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公开(公告)号：KR101741506B1
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020100102105
申请日：2010-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , C23C16/34 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/45525
Abstract: 소자의단차피복성을향상시키고누설전류를억제하여전기적특성을향상시킬수 있는금속박막형성방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른금속박막형성방법은, 염소를포함하는금속전구체를공급하는단계, 퍼지가스를주입하여상기금속전구체공급후의부산물을제거하는단계, 반응물을공급하여상기금속전구체와반응시켜금속박막층을형성하는단계, 및퍼지가스를주입하여상기반응후의부산물을제거하는단계를포함하고, 상기금속전구체를공급하는단계전에, 반응물을공급하여피처리물에흡착시키는단계를더 포함한다.
Abstract translation: 提供了一种金属薄膜形成方法，其能够改善元件的阶梯覆盖并且抑制漏电流从而改善电特性。 根据本发明的一个实施例的金属薄膜形成方法中，供给的含氯前体，其包括以下步骤：净化气体注入到由供给反应前体和反应中除去副产物的金属前驱体供给后，金属 还包括包括注射步骤的步骤，和吹扫气体的步骤，以形成金属薄膜层以除去副产物的反应之后，待处理之前供应前体，通过将吸附在受试者中的反应产物的步骤 。
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公开(公告)号：KR1020170046404A
公开(公告)日：2017-05-02
申请号：KR1020150146694
申请日：2015-10-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의다양한실시예는영상촬영장치및 방법에관한것으로, 상기영상촬영장치는, 다수의픽셀들이배열된이미지센서; 상기이미지센서를구동하여프레임을리드아웃하는드라이버; 및상기프레임을이미지처리하는디지털이미지프로세서를포함하되, 상기드라이버는, 상기디지털이미지프로세서와기능적으로연동하여, 상기이미지센서의열 단위의리드아웃순서를변경할수 있다. 또한, 본발명의다양한실시예는상술한실시예와다른실시예들도포함한다.
Abstract translation: 本发明的各种实施例涉及一种图像拍摄设备和方法，其中该图像拍摄设备包括：图像传感器，其中排列多个像素; 驱动图像传感器导出帧的驱动程序; 以及用于对该帧进行图像处理的数字图像处理器，其中该驱动器可操作地与数字图像处理器相关联，以按列单位改变图像传感器的读出顺序。 另外，本发明的各种实施例包括除了上述那些之外的实施例。
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公开(公告)号：KR101583717B1
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：KR1020090002756
申请日：2009-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/146
Abstract: 본발명은저항메모리장치및 그제조방법에관한것으로, 기판상에복수개의국부비트라인이수직적층된비트라인스택을형성하고, 상기비트라인스택의측면으로수직연장된복수개의국부워드라인과상기복수개의국부워드라인을연결하는수평연장된연결라인을포함하는워드라인을형성하고, 그리고상기비트라인스택과상기워드라인사이에저항메모리박막을형성하는것을포함할수 있다. 본발명에의하면단순화된공정으로써 3차원교차점구조를갖는고밀도의메모리어레이를구현할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130105238A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120080195
申请日：2012-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device is provided to obtain the high degree of integration by forming a deposition layer on a semiconductor substrate. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is loaded into a process chamber. A deposition layer is formed on the semiconductor substrate. The semiconductor substrate is unloaded from the process chamber. A preliminary unit layer is formed on the semiconductor substrate (S110). The process chamber is firstly purged (S115). [Reference numerals] (AA) 1 cycle; (BB) Has the desired thickness of a film been reached ?; (S10) Film forming on a semiconductor substrate; (S110) Preliminary unit layer is formed on a semiconductor substrate by supplying a first process material including a film-controlling material and an electrode material to a process chamber; (S115,S125) Process chamber is firstly purged; (S120) Preliminary unit layer is formed into a unit layer by supplying a second process material to the process chamber
Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，通过在半导体衬底上形成沉积层来获得高集成度。 构成：将半导体衬底装载到处理室中。 在半导体衬底上形成沉积层。 半导体衬底从处理室卸载。 在半导体基板上形成预备单位层（S110）。 首先清洗处理室（S115）。 （附图标记）（AA）1循环; （BB）是否已达到所需的胶片厚度？ （S10）半导体基板上的成膜; （S110）通过向处理室供给包括膜控制材料和电极材料的第一处理材料，在半导体基板上形成初步单元层; （S115，S125）首先清洗处理室; （S120）通过向处理室供给第二处理材料，将初级单元层形成为单位层
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020120040599A
公开(公告)日：2012-04-27
申请号：KR1020100102105
申请日：2010-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , C23C16/34 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/45525 , H01L21/02697
Abstract: PURPOSE: A method for forming a thin metal film is provided to remove a leakage current of a semiconductor device by preventing a dielectric layer from being etched due to metal chloride. CONSTITUTION: A reactant is adsorbed to a processed object(S110). A metal precursor including chlorine is provided(S10). A by-product, after the metal precursor is supplied, is removed by injecting a purge gas(S20). A metal thin film layer is formed by supplying the reactant and reacting the reactant with the metal precursor(S30). The by-product after the reaction is removed by injecting the purge gas(S40).
