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公开(公告)号：KR1020090129626A
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：KR1020080055643
申请日：2008-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A memory-based storage device capable of enhancing reliability and a block management method thereof are provided to manage memory blocks of a flash memory based on a read history of the flash memory. CONSTITUTION: A memory controller fetchs a read history from a read history control table of a buffer memory(S300). The memory controller determines whether a refreshed memory block is found based the read history(S310). It is determined whether an error of the memory block is a physical defect or a defect caused from stress based on the read history of the flash memory(S320). The memory block is managed by processing the memory block into a bad block or using the memory block for a restricted purpose depending on a determination result(S330).
Abstract translation: 目的：提供一种能够提高可靠性的基于存储器的存储装置及其块管理方法，用于基于闪速存储器的读取历史管理闪速存储器的存储块。 构成：存储器控制器从缓冲存储器的读取历史控制表中获取读取历史记录（S300）。 存储器控制器基于读取历史确定是否找到刷新的存储器块（S310）。 基于闪存的读取历史，确定存储器块的错误是物理缺陷还是由应力引起的缺陷（S320）。 存储块通过根据确定结果将存储块处理成坏块或者使用存储块进行受限目的来管理（S330）。
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公开(公告)号：KR1020090002839A
公开(公告)日：2009-01-09
申请号：KR1020070067129
申请日：2007-07-04
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G06F2212/7206
Abstract: An index scheme of a flash memory for modifying, inserting or deleting a leaf node is provided to reduce a access time about the flash memory and to lengthen the lifetime of the flash memory by minimizing the number of filled in. Index nodes related to a leaf node and the leaf node are filled in the same page which is identical in mu-tree(e). The index nodes(C, A) which are the parent nodes of the leaf nodes and leaf node(F) is stored in the page(P1). The leaf node(E) and the index nodes(B, A) are stored in the page(P2). The leaf node(D) and index nodes(B, A) are stored in the page(P3). If the leaf node(E) and index nodes(B, A) are stored in the page(P2), the index node(A) becomes invalid since the index node(A) designates the page in which the index nodes(B, C) are stored.
Abstract translation: 提供了用于修改，插入或删除叶节点的闪存的索引方案，以减少对闪存的访问时间，并通过最小化填充数来延长闪存的寿命。与叶相关的索引节点 节点和叶节点填充在与mu树（e）中相同的页面中。 作为叶节点和叶节点（F）的父节点的索引节点（C，A）存储在页面（P1）中。 叶节点（E）和索引节点（B，A）存储在页面（P2）中。 叶节点（D）和索引节点（B，A）存储在页面（P3）中。 如果叶节点（E）和索引节点（B，A）存储在页面（P2）中，索引节点（A）变得无效，因为索引节点（A）指定索引节点（B， C）被存储。
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公开(公告)号：KR1020080075608A
公开(公告)日：2008-08-19
申请号：KR1020070014716
申请日：2007-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0866 , G06F12/0246 , G06F2212/222 , G06F2212/7201 , G06F2212/7203
Abstract: A method for minimizing or decreasing a memory map table search time and a semiconductor memory device are provided to reduce a memory map table search time when a semiconductor memory device is used as a temporary memory of a large-capacity storage device to improve read performance. A memory map table search method in a semiconductor memory device having a volatile memory region and a non-volatile memory region includes a step of preparing a map RAM(Random Access Memory)(200), which stores map table data with respect to the non-volatile memory region, in the volatile memory region, a step of checking whether a logical address corresponding to a search target exists while loading map table data existing in a map storage region in the non-volatile memory region to the map RAM, and a step of outputting a physical address corresponding to the logical address when the logical address exists.
Abstract translation: 提供了一种用于使存储器映射表搜索时间最小化或减小的方法以及半导体存储器件，以减少半导体存储器件用作大容量存储器件的临时存储器以提高读取性能时的存储器映射表搜索时间。 具有易失性存储器区域和非易失性存储器区域的半导体存储器件中的存储器映射表搜索方法包括准备映射RAM（随机存取存储器）（200）的步骤，该映射RAM存储关于非易失性存储器区域和非易失性存储器区域的映射表数据， 在易失性存储器区域中，检测存在于非易失性存储器区域中的映射存储区域中的映射表数据到地图RAM时是否存在与搜索目标相对应的逻辑地址的步骤，以及 当逻辑地址存在时，输出与逻辑地址对应的物理地址的步骤。
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公开(公告)号：KR1020070099234A
公开(公告)日：2007-10-09
申请号：KR1020060030381
申请日：2006-04-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211
Abstract: A method for operating a flash file system by a wear leveling technique capable of reducing load of an external memory is provided to perform a scanning process in a small size of external memory without degrading performance of whole system and reduce time needed for the scanning process. A plurality of logical blocks having a logical address are divided into m logical groups(710). Erasure count information of each logical group is stored to a meta block area of a flash memory by each logical group(720). If a work request for a data file is received, the erasure count information is individually loaded to the external memory by each logical group(730). The logical blocks are mapped to physical blocks to perform wear leveling based on the loaded erasure count information(740). Data included in the data file is stored to the data block according to a mapping process(750).
