公开(公告)号：KR1019940022909A

公开(公告)日：1994-10-21

申请号：KR1019930006155

申请日：1993-04-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H01L29/78

Abstract: 신호전하의 검출감도가 향상된 전하결합소자의 부동 확산증폭기.
부동 확산 증폭기의 전하센싱회로를 구성하는 구동모스트랜지스터에서, 게이트전극과 드레인영역 사이에 공핍층을 형성시켜 게이트전극과 드레인영역간에 오버랩에 의한 기생용량을 감소시켜 준다.
상기 공핍층은 게이트전극과 드레인 사이에 공핍채널을 형성한 후 드레인전압을 게이트전압보다 크게 유지하여 형성시킨다. 또한 드레인영역을 게이트전극 하부의 반도체기판 내부로 매몰시켜줌으로써, 매몰된 드레인영역과 게이트전극 사이에 표면공핍층을 형성시켜 준다.
따라서 게이트전극과 드레인간의 기생용량이 크게 감소되어 신호전하의 검출감도가 향상된다.

公开(公告)号：KR1019930024179A

公开(公告)日：1993-12-22

申请号：KR1019920008682

申请日：1992-05-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H01L27/146

Abstract: 이 발명은 정상상 및 거울상을 선택적으로 전송시키는 1출력형 고체촬영소자에 관한 것이다. 이 발명은 수평전송 CCD의 클럭신호의 조합을 변화시키지 않고 상선의 수평전송 CCD의 신호를 하선의 수평전송 CCD에 병렬 또는 직렬전송하기 위한 것으로, 각열에 배열된 수직전송 CCD와, 각각의 전송게이트를 통하여 상기 각열의 수직 전송 CCD에 연결되는 광다이오드와, 상기 각열의 수직전송 CCD의 일단과 연결되는 상선의 수평전송 CCD와 , 상기 상선의 수평전송 CCD와 하선의 수평전송 CCD의 일단을 서로 연결시키는 연결부와, 상기 하선의 수평전송 CCD의 타단에 연결되는 하나의 출력부와, 상기 상, 하선의 수평전송 CCD 사이에 형성되는 제어게이트를 포함하여 이루어지는 것이다.
따라서, 이 발명은 따른 정상상 및 거울상을 위한 고체촬영소자는 감시용 TV 카메라의 분야에서 차의 후방 확인용으로 사용될 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR1019930011473B1

公开(公告)日：1993-12-08

申请号：KR1019900016436

申请日：1990-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H01L29/768

CPC classification number: H01L29/76841

Abstract: The pseudo bi-phase CCD has a gate electrode width which is reduced in a direction opposite to the charge transmission direction in a gate electrode. The charge coupled device has gate electrodes formed on a semiconductor through which charges are transferred. The gate electrodes are separated by an insulation film. Each of the gate electrodes includes a first part having a first width, and a second width which is wider than the first width. The first width gradually increases as it moves towards the second width, formed in a direction of the charge transfer. A second part is coupled to the first part, disposed in the charge transfer direction.

Abstract translation: 伪双相CCD具有在栅电极中与电荷传输方向相反的方向减小的栅电极宽度。 电荷耦合器件具有形成在半导体上的栅电极，电荷通过该半导体转移。 栅电极被绝缘膜隔开。 每个栅电极包括具有第一宽度的第一部分和比第一宽度宽的第二宽度。 第一宽度随着朝向电荷转移方向形成的第二宽度而逐渐增加。 第二部分耦合到沿电荷传输方向设置的第一部分。

公开(公告)号：KR1019920008969A

公开(公告)日：1992-05-28

申请号：KR1019900016436

申请日：1990-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H01L29/768

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR100833177B1

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：KR1020020026435

申请日：2002-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H04N5/355 ,  H04N5/378

CPC classification number: H04N5/3575 ,  H04N5/361 ,  H04N5/378

Abstract: 램프 비교형 아날로그-디지털 변환기를 사용하는 CMOS 이미지 센서에 있어서 , 다이나믹 레인지를 감소시키지 않기 위하여 신호변환과정에서 발생되는 오프 셋을 자동적으로 조정할 수 있는 신호변환회로 및 그 방법이 제공된다. 신호변환회로는 입사광에 응답하여 전기적인 신호를 발생하는 광감성 소자; 램프신호 및 상기 전기적인 신호를 수신하여 비교하고, 그 비교결과에 따라 상기 전기적인 신호에 상응하는 디지털 신호를 출력하는 변환회로; 및 기준신호와 상기 램프신호를 비교하고, 그 비교결과에 상응하는 인에이블신호를 발생하는 오프 셋 조정회로를 구비하며, 상기 변환회로는 상기 인에이블 신호에 응답하여 활성화된다.
영상 소자, 오프 셋 조정회로,

公开(公告)号：KR100791000B1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：KR1020060106718

申请日：2006-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안영수 ,  오세장 ,  남정현

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2889

Abstract: An electrical test apparatus for testing a wafer at a high speed and a testing method thereof are provided to secure a high-speed test of GHz and more by simplifying a structure of a probe card and improving a connecting state between a probe card and a performance board. A test head(110) of a tester is used for inspecting a wafer. One side of a performance board(120) is connected to the test head. Connection parts of first coaxial cable are formed at the other side of the performance board in order to connect a signal line. A probe card(150) is connected to the performance board. Connection parts of second coaxial cable(154) are installed at a connecting surface of the probe card. A needle(156) for contacting the wafer is formed at the opposite surface of the probe card. A coaxial cable bundle(130) is formed to connect the first coaxial cable connecting parts of the performance board with the second coaxial cable connecting parts of the probe card.

