公开(公告)号：KR101468595B1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：KR1020080130383

申请日：2008-12-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  이정현 ,  마동준 ,  김연희 ,  박용영 ,  이창수

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11556 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 비휘발성메모리소자및 그제조방법이제공된다. 비휘발성메모리소자는기판, 및상기기판상의복수의반도체기둥을포함한다. 복수의제어게이트전극들은상기복수의반도체기둥들을둘러싸도록상기기판상에적층되고판 형상을갖는다. 복수의더미전극들은상기복수의제어게이트전극들에인접하면서분리되게상기기판상에적층된다. 복수의비어플러그들은상기복수의제어게이트전극들에결합된다. 복수의워드라인들은상기복수의비어플러그들상에제공된다. 상기복수의비어플러그들은상기복수의제어게이트전극들가운데대응하는하나의제어게이트전극및 상기복수의더미전극들의일부들을관통한다.

Abstract translation: 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件包括衬底和在衬底上的多个半导体柱。 多个控制栅电极堆叠在衬底上以围绕多个半导体柱并具有板形状。 多个虚设电极堆叠在基板上以与多个控制栅电极相邻。 多个通孔插塞连接到多个控制栅电极。 多个字线设置在多个通孔插塞上。 多个通孔插塞穿过多个控制栅极电极中的对应的一个和多个虚拟电极的一部分。

公开(公告)号：KR101001743B1

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：KR1020030081098

申请日：2003-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 톨마체프유리 ,  마동준 ,  나발라세르기야고블레비키 ,  김대일

IPC: H01L21/203

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C14/358 ,  H01J37/3408

Abstract: 헬리컬 자기-공진 코일을 이용한 이온화 물리적 기상 증착 장치가 개시된다. 개시된 이온화 물리적 기상 증착 장치는, 처리 기판을 지지하는 기판 홀더를 가진 공정 챔버와, 공정 챔버에 기판 홀더와 대향하도록 설치되어 처리 기판상에 증착될 물질을 제공하는 증착 물질 소스와, 공정 챔버 내부에 공정 가스를 주입하기 위한 가스 주입 유닛과, 기판 홀더에 바이어스 전위를 인가하기 위한 바이어스 전원과, 공정 챔버 내부에 증착 물질을 이온화시키기 위한 플라즈마를 발생시키는 것으로 일단은 접지되고 타단은 전기적으로 개방된 헬리컬 자기-공진 코일과, 헬리컬 자기-공진 코일에 RF 전력을 공급하기 위한 RF 제너레이터를 구비한다. 이와 같은 구성에 의하면, 헬리컬 자기-공진 코일에 의해 매우 낮은 압력하, 예컨대 대략 0.1mTorr에서도 플라즈마의 점화 및 유지가 가능하며, 종래에 비해 고밀도의 플라즈마를 높은 효율로 발생시킬 수 있으므로, 증착 물질의 이온화율이 높아지게 된다.

公开(公告)号：KR1020100111447A

公开(公告)日：2010-10-15

申请号：KR1020090029882

申请日：2009-04-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  마동준 ,  이정현

IPC: C01B31/04 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H05B3/145 ,  H05B2214/04 ,  C01B32/184 ,  B82B3/0061 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing graphene is provided to improve the quality of the grapheme by performing an annealing process with respect to carbon nano-tubes or fullerenes arranged on a substrate. CONSTITUTION: An annealing process is performed with respect to carbon nano-tubes or fullerenes(31) by a laser or rapid temperature annealing process. If a contact area(33) of the carbon nano tubes or the fullerenes, and a substrate(30) is melted, the substrate reacts with the lower parts of carbon nano-tubes or the fullerenes. The upper parts of the carbon nano-tubes or the fullerenes which are not contacted with the substrate are remained as grapheme(34).