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成薄金属膜的方法，以通过防止由金属氯化物侵蚀电介质层来消除半导体器件的漏电流。 构成：反应物被吸附到被处理物体上（S110）。 提供包含氯的金属前体（S10）。 在供给金属前体之后，通过注入吹扫气体除去副产物（S20）。 通过供给反应物并使反应物与金属前体反应形成金属薄膜层（S30）。 通过注入吹扫气体除去反应后的副产物（S40）。
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公开(公告)号：KR1020110099540A
公开(公告)日：2011-09-08
申请号：KR1020100018625
申请日：2010-03-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01H13/705 , H01H13/88 , G06F1/20
CPC classification number: H01H13/705 , G06F1/203 , H01H13/88
Abstract: 하나의 층으로 접촉 및 압력을 동시에 감지할 수 있는 키패드(keypad)를 개시한다.
키패드(keypad)는 사용자의 키 누름에 대응하여 탄성 변형하는 돔 시트(dorm sheet)와 돔 시트(dorm sheet)와 결합하여 돔 시트(dorm sheet)를 지지하는 제 1 패드와 돔 시트(dorm sheet)의 탄성 변형으로 돔 시트(dorm sheet)와 접촉하게 되는 제 2 패드와 그 상부에 제 1 패드 및 제 2 패드가 형성되는 인쇄회로기판을 포함하고, 인쇄회로기판은 사용자에 의해 가해지는 압력에 따라 변형하는 미세 패턴을 포함할 수 있다.-
40.发明授权
公开(公告)号：KR100935035B1
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080001266
申请日：2008-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W72/005
Abstract: 본 발명은 광대역 무선 접속 시스템에서 단말의 멀티캐스트 및 브로드캐스트 서비스(MultiCast and BroadCast Service : 이하 'MCBCS'라 칭함) 채널 신청과 삭제 및 변경을 위한 장치 및 방법에 관한 것으로서, 특정 채널에 대한 신청이 요청될 시, 상기 채널의 신청을 위한 채널 선택 요청 메시지를 MCBCS 서버로 전송하는 과정과, 기지국 제어기로부터 상기 채널에 대한 MAC(Media Access Control) 계층 네임 태그(MAC layer name tag)를 포함하는 동적 서비스 추가(Dynamic Service Addition : DSA) 요청 메시지가 수신되는지 여부를 검사하고, 상기 DSA 요청 메시지가 수신될 시, 상기 기지국 제어기로 DSA 응답 메시지를 전송하는 과정과, 상기 MCBCS 서버로부터 상기 채널 신청의 성공 여부에 대한 정보를 포함하는 채널 선택 응답 메시지를 수신하는 과정을 포함하여, 전체 전송 지연을 줄이고 프로세싱 처리용량을 효율적으로 활용할 수 있는 이점이 있다.
MCBCS, MBS, 채널 신청, 채널 삭제, 채널 변경
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