-
公开(公告)号：KR100351092B1
公开(公告)日：2002-10-31
申请号：KR1019950002910
申请日：1995-02-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 마동준
IPC: B24B7/04
Abstract: PURPOSE: A slight change on inclination of a workpiece is detected to prevent polishing failure for accurate polishing of a minute device. CONSTITUTION: A plate(10) is provided to polish a workpiece by rotation. A main body(20) is located in a position out of the center of the rotation of the plate in parallel with the rotation shaft of the plate. A through hole is formed in the center of the body vertically. An arm is installed in upper part of the plate to support the main body. A first supporter is connected to the lower part of the main body having a through hole. A second supporter is installed in the lower part of the first supporter having a through hole corresponding to the through hole of the first supporter. A collimator(30) is attached to the lower part of the second supporter to measure inclination of the workpiece. .
-
公开(公告)号：KR1019960031059A
公开(公告)日：1996-09-17
申请号：KR1019950002910
申请日：1995-02-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 마동준
IPC: B24B7/04
Abstract: 본 발명은 단결정 소자등의 미세 소자 연마 장치에 관한 것으로서, 특히 제2고조파 발생에 단결정 소자를 연마하는데 적합한 미세 소자 연마 장치에 관한 것이다.
본 발명 미세 소자 연마 장치는, 가공 대상물 연마용 회전형 정반과 ; 정반의 회전측에 나란한 축상에서 회전가능하게 설치되며, 그 몸체 중간에 수직의 관통공이 마련된 본체와 ; 본체를 상기 연마용 정반의 상방에 위치하도록 지지하는 아암과 ; 상기 본체의 저면에 적어도 삼점 지지구조에 의해 탄력적으로 결합되는 것으로 그 몸체 중간에 상기 윈도우에 마주 대하는 관통공이 마련된 제1서포터와; 상기 제1서포터의 저부에 결합되는 것으로 상기 관통공에 대응하는 관통공을 가지며, 그 저면에 가공 대상물이 부착된 제2서포터와 : 상기 본체의 상방에 위치하여 상기 관통공을 지나 상기 윈도우를 통해 상기 제2서포터의 저면에 부차된 가공대상물의 가울기를 실시간 측정하는 시준기를 ; 구비한다. 이와 같은 본 발명 연마 장치는 가공 대상물의 기울기를 실시간 감시할 수 있기 때문에 가공 대상물의 기울어짐에 의한 가공 불량을 억제할 수 있다.-
-
公开(公告)号：KR1019940019890A
公开(公告)日：1994-09-15
申请号：KR1019930002896
申请日：1993-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C30B31/00
Abstract: 본 발명은 산화물 단결정 성장장치에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 가열코일(7)의 내측에 원료를 장입하여 용융시키는 도가니(1)를 설치하고, 상기 가열코일(7)의 하부로 애프터 히터(6)를 설치한후 그 내측에 종자결정(5)이 상단에 형성된 단결정 회전축(4)을 상하로 이동되도록 설치하며, 상기 도가니(1)의 일측 상부에 원료를 연속적으로 투입하는 원료투입장치(12)를 설치함으로서 단결정의 성장 공정을 단축시키며, 단결정의 직경 및 길이를 대구경화하고 장척화시킬 수 있도록 한 산화물 단결정 성장장치에 관한 것이다.
-
公开(公告)号：KR101678669B1
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：KR1020090000116
申请日：2009-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 단결정실리콘및 이를포함하는박막트랜지스터의제조방법이개시된다. 개시된단결정실리콘형성방법은실리콘층측부에사이드월을형성하고, 그상부에장벽층을형성한뒤, 레이저에의한열처리공정을실시함으로써, 실리콘층을측면단결정시킬수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100045717A
公开(公告)日：2010-05-04
申请号：KR1020080104791
申请日：2008-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , G11C13/0004 , H01L21/28052 , H01L21/31051 , H01L27/2409
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of resistivity memory device is provided to simplify a process by patterning a resistive variance layer and a diode using one mask. CONSTITUTION: A first electrode(100) patterned on the substrate(10) is formed. A first insulation layer(110) having a first hole(H1) exposing the first electrode on the first electrode is formed. Laminate is formed on the first insulation layer around the first hole. The second electrode crossed toward the first electrode is formed on diode. The second diode and the second resistance alteration layer are successively formed on the second electrode.