Abstract translation: 目的：提供一种制造石墨烯的方法，通过对布置在基底上的碳纳米管或富勒烯进行退火处理，提高了图形的质量。 构成：通过激光或快速退火工艺对碳纳米管或富勒烯（31）进行退火处理。 如果碳纳米管或富勒烯的接触区域（33）和基底（30）熔化，则底物与碳纳米管或富勒烯的下部反应。 不与基板接触的碳纳米管或富勒烯的上部保留为图形（34）。

公开(公告)号：KR1020100068792A

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：KR1020080127268

申请日：2008-12-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  김종민 ,  마동준 ,  이창수

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02689 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/3156 ,  H01J2237/316 ,  H01L21/02532

Abstract: PURPOSE: An apparatus for annealing electron beam and a method for annealing using the same are provided to perform an activation process without the damage of a thin film deposed on a substrate by injecting the electron beam toward the substrate with a pulse manner and subsequently injecting reaction gas. CONSTITUTION: A substrate(120) is located within a chamber(110). A thin film(121) composed of a pre-set material is deposited on the substrate. An electron beam injecting unit(130) injects electronic beam into the pre-set area of the substrate in a pulse manner. A reaction gas is supplied to the inside of the chamber. A bias application unit(140) applies a bias voltage to the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种用于退火电子束的装置和使用其的退火方法，以通过以脉冲方式向基板注入电子束，随后注入反应而进行活化处理而不会损坏沉积在基板上的薄膜 加油站。 构成：衬底（120）位于腔室（110）内。 将由预置材料构成的薄膜（121）沉积在基板上。 电子束注入单元（130）以脉冲方式将电子束注入基片的预置区域。 反应气体被供应到室的内部。 偏置施加单元（140）向基板施加偏置电压。

公开(公告)号：KR100964398B1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020030000380

申请日：2003-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태완 ,  톨마체프유리 ,  마동준

IPC: H05H1/26

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: 유도결합 플라즈마 처리장치의 반응챔버 상부에 설치되어 RF 전원에 연결되며, 반응챔버 내부로 주입된 반응가스를 이온화하여 플라즈마를 생성시키기 위한 전기장을 유도하는 유도결합형 안테나와 이를 채용한 플라즈마 처리장치가 개시된다. 개시된 유도결합형 안테나는 복수의 턴으로 감겨진 코일로 이루어지며, 최외곽의 턴에 흐르는 전류는 최외곽 턴의 안쪽에 배치된 중심 영역의 턴들에 흐르는 전류보다 높도록 구성된다. 이를 위해, 최외곽 턴과 중심 영역의 턴들은 RF 전원에 병렬로 연결되며, 중심 영역의 턴들은 서로 직렬로 연결될 수 있다. 그리고, 상기 안테나는, 냉각수 통로를 가진 전도성 금속 튜브와, 금속 튜브의 하부에 전기적 및 열적으로 접촉된 전도성 금속 스트립을 구비한다. 이와 같은 구성에 의하면, 플라즈마의 균일도가 향상되며, 용량결합과 RF 파우어 손실 및 기판의 손상을 줄일 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020040043049A

公开(公告)日：2004-05-22

申请号：KR1020020071047

申请日：2002-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태완 ,  톨마체프유리 ,  마동준 ,  나발라세르기야고블레비키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4558

Abstract: PURPOSE: A gas injection apparatus of a semiconductor processing system is provided to uniformly distribute reaction gas to a reaction chamber by using a plurality of manifolds arrayed for having the same length for each gas path from a gas inlet port to a plurality of nozzles. CONSTITUTION: A gas injection apparatus of a semiconductor processing system is provided with an injector(140) installed on the inner wall of a reaction chamber for uniformly flowing reaction gas to the reaction chamber through a plurality of nozzles(130), and a gas inlet port(110) installed through the wall of the reaction chamber. The gas injection apparatus further includes a plurality of manifolds(120) between the reaction chamber wall and the injector for supplying the reaction gas to the plurality of nozzle. At this time, each manifold includes a plurality of gas channels(121,122,123,124).

Abstract translation: 目的：提供一种半导体处理系统的气体注入装置，用于通过使用多个歧管将反应气体均匀地分配到反应室，所述多个歧管排列成从气体入口到多个喷嘴的每个气体通道具有相同的长度。 构成：半导体处理系统的气体注入装置设置有安装在反应室的内壁上的喷射器（140），用于通过多个喷嘴（130）使反应气体均匀地流动到反应室，并且气体入口 端口（110）通过反应室的壁安装。 气体注入装置还包括在反应室壁和喷射器之间的多个歧管（120），用于将反应气体供应到多个喷嘴。 此时，每个歧管包括多个气体通道（121,122,123,124）。

公开(公告)号：KR200135637Y1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR2019930014703

