ,  H01L29/861 ,  H01L27/2463

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to reduce resistance by burying a word line in a substrate. CONSTITUTION: Device isolation layers are extended in a substrate in one direction. Word lines (34) include metal. A first impurity region (12) is formed on the word line. An interlayer dielectric includes a through hole. A second impurity region (40) is in contact with the first impurity region.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过将字线掩埋在衬底中来降低电阻。 构成：器件隔离层在一个方向上在衬底中延伸。 字线（34）包括金属。 在字线上形成第一杂质区（12）。 层间电介质包括通孔。 第二杂质区（40）与第一杂质区接触。

公开(公告)号：KR1020130097997A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020120019752

申请日：2012-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고승필 ,  김은정 ,  김용준

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1691

Abstract: PURPOSE: A method for forming a contact and a method for manufacturing a phase change memory device using the same are provided to improve diode characteristics. CONSTITUTION: An insulation film pattern including a plurality of contact holes (163) is formed on a substrate (110). The insulation film pattern includes a first sidewall (161) of a first direction and a second sidewall of a second direction which is opposite to the first direction. A semiconductor pattern (166) is formed on the contact hole. A separation spacer (172) is formed on the semiconductor pattern and the side of the first sidewall to partially expose the semiconductor pattern. The semiconductor pattern is divided into a plurality of semiconductor pattern parts by etching the exposed semiconductor pattern using the separation spacer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成接触的方法和使用其的相变存储器件的制造方法，以改善二极管特性。 构成：在基板（110）上形成包括多个接触孔（163）的绝缘膜图案。 绝缘膜图案包括第一方向的第一侧壁（161）和与第一方向相反的第二方向的第二侧壁。 在接触孔上形成半导体图案（166）。 在半导体图案和第一侧壁的侧面上形成分隔间隔件（172）以部分地暴露半导体图案。 通过使用分离间隔物蚀刻暴露的半导体图案，将半导体图案分成多个半导体图形部分。

公开(公告)号：KR100793241B1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：KR1020060054995

申请日：2006-06-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 동진쎄미켐

Inventor： 김은정 ,  안승현 ,  김정은 ,  나영임 ,  최백순 ,  이동준 ,  김성배 ,  김병욱 ,  윤석일 ,  신성건

IPC: G03F7/32

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C03C17/30 ,  C03C23/008 ,  C03C2218/328 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133

Abstract: 실리콘 고분자 및 포토레지스트 제거용 조성물, 이를 이용한 막 제거 방법 및 패턴 형성 방법에서, 수산화 제4암모늄, 설폭사이드 화합물, 디알킬렌글리콜알킬에테르 및 물을 포함하는 조성물을 실리콘 고분자막 및 포토레지스트막에 적용하여 제거한다. 하부막의 손상을 방지하고 파티클을 발생시키지 않으면서 하드 마스크막으로 사용되는 실리콘 고분자막 및 포토레지스트막을 인-시튜로 제거할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070120348A

公开(公告)日：2007-12-24

申请号：KR1020060054995

申请日：2006-06-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 동진쎄미켐

Inventor： 김은정 ,  안승현 ,  김정은 ,  나영임 ,  최백순 ,  이동준 ,  김성배 ,  김병욱 ,  윤석일 ,  신성건

IPC: G03F7/32

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C03C17/30 ,  C03C23/008 ,  C03C2218/328 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133

Abstract: A composition for removing a silicon polymer and a photoresist is provided to effectively remove both a silicon polymer-containing hard mask layer and a photoresist pattern without forming etching residues. A composition for removing a silicon polymer and a photoresist comprises 0.1-2wt% of quaternary ammonium hydroxide, 5-30wt% of a sulfoxide compound, 50-84.9wt% of dialkyleneglycolalkylether, and 5-30wt% of water. A method for removing layers includes the steps of: preparing the composition; and applying the composition onto a silicon polymer layer(130) and a photoresist layer(140), and removing the silicon polymer layer and the photoresist layer in situ at 20-60 °C.