Abstract translation: 目的：提供电阻率存储器件的制造方法，以通过使用一个掩模图案化电阻变化层和二极管来简化工艺。 构成：形成图案化在基板（10）上的第一电极（100）。 形成第一绝缘层（110），其具有在第一电极上暴露第一电极的第一孔（H1）。 叠层在第一孔周围的第一绝缘层上形成。 在二极管上形成与第一电极交叉的第二电极。 第二二极管和第二电阻改变层依次形成在第二电极上。
-
公开(公告)号：KR100612866B1
公开(公告)日：2006-08-14
申请号：KR1020040087037
申请日：2004-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: 두께 변동을 가지는 박막을 증착하는 장비를 제시한다. 본 발명에 따르면, 챔버(chamber) 내에서 웨이퍼를 잡아 지지하는 웨이퍼 지지부, 웨이퍼에 활성화된 증착 소스(source)를 제공할 증착 소스 발생부, 증착 소스 발생부와 웨이퍼 사이에서 활성화된 증착 소스가 웨이퍼 상의 줄 단위 영역에만 제공되도록 유도하는 콜리메이터(collimator)부, 콜리메이터부를 통해서만 선택적으로 활성화된 증착 소스가 제공되도록 다른 부분을 차단하는 필터(filter)부, 웨이퍼를 콜리메이터부에 대해 상대적으로 수평 이동시키는 수평 이동부, 및 웨이퍼를 회전시키는 회전부를 포함하는 박막 증착 장비를 제시한다.
경사진 박막, 조성비, 콜리메이터, 필터, 라인 증착-
公开(公告)号：KR100601970B1
公开(公告)日：2006-07-18
申请号：KR1020040088216
申请日：2004-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/26
Abstract: 정보 저장 매체 제작용 몰드의 제조 방법이 개시되어 있다.
이 개시된 제조 방법은, 기판에 금속층을 적층하는 단계; 상기 금속층에 전도성 폴리머층을 적층하는 단계; 상기 전도성 폴리머층에 감광층을 적층하는 단계; 상기 감광층을 노광하고 현상하여 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 감광층에 Ni 도금을 하는 단계; 상기 전도성 폴리머층과 감광층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 방법에 의해 금속 에칭 공정 없이 몰드를 제작할 수 있어 공정이 단순화되고, 기판과 Ni 도금층 사이에 전도성 폴리머층을 구비하여 도금층에 스트레스를 주지 않고 용이하게 도금층을 기판으로부터 분리해낼 수 있다.-
公开(公告)号：KR100594266B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020040017998
申请日：2004-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/28282 , H01L21/31616 , H01L21/31645 , H01L28/56 , H01L29/513 , H01L29/792
Abstract: 소노스 타입 메모리 소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 소정의 도전성 불순물이 주입된 것으로, 소정 간격으로 이격 되어 있고, 그 사이에 채널이 형성되어 있는 제1 및 제2 불순물 영역과, 상기 제1 및 제2 불순물 영역 사이의 반도체 기판 상에 형성된 데이터 저장형 적층물을 구비한다. 상기 데이터 저장형 적층물은, 터널링 산화막, 데이터가 저장되는 메모리 노드층, 블로킹 산화막 및 전극층으로 순차적으로 형성된다. 상기 메모리 노드층의 유전상수가 상기 터널링 산화막 및 상기 블로킹 산화막의 유전상수 보다 크며, 상기 터널링 산화막 및 상기 블로킹 산화막은 고유전체 절연막이다.
-
公开(公告)号：KR1020060039146A
公开(公告)日：2006-05-08
申请号：KR1020040088216
申请日：2004-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/26
Abstract: 정보 저장 매체 제작용 몰드의 제조 방법이 개시되어 있다.
이 개시된 제조 방법은, 기판에 금속층을 적층하는 단계; 상기 금속층에 전도성 폴리머층을 적층하는 단계; 상기 전도성 폴리머층에 감광층을 적층하는 단계; 상기 감광층을 노광하고 현상하여 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 감광층에 Ni 도금을 하는 단계; 상기 전도성 폴리머층과 감광층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 방법에 의해 금속 에칭 공정 없이 몰드를 제작할 수 있어 공정이 단순화되고, 기판과 Ni 도금층 사이에 전도성 폴리머층을 구비하여 도금층에 스트레스를 주지 않고 용이하게 도금층을 기판으로부터 분리해낼 수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.019 seconds)