申请日：1993-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 마동준

IPC: B24B37/00 ,  B24B41/06

Abstract: 본 고안은 단결정 조면연마 가공장치에 관한 것이며, 구체적으로는 지지대(5)에 고정된 마운팅 플레이트(4)에 단결정의 가공물(6)을 설치하고, 연마재(7)를 갖춘 래핑패드(3)를 상부에 장착한 조면연마 가공정반(9)의 하부에 지지대(2)를 갖추고 있되, 상기 조면연마 가공정반(9)이 볼록한 원호형으로 형성됨을 특징으로 하여, 종래 조면연마 가공장치에 용이하게 적용가능함과 동시에 장비교체에 따른 경제적 손실을 대폭 감소시킨 고안이며, 본래의 목적하는 표면의 평면도 λ/10를 단시간에 걸쳐 얻을 수 있어서, 제품의 수율향상과 아울러 경제성을 대폭 향상시키는 매우 효과적인 고안이다.

公开(公告)号：KR100161493B1

公开(公告)日：1998-12-15

申请号：KR1019960014480

申请日：1996-05-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 마동준

IPC: B24B7/24

Abstract: 본 발명에 따르면, 가공 대상물을 상부에 배치시킨 상태에서 회전 가능한 정반(51), 중심에 통공(26)이 형성되며 저부에 요부(27)가 형성된 원통형 본체 부재(21), 상기 본체 부재(21)의 요부(27)에 부착되며 상기 통공(26)과 상호 연통 가능한 통공을 지니는 수평 조절판 지지부재(23), 상기 수평 조절판 지지부재(23)의 하부에 조절 가능하게 부착되며 상기 통공(26)과 상호 연통 가능한 통공을 지니는 수평 조절 부재(24), 상기 수평 조절판 지지 부재(23)와 상기 수평 조절 부재(24) 사이의 거리를 조절할 수 있게 하는 조절 수단, 상기 원통형 본체 부재(21)를 상기 정반(51)위에 회전 가능하게 유지시키는 아암 부재(52) 및, 상기 원통형 본체 부재(21)의 상부에 설치된 자동 시준기(22)를 구비한 광학 결정 연마 장치가 제공된다. 본 발명에 따른 광학 결정 연마 장치는 경면 가공시에 결정의 평면을 정밀 가공할 수 있다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1019970073868A

公开(公告)日：1997-12-10

申请号：KR1019960014480

申请日：1996-05-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 마동준

IPC: B24B7/24

Abstract: 본 발명에 따르면, 가공 대상물을 상부에 배치시킨 상태에서 회전 가능한 정반(51), 중심에 통공(26)이 형성되며 저부에 요부(27)가 형성된 원통형 본체 부재(21), 상기 본체 부재(21)의 요부(27)에 부착되며 상기 통공(26)과 상호 연통 가능한 통공을 지니는 수평 조절판 지지부재(23), 상기 수평조절판 지지부재(23)의 하부에 조절 가능하게 부착되며 상기 통공(26)과 상호 연통 가능한 통공을 지니는 수평 조절 부재(24), 상기 수평 조절판 지지부재(23)와 상기 수평 조절 부재(24) 사이의 거리를 조절할 수 있게 하는 조절 수단, 상기 원통형 본체 부재(21)를 상기 정반(51)위에 회전 가능하게 유지시키는 아암 부재(52) 및, 상기 원통형 본체 부재(21)의 상부에 설치된 자동 시준기(22)를 구비한 광학 결정 연마 장치가 제공된다, 본 발명에 따른 광학 결정 연마 장치는 경면 공 시에 결정의 평면을 정밀 가공할 수 있다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1019970024848A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950035663

申请日：1995-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 마동준

IPC: H04N5/72

Abstract: 본 발명은 음향광학 동조필터(AOTF, Acousto-Optic Tunable Filter)에 관한 것으로서, 음향 탄성파와 광파사이의 비공선 브래그(noncollinear Bragg) 회절을 이용한 음향광학 동조필터(Acousto-Optic Tunable Filter)에 있어서, 상기 광파의 파장에 따른 편향각의 차이는, 상기 광파의 입사 평면과 출사 평면 사이의 각도에 의하여 조정된 것을 그 특징으로 하여, 광 파장에 따른 편향각 차이를 줄일 수 있음에 따라, 고선명 칼라 디스플레이 시스템(High definition color display system)에 적용될 수 있다.