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公开(公告)号：KR1020060070710A
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020040109285
申请日：2004-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C29/00
Abstract: 본 발명은 노아 플래쉬 메모리 장치의 웨이퍼 번-인 테스트 방법에 대하여 개시된다. 노아 플래쉬 메모리 장치의 웨이퍼 번-인 테스트 방법은 제1 내지 제8 단계를 포함한다. 제1 단계는 패턴 파일 내에서 섹터 어드레스의 시작 위치를 지정하고, 제2 단계는 메인 프로그램 내에서 섹터 어드레스 수를 지정하고 패턴 파일을 호출하고, 제3 단계는 해당 섹터 어드레스에서 마스터 펄스를 발생하고, 제4 단계는 섹터 어드레스에 대응되는 메모리 소자로 패턴을 인가하고, 제5 단계는 섹터 어드레스 수를 1 증가시키고, 제6 단계는 증가된 섹터 어드레스와 지정된 섹터 어드레스 수를 비교하고, 제7 단계는 제6 단계에서 증가된 섹터 어드레스가 지정된 섹터 어드레스 보다 작으면 제3 단계 내지 제6 단계를 순차적으로 수행하고, 제8 단계는 제6 단계에서 증가된 섹터 어드레스가 지정된 섹터 어드레스 보다 크면 웨이퍼 번-인 테스트를 종료한다.
웨이퍼 번-인 테스트 방법, 노아 플래쉬 메모리 장치, 섹터 어드레스 수-
公开(公告)号：KR1020020063672A
公开(公告)日：2002-08-05
申请号：KR1020010004242
申请日：2001-01-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: PURPOSE: A wafer level burn-in test system is provided to previously detect system power and current malfunctions by monitoring a pin driver or an output level of a power supplier through waveform monitoring unit. CONSTITUTION: A waveform monitoring unit(40) comprises a multiplex relay(41) operated according to a connection state of a DUT(Device Under Test)(5), a level shifter(42) for shifting an output of a pin driver(31), an A/D transformer(43) for transforming an input supplied from the level shifter(42) to a digital data, a memory device(44) for saving the transformed data and a waveform monitoring controller(45) connected with the multiplex relay(41), the A/D transformer(43) and the memory device(44) for controlling a monitoring. The waveform monitoring unit(40) is operated by connecting to the pin driver(31) and the power supplier(70).
Abstract translation: 目的：提供晶圆级老化测试系统，以通过监测电源供应器的引脚驱动器或输出电平通过波形监视单元预先检测系统电源和电流故障。 构成：波形监视单元（40）包括根据DUT（被测器件）（5）的连接状态操作的多路复用继电器（41），用于移位引脚驱动器（31）的输出的电平转换器 ），用于将从电平移位器（42）提供的输入转换为数字数据的A / D变换器（43），用于保存变换数据的存储器件（44）和与多路复用器连接的波形监视控制器（45） 继电器（41），A / D变压器（43）和用于控制监视的存储器件（44）。 波形监视单元（40）通过连接到引脚驱动器（31）和电源（70）来操作。
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公开(公告)号：KR1020100101451A
公开(公告)日：2010-09-17
申请号：KR1020090019951
申请日：2009-03-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01R31/2887
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for testing a semiconductor device are provided to minimize the bending of a probe card. CONSTITUTION: A substrate support unit is mounted in a semiconductor device. A test head is provided on the top of the substrate support unit and has a base(420) which is connected to a probe card. A horizontal maintaining unit(500) applies load to the probe card to maintain the probe card horizontal.