Abstract translation: 提供用于除去硅聚合物和光致抗蚀剂的组合物，以有效地除去含硅聚合物的硬掩模层和光致抗蚀剂图案，而不形成蚀刻残留物。 用于除去硅聚合物和光致抗蚀剂的组合物包含0.1-2重量％的季铵氢氧化物，5-30重量％的亚砜化合物，50-84.9重量％的二烷基乙二醇烷基醚和5-30重量％的水。 一种去除层的方法包括以下步骤：制备组合物; 以及将所述组合物施加到硅聚合物层（130）和光致抗蚀剂层（140）上，并在20-60℃原位移除硅聚合物层和光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：KR100703380B1

公开(公告)日：2007-04-03

申请号：KR1020030030639

申请日：2003-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성훈 ,  최성호 ,  이국희 ,  박준구 ,  황승오 ,  김은정 ,  정경인

IPC: H04B7/26

CPC classification number: H04W72/02 ,  H04W4/06 ,  H04W48/08

Abstract: 본 발명은 멀티미디어 브로드캐스트/멀티캐스트(MBMS) 서비스를 지원하는 이동통신 시스템에서 MBMS 서비스를 지원하기 위한 제어정보를 송수신하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 복수 개의 전송 채널들을 가지는 기지국과, 상기 기지국과 통신을 수행하는 적어도 하나의 이동단말을 가지는 MBMS 서비스를 지원하는 이동통신 시스템에서, 기지국은 하나의 제2 공통제어 물리채널에 매핑되는 복수 개의 전송 채널들 중 MBMS 제어정보를 위한 전송 채널을 선택하고, 상기 선택된 전송 채널을 나타내는 시스템 정보블록을 제1 공통제어 물리채널을 이용하여 이동단말들이 위치하는 셀 영역으로 전송하며, 상기 MBMS 제어정보를 상기 선택된 전송채널을 이용하여 상기 셀 영역으로 전송한다. 이동 단말은 제1 공통제어 물리채널을 통해 상기 시스템 정보 블록을 수신하고, 상기 시스템 정보 블록을 이용하여 상기 선택된 전송 채널을 통해 상기 MBMS 제어정보를 수신하여 MBMS 서비스에 이용한다. 이러한 본 발명은 특정 셀 영역의 MBMS 제어정보를 하나의 전송채널만을 통해 전송함으로 이동 단말에서 효율적인 데이터 처리를 수행할 수 있다.
MBMS, MCCH, S-CCPCH, FACH, TFCI

公开(公告)号：KR1020050100859A

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：KR1020040026058

申请日：2004-04-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김은정 ,  최성호

IPC: H04B7/26

CPC classification number: H04W76/11 ,  H04W76/40

Abstract: 본 발명은 멀티캐스트 멀티미디어 방송 서비스(MBMS)에 관한 것이다. MBMS 서비스에 대한 호출을 위하여 무선 네트워크 제어기(RNC)는 상기 MBMS 서비스에 해당하는 MBMS 컨텍스트를 관리한다. 무선 네트워크 제어기는 전용 채널을 가지고 있으면서 무선 네트워크 제어기(RNC)의 MBMS 컨텍스트에 포함되지 않은 사용자 단말기도 원하는 MBMS 서비스에 대한 전용 호출 메시지를 수신할 수 있도록 한다. 이를 위해, 사용자 단말기는 CS 도메인으로의 접속을 요청하기 위해 최초로 전송하는 NAS 메시지에, MBMS 서비스에 참여했음을 나타내는 지시자 또는 관련 정보를 포함시킨다. 무선 네트워크 제어기는 상기 사용자 단말기에 해당하는 SGSN을 탐색하여 상기 사용자 단말기가 참여한 MBMS 서비스 정보를 수신하여 MBMS 컨텍스트에 저장한다. 이러한 본 발명은 MBMS 호출의 성공률과 신뢰도를 높일 수 있는 효과가 있다.