Abstract translation: 提供一种用于高速测试晶片的电气测试装置及其测试方法，通过简化探针卡的结构并提高探针卡与性能之间的连接状态，确保了GHz及更高​​的高速测试 板。 测试器的测试头（110）用于检查晶片。 性能板（120）的一侧连接到测试头。 第一同轴电缆的连接部分形成在性能板的另一侧，以连接信号线。 探针卡（150）连接到演奏板。 第二同轴电缆（154）的连接部分安装在探针卡的连接表面。 用于接触晶片的针（156）形成在探针卡的相对表面。 形成同轴电缆束（130）以将性能板的第一同轴电缆连接部分与探针卡的第二同轴电缆连接部分连接起来。

公开(公告)号：KR100640618B1

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020040109285

申请日：2004-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문병수 ,  김양기 ,  강기상 ,  김훈정 ,  남정현 ,  조미연

IPC: G11C29/00

Abstract: 본 발명은 노아 플래쉬 메모리 장치의 웨이퍼 번-인 테스트 방법에 대하여 개시된다. 노아 플래쉬 메모리 장치의 웨이퍼 번-인 테스트 방법은 제1 내지 제8 단계를 포함한다. 제1 단계는 패턴 파일 내에서 섹터 어드레스의 시작 위치를 지정하고, 제2 단계는 메인 프로그램 내에서 섹터 어드레스 수를 지정하고 패턴 파일을 호출하고, 제3 단계는 해당 섹터 어드레스에서 마스터 펄스를 발생하고, 제4 단계는 섹터 어드레스에 대응되는 메모리 소자로 패턴을 인가하고, 제5 단계는 섹터 어드레스 수를 1 증가시키고, 제6 단계는 증가된 섹터 어드레스와 지정된 섹터 어드레스 수를 비교하고, 제7 단계는 제6 단계에서 증가된 섹터 어드레스가 지정된 섹터 어드레스 보다 작으면 제3 단계 내지 제6 단계를 순차적으로 수행하고, 제8 단계는 제6 단계에서 증가된 섹터 어드레스가 지정된 섹터 어드레스 보다 크면 웨이퍼 번-인 테스트를 종료한다.
웨이퍼 번-인 테스트 방법, 노아 플래쉬 메모리 장치, 섹터 어드레스 수

公开(公告)号：KR100621561B1

公开(公告)日：2006-09-19

申请号：KR1020040089905

申请日：2004-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H04N5/376 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/361

Abstract: CMOS 이미지 센서(CMOS image sensor) 및 그 구동 방법이 제공된다. CMOS 이미지 센서는 광전자 변환부에 축적된 전하를 전하 검출부에 전송하는 전하 전송부를 포함하는 단위 화소가 메트릭스 형태로 배열된 화소 배열부, 광전자 변환부의 전하 축적 기간 중 일부 기간동안 전하 전송부의 전위가 음이 되는 전압을 전하 전송부에 공급하는 행 구동부를 포함한다.
CMOS 이미지 센서, 커플링부, 전하 전송부

公开(公告)号：KR1020060093913A

公开(公告)日：2006-08-28

申请号：KR1020050015040

申请日：2005-02-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H04N5/357 ,  H04N9/07

CPC classification number: H04N9/045 ,  H04N5/347 ,  H04N5/37457

Abstract: 본 발명은 동일 색상의 화소 데이터를 가산하여 출력하는 컬러 촬상 장치 및 그 화소 데이터 독출 방법에 관한 것이다. 본 발명의 컬러 촬상 장치는 다수개의 레드 화소들과 다수개의 그린 화소들이 수직으로 교대로 배열된 다수개의 열 어레이들과 다수개의 그린 화소들과 다수개의 블루 화소들이 수직으로 교대로 배열된 다수개의 다른 열 어레이들이 수평으로 교대로 배열된 APS 어레이, 상기 APS 어레이의 일측 및 타측에 위치하며 각각 상기 열 어레이들 중 하나에 연결된 다수개의 열 선택부들, 상기 열 선택부들에 연결되며 상기 열 선택부들로부터 출력되는 화소 데이터를 디지털 데이터로 변환하는 다수개의 아날로그-디지털 변환부들, 및 상기 다수개의 아날로그-디지털 변환부들로부터 출력되는 화소 데이터를 수신하고 출력 모드에 따라 동일 색상의 화소 데이터를 1개 이상 가산하여 출력하는 후속 신호 처리부를 구비함으로써, 컬러 촬상 장치가 동영상 모드로 동작할 때 S/N비가 대폭적으로 향상된다.

公开(公告)号：KR100594236B1

公开(公告)日：2006-06-30

申请号：KR1020030100643

申请日：2003-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H04N5/3728

CPC classification number: H04N9/045 ,  H04N2209/045

Abstract: 프레임 메모리 버퍼 없이 영상신호처리를 가능하게 하는 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법이 개시된다. 상기 고체 촬상 소자는 수직 CCD에서 수직 구동 신호들을 입력받는 수직 구동 전극들을 이용하여, 2행씩은 이웃하고 이웃하는 2행들 간에는 소정 행만큼 떨어져 있는 영상신호들을 받아 수직 전송한다. 수평 CCD에서는 수평 구동 신호들을 입력받는 수평 구동 전극들을 이용하여, 상기 영상신호들을 행별로 수신하여 상기 수신된 행별 영상신호들을 수평 전송하여 출력한다.