Abstract translation: 目的：提供一种用于测试半导体器件的装置和方法，以最小化探针卡的弯曲。 构成：将衬底支撑单元安装在半导体器件中。 测试头设置在基板支撑单元的顶部，并且具有连接到探针卡的基座（420）。 水平维持单元（500）将负载施加到探针卡以将探针卡保持在水平位置。
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公开(公告)号：KR100737918B1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：KR1020010004242
申请日：2001-01-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 웨이퍼 레벨(wafer level)의 번-인 테스트(burn-in test)를 효과적으로 수행하기 위한 파형 모니터링 유닛(waveform monitoring unit)을 갖는 웨이퍼 레벨 번-인 테스트 시스템과 테스트 방법에 관한 것이다. 테스트 패턴을 발생시키는 패턴 발생기와 웨이퍼의 피시험 반도체 소자(DUT; Device Under Test)에 테스트 패턴에 따른 신호를 공급하는 핀 드라이버를 갖는 웨이퍼 레벨 번-인 테스트 시스템에 있어서, DUT로 입력되는 신호를 입력으로 하여 테스트 신호의 파형을 검출하는 파형 모니터링 유닛을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 번-인 테스트 시스템을 제공하고, ⒜ 표준으로 등록된 파형에 따른 테스트 패턴에 따라 DUT로 테스트 신호를 공급하고 그 공급되는 테스트 신호를 모니터링 하는 모니터링 단계, ⒝ 모니터링 데이터를 이용하여 실제 DUT에 공급되는 파형으로 복원하여 그 출력 파형을 표준 등록 파형과 비교하는 단계 ⒞ 테스트 이상 유무를 판별하고 그에 따른 동작 단계를 포함하는 테스트 방법을 제공하여, 검출된 테스트 신호의 이상 유무를 판별하고 그에 따른 경고나 대응 조치가 빠르게 이루어질 수 있도록 하여 공정의 신뢰성과 제품의 신뢰성을 확보할 수 있다.
번-인 테스트, 웨이퍼 레벨, 모니터링, 파형, DUT-
公开(公告)号：KR100656586B1
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：KR1020050001682
申请日：2005-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R31/2877
Abstract: 본 발명은 프로브 카드 냉각용 공기 분사기를 갖는 웨이퍼 번인 시스템에 관한 것으로, 번인 공정이 진행될 때 번인 챔버 내의 프로브 카드에 열축적이 이루어지는 것을 억제하기 위해서, 번인 챔버와, 상기 번인 챔버 내에 설치되며, 하부면에 프로브 카드가 설치되고, 상기 프로브 카드 주위로 공기의 흐름을 발생시켜 상기 프로브 카드에 열축적이 발생되는 것을 억제하는 공기 분사기가 설치된 프로브 헤드와, 상기 번인 챔버 내에 설치되며, 상부면에 탑재되는 웨이퍼를 고정하고, 상기 웨이퍼가 상기 프로브 카드에 프로빙될 수 있도록 상기 웨이퍼를 승강시키는 웨이퍼 스테이지를 갖는 프로브 스테이션과; 상기 프로브 스테이션과 범용 인터페이스 버스(GPIB)로 연결되어 상기 프로브 헤드에 테스트 신호를 입출력하며, 상기 공기 분사기의 작동을 제어하는 테스터;를 포함하며, 상기 테스터는 상기 번인 챔버에서 번인 공정이 진행되는 동안 상기 공기 분사기를 작동시켜 상기 프로브 카드 주위에서 공기의 흐름을 강제적으로 발생시켜 상기 프로브 카드에 열축적이 발생되는 것을 억제하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 냉각용 공기 분사기를 갖는 웨이퍼 번인 시스템을 제공한다.
웨이퍼, 번인, 열축적, 냉각, 방열-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100292822B1
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1019980017391
申请日：1998-05-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김훈정
IPC: G01R31/28
Abstract: PURPOSE: A probe card for testing an IC chip is provided to enhance reliability of a test by stabilizing parameters of an EDS(Electrical Die Sorting) test. CONSTITUTION: A printed circuit board has a test IC for testing electric characteristics of two or more quad pad chips having a multitude of contact pads. A through-hole is formed on a center portion of the printed circuit board in order to locate the quad pad chips. A plurality of test needle(30) is connected with the printed circuit board in order to probe the contact pads. A fixing ring(34) is installed around the through-hole in order to support the test needles(30). A fixing bridge(36a) is installed across the fixing ring(34). The test needles(30) of a neighboring region are arranged in the fixing ring(34) and the fixing bridge(36a). The test needles(30) of the remaining region except for the neighboring region are arranged in the fixing ring(34).
