公开(公告)号：KR101607263B1

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：KR1020090009875

申请日：2009-02-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김윤수 ,  최재형 ,  조규호 ,  김완돈 ,  임재순 ,  강상열

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/318 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: 본발명의반도체소자는반도체기판의상부에순차적으로형성된하부금속층, 유전층및 상부금속층을포함한다. 하부금속층과유전층사이의제1 부분, 유전층과상부금속층사이의제2 부분, 또는제1 및제2 부분모두에형성된삽입층을포함한다. 유전층은금속산화막으로이루어지고, 삽입층은금속물질막으로이루어진다. 삽입층을구성하는금속물질막의금속은상기유전층을구성하는금속산화막의금속과동일할수 있다.

公开(公告)号：KR101576033B1

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：KR1020090076213

申请日：2009-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조윤정 ,  김윤수 ,  조규호 ,  이정호 ,  최재형 ,  류승민

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L28/60

Abstract: 반도체장치의제조에이용될수 있는박막형성용전구체조성물, 박막형성방법, 게이트구조물제조방법및 커패시터의제조방법에서, 박막형성방법은전구체와전자공여화합물을접촉시켜안정화된전구체를기판상에제공한후, 전구체와결합을형성할수 있는반응물질을기판상에도입하여박막을형성한다. 전자공여화합물에의해안정화된전구체는열적안정성이우수하여스텝커버리지가우수한박막을형성할수 있다. 반도체제조공정의안정성, 효율성및 신뢰성을향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR101534678B1

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：KR1020090011506

申请日：2009-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최석헌 ,  홍창기 ,  최재형 ,  손윤호 ,  박민영 ,  탁용석

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76883

Abstract: 콘택홀에텅스텐을증착할때 텅스텐의그레인이 3방향에서진행되기때문에, 삼중점에서씸(Seam) 기타국부단차가발생한다. 콘택플러그에씸이존재하면, 텅스텐이열화되고수율이감소한다. 국부단차를개선하기위하여, 텅스텐이산소분위기에서고온으로가열되면부피가 2∼3배로팽창되는특성을이용한다. 텅스텐콘택플러그를고온의산소분위기에서히팅(Heating) 혹은플라즈마(Plasma) 방식으로급속열처리(RTA)하고, 층간절연막의표면위로부피팽창된텅스텐을버핑 CMP 공정을통하여제거한다. 또한, 텅스텐의산화공정에서콘택저항이증가되는점을개선하기위하여, 급속열산화(RTO) 및버핑연마처리된텅스텐콘택플러그를수소가스분위기에서급속열환원(RTH)시키며, 환원반응에의하여텅스텐옥사이드(WO)는순수텅스텐(W)으로전환된다.

公开(公告)号：KR1020130067136A

公开(公告)日：2013-06-21

申请号：KR1020110134000

申请日：2011-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재형 ,  박기연 ,  김준 ,  유차영 ,  김윤수 ,  권호준 ,  강상열

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L28/92

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a semiconductor device is provided to improve the degree of integration by preventing the deformation of a lower electrode. CONSTITUTION: A semiconductor substrate with a support layer(500) is prepared. A mold layer(400) is arranged on the support layer. A plurality of holes pass through the mold layer and the support layer. A plurality of lower electrodes(600) are formed in the plurality of holes. A dielectric layer and an upper electrode layer are sequentially formed on the plurality of lower electrodes.

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，以通过防止下电极的变形来提高集成度。 构成：制备具有支撑层（500）的半导体衬底。 模具层（400）布置在支撑层上。 多个孔穿过模具层和支撑层。 多个下电极（600）形成在多个孔中。 电介质层和上电极层依次形成在多个下电极上。

公开(公告)号：KR1020110044489A

公开(公告)日：2011-04-29

申请号：KR1020090101193

申请日：2009-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정숙진 ,  최재형 ,  김윤수 ,  임재순 ,  강상열

IPC: H01L21/31 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L28/40

Abstract: PURPOSE: A semiconductor structure with a dielectric layer, capacitor using the same, and method for forming a semiconductor structure are provided to crystallize a dielectric layer by a low temperature heat process, thereby increasing a dielectric constant and reducing leaked currents. CONSTITUTION: A first crystallization seed layer(110) is formed on a lower conductive layer(100). A dielectric layer(120) is formed on the first crystallization seed layer. A second crystallization seed layer(130) is formed on the dielectric layer. An upper conductive layer(140) is formed on the second crystallization seed layer. The upper conductive layer is formed by the same material as the lower conductive layer.

Abstract translation: 目的：提供具有电介质层的半导体结构，使用该半导体结构的电容器和用于形成半导体结构的方法，以通过低温热处理使介电层结晶化，由此增加介电常数并减少漏电流。 构成：在下导电层（100）上形成第一结晶种子层（110）。 在第一结晶种子层上形成电介质层（120）。 在介电层上形成第二结晶种子层（130）。 在第二结晶种子层上形成上导电层（140）。 上导电层由与下导电层相同的材料形成。

公开(公告)号：KR1020100090534A

公开(公告)日：2010-08-16

申请号：KR1020090009875

申请日：2009-02-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김윤수 ,  최재형 ,  조규호 ,  김완돈 ,  임재순 ,  강상열