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公开(公告)号：KR101583000B1
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020090019951
申请日：2009-03-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01R31/2887
Abstract: 본발명은반도체디바이스테스트장치및 방법을개시한것으로서, 테스터헤드의내부에제공된수평유지유닛이프로브카드에수직한상하방향으로하중을가하여프로브카드를수평상태로유지시키는것을특징으로가진다. 이러한특징에의하면, 프로브카드의탐침자들이반도체디바이스의패드들에콘택되는위치가패드내의중앙영역에일정하게유지됨으로써, 반도체디바이스테스트공정의수율손실을줄이고, 생산성을향상시킬수 있는반도체디바이스테스트장치및 방법을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090117097A
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：KR1020080042997
申请日：2008-05-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R31/2889 , G01R1/06716 , G01R1/06733
Abstract: PURPOSE: A probe card with a rewiring probe structure and a probe card module using the same are provided to test a silicon wafer according to the temperature history. CONSTITUTION: A probe card(40) with a rewiring probe structure includes a wafer(24,30) for the probe card, a penetration via electrode, and a rewiring probe structure. A plurality of penetration via electrodes(26a,32) pass through the wafer for the probe card. A rewiring probe structure(26b) of the twisted cage type is connected to the penetration via electrodes and is protruded from the one side of the wafer for the probe card.
Abstract translation: 目的：提供具有重新布线探针结构的探针卡和使用其的探针卡模块，以根据温度历史测试硅晶片。 构成：具有重新布线探针结构的探针卡（40）包括用于探针卡的晶片（24,30），穿透通孔电极和重新布线探针结构。 多个穿透通孔电极（26a，32）穿过用于探针卡的晶片。 扭转笼型的重新布线探针结构（26b）连接到穿透通孔电极，并从用于探针卡的晶片的一侧突出。
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公开(公告)号：KR100640618B1
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：KR1020040109285
申请日：2004-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C29/00
Abstract: 본 발명은 노아 플래쉬 메모리 장치의 웨이퍼 번-인 테스트 방법에 대하여 개시된다. 노아 플래쉬 메모리 장치의 웨이퍼 번-인 테스트 방법은 제1 내지 제8 단계를 포함한다. 제1 단계는 패턴 파일 내에서 섹터 어드레스의 시작 위치를 지정하고, 제2 단계는 메인 프로그램 내에서 섹터 어드레스 수를 지정하고 패턴 파일을 호출하고, 제3 단계는 해당 섹터 어드레스에서 마스터 펄스를 발생하고, 제4 단계는 섹터 어드레스에 대응되는 메모리 소자로 패턴을 인가하고, 제5 단계는 섹터 어드레스 수를 1 증가시키고, 제6 단계는 증가된 섹터 어드레스와 지정된 섹터 어드레스 수를 비교하고, 제7 단계는 제6 단계에서 증가된 섹터 어드레스가 지정된 섹터 어드레스 보다 작으면 제3 단계 내지 제6 단계를 순차적으로 수행하고, 제8 단계는 제6 단계에서 증가된 섹터 어드레스가 지정된 섹터 어드레스 보다 크면 웨이퍼 번-인 테스트를 종료한다.
웨이퍼 번-인 테스트 방법, 노아 플래쉬 메모리 장치, 섹터 어드레스 수-
公开(公告)号：KR1020060082497A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：KR1020050002873
申请日：2005-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/07364 , G01R1/0491
Abstract: 본 발명은 멀티칩 테스트용 프로브 카드에 관한 것이다. 본 발명은 웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체 칩들 중 일부를 동시에 테스트하기 위한 프로브 카드에 있어서, 기판과, 상기 기판 상에 배열되며 전체적인 모양이 상기 웨이퍼에 형성된 반도체 칩들의 전체적인 모양과 유사하도록 배열된 다수개의 프로브 블록들, 및 상기 프로브 블록들 내에 설치되며 상기 반도체 칩들에 형성된 다수개의 패드들에 대응하도록 배열된 다수개의 프로브 니들들을 구비함으로써, 웨이퍼에 대한 테스트 시간이 대폭적으로 감소된다.
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