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/318 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to reduce a current leakage by forming an insertion layer between a dielectric layer and an upper metal layer. CONSTITUTION: A lower metal layer(14), a dielectric layer(18), and an upper metal layer are successively formed on the upper side of a semiconductor substrate. Insertion layers(16a) are formed in a first part between the lower metal layer and the dielectric layer, a second part between the dielectric layer and the upper metal layer, or both of the first part and the second part. The dielectric layer is composed of a metal oxide film. The insertion layers are composed of a metal material film.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，通过在电介质层和上金属层之间形成插入层来减少电流泄漏。 构成：在半导体衬底的上侧依次形成下金属层（14），电介质层（18）和上金属层。 插入层（16a）形成在下金属层和电介质层之间的第一部分，介电层和上金属层之间的第二部分，或第一部分和第二部分两者之间。 电介质层由金属氧化物膜构成。 插入层由金属材料膜构成。

公开(公告)号：KR1020100022441A

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：KR1020090076213

申请日：2009-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조윤정 ,  김윤수 ,  조규호 ,  이정호 ,  최재형 ,  류승민

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L28/60

Abstract: PURPOSE: A precursor composition, a method of forming a layer, a method of manufacturing a gate structure and a method of manufacturing a capacitor are provided to form an excellent step coverage by using a precursor having improved thermal stability. CONSTITUTION: A stabilized precursor is provided on a substrate through a thin film forming method(S120). The precursor and an covalent bond compound are contacted with each other. The precursor comprises a core metal and a ligand. The Ligand is combined with a core metal. A reactant is provided on the substrate(S130). The reactant is combined with the core metal of the precursor.

Abstract translation: 目的：提供前体组合物，形成层的方法，制造栅极结构的方法和制造电容器的方法，通过使用具有改善的热稳定性的前体形成优异的台阶覆盖。 构成：通过薄膜形成方法在基板上提供稳定的前体（S120）。 前体和共价键化合物彼此接触。 前体包含核心金属和配体。 配体与核心金属相结合。 在基板上设置反应物（S130）。 反应物与前体的核心金属组合。

公开(公告)号：KR1020090053312A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：KR1020070120107

申请日：2007-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재형 ,  탁용석 ,  김영선 ,  조규호 ,  백은경 ,  김완돈 ,  임재순

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14621

Abstract: 컬러 필터 형성 방법 및 이를 이용한 이미지 센서 제조 방법에서, 상기 컬러 필터를 형성하기 위하여, 기판 상에 복수의 금속 산화막들 및 상기 금속 산화막들 사이에 개재되는 복수의 실리콘 산화막들이 적층된 예비 컬러 필터층을 형성한다. 상기 금속 산화막들과 상기 실리콘 산화막들 간의 굴절률 차이가 증가되도록 상기 예비 컬러 필터층을 열처리시켜 컬러 필터층을 형성한다. 상기 열처리를 통해 금속 산화막과 실리콘 산화막 간의 굴절률이 증가함으로써 높은 투과율을 갖고 혼색 및 감도가 개선된 컬러 필터를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090051634A

公开(公告)日：2009-05-22

申请号：KR1020070118115

申请日：2007-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김완돈 ,  최재형 ,  조규호 ,  정정희 ,  김진용 ,  탁용석

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/20 ,  H01L28/56 ,  H01L28/91

Abstract: 향상된 전기적 특성을 갖는 캐패시터 및 그 제조 방법이 개시된다. 캐패시터는 콘택 영역을 갖는 기판 상에 형성된 하부 전극, 하부 전극 상에 형성된 유전체 구조물 및 유전체 구조물 상에 형성된 상부 전극을 포함한다. 유전체 구조물은 적어도 2개의 유전막 패턴들과 유전막 패턴들 사이에 개재되는 적어도 하나의 버퍼 유전막 패턴을 포함한다. 2 이상의 유전막 패턴들 사이에 개재된 버퍼 유전막 패턴을 구비하는 유전체 구조물을 통해 캐패시터의 유전율을 개선하면서 누설 전류를 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080079514A

公开(公告)日：2008-09-01

申请号：KR1020070019815

申请日：2007-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광희 ,  조규호 ,  김윤수 ,  김기철 ,  최재형 ,  임재순

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to improve the efficiency of a process by using a source containing Sr(C5(CH3)5)2 when forming a conductive oxide layer of a Perovskite structure. A substrate(10) is prepared. A first source containing Sr(C5(CH3)5)2, a second source containing Ru, and reactive gas are supplied to the substrate to form a conductive oxide layer(45) of a Perovskite structure on the substrate. The second source is one selected from Ru(tmhd)3, Ru(mhd)3, Ru(od)3, Ru(cp)2, Ru(Mecp)2, and Ru(Etcp)2. The conductive oxide layer is SrRuO3. The reactive gas is O3, O2, or H2O. The supplying of the first source, the second source, and the reactive gas is performed by an ALD(Atomic Layer Deposition) method. Alternatively, the supplying of the first source, the second source, and the reactive gas is performed by a CVD(Chemical Vapor Deposition) method.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法，以在形成钙钛矿结构的导电氧化物层时，通过使用含有Sr（C5（CH3）5）2的源来提高工艺的效率。 制备基材（10）。 将含有Sr（C5（CH3）5）2，含有Ru的第二源和反应性气体的第一源供给到基板，以在基板上形成钙钛矿结构的导电氧化物层（45）。 第二来源是选自Ru（tmhd）3，Ru（mhd）3，Ru（od）3，Ru（cp）2，Ru（Mecp）2和Ru（Etcp）2。 导电氧化物层是SrRuO3。 反应气体为O3，O2或H2O。 第一源，第二源和反应气体的供应通过ALD（原子层沉积）方法进行。 或者，通过CVD（化学气相沉积）方法进行第一源，第二源和反应气体的供给。