Abstract translation: 提供一种通过能够减少外部存储器的负载的磨损均衡技术来操作闪存文件系统的方法，以在小型外部存储器中执行扫描处理，而不降低整个系统的性能并减少扫描过程所需的时间。 具有逻辑地址的多个逻辑块被划分为m个逻辑组（710）。 每个逻辑组的擦除计数信息由每个逻辑组（720）存储到闪速存储器的元块区域。 如果接收到对数据文件的工作请求，则每个逻辑组将擦除计数信息单独地加载到外部存储器（730）。 逻辑块被映射到物理块，以基于加载的擦除次数信息来执行磨损均衡（740）。 包括在数据文件中的数据根据映射处理被存储到数据块（750）。
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公开(公告)号：KR1020060090088A
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：KR1020050011301
申请日：2005-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/06 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G06F13/1668 , G11C14/0027
Abstract: 본 발명에 따른 메모리 장치는 데이터를 저장하는 플래시 메모리와 상기 플래시 메모리의 상태 정보에 대한 메타 데이터를 저장하는 하나 이상의 FRAM을 가지며, 전원 공급이 차단된 후 다시 전원이 공급될 때 상기 FRAM에 있는 상기 메타 데이터를 읽어 상기 플래시 메모리의 동작을 복구하는 플래시 메모리 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060090080A
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：KR1020050011292
申请日：2005-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/06
CPC classification number: G06F12/0246
Abstract: 여기에 개시된 런 단위 어드레스 매핑 테이블 및 그 방법은, 논리 어드레스 및 물리 어드레스가 인접한 페이지들의 집합(연속 페이지 그룹, 또는 런(RUN)이라 칭함)을 기본 단위로 하여, 각각의 런(RUN)에 대한 초기 물리 페이지 번호와, 연속된 물리 페이지들의 개수만을 저장한다. 각각의 런(RUN)에 포함된 논리 페이지 번호들과 물리 페이지 번호들은 단순한 산술 연산을 통해 알아낼 수 있으므로, 적은 메모리 용량을 가지고도 효율적인 매핑 정보 관리를 수행할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100608592B1
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：KR1020040005020
申请日：2004-01-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G11C29/76 , G06F12/0246
Abstract: 본 발명은 플래시 메모리의 데이터 관리 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 적어도 하나 이상의 플래시 메모리를 사용하는 시스템에서 데이터 연산 방식에 따라 소정의 플래시 메모리에서 발생한 오류 블록을 처리할 수 있는 플래시 메모리의 데이터 관리 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 플래시 메모리의 데이터 관리 장치는 적어도 하나 이상의 플래시 메모리에 대한 동작을 제어하는 디바이스 드라이버와, 소정의 플래시 메모리에서 오류 블록이 발생한 경우 해당 플래시 메모리의 소정 블록으로 상기 오류 블록에 위치한 데이터를 이동시키는 제어부를 포함한다.
플래시 메모리, 멀티 채널, 인터리브Abstract translation: 本发明涉及一种快闪存储器的数据管理装置和方法，以及更具体地，使用所述的至少一个闪速存储器已发生闪速存储器能够处理差错块在一个给定的闪存存储器按照在系统中的数据处理方法 一种数据管理装置和方法。
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公开(公告)号：KR101755646B1
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020110026568
申请日：2011-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F21/567 , G06F21/78
Abstract: 본발명은안티-바이러스유닛을포함하는데이터저장장치및 그것의동작방법에관한것이다. 상기데이터저장장치는상기데이터파일을관리하기위한파일시스템또는메타데이터를직접생성하고관리하는객체기반저장장치로구성된다. 상기데이터저장장치는상기안티-바이러스유닛을통해저장된데이터파일에대한바이러스의탐지및 치료를수행한다. 상기데이터저장장치는상기바이러스탐지및 치료를수행하기위해서상기파일시스템또는상기메타데이터를참조한다. 본발명의실시예에따르면, 바이러스스캔동작시 발생될수 있는호스트장치와상기데이터저장장치사이의데이터입출력동작이감소될수 있다. 또한, 상기데이터저장장치내부에서직접바이러스스캔동작이수행되기때문에상기데이터저장장치에저장되는데이터파일에대한실시간바이러스감지가가능하다.
Abstract translation: 数据存储设备及其操作方法技术领域本发明涉及一种包括防病毒单元的数据存储设备及其操作方法。 数据存储设备包括用于直接创建和管理用于管理数据文件的文件系统或元数据的基于对象的存储设备。 数据存储设备针对通过防病毒单元存储的数据文件检测并治愈病毒。 数据存储设备是指文件系统或元数据来执行病毒检测和处理。 根据本发明的一个实施例，可以减少可在病毒扫描操作过程中产生的主机设备和数据存储设备之间的数据输入输出操作。 此外，由于在数据存储设备内执行的直接病毒扫描操作的实时病毒检测对于被存储在数据存储设备中的数据文件是可能的。
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公开(公告)号：KR1020160022007A
公开(公告)日：2016-02-29
申请号：KR1020140107477
申请日：2014-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F17/30371 , G06F17/30082 , G06F17/30106 , G06F17/30144
Abstract: 본발명의일 실시예에따르면, 비휘발성메모리기반의저장장치를제어하는컴퓨터장치가제공된다. 상기컴퓨터장치는데이터베이스파일내의데이터구조의삭제여부를나타내기위해상기데이터베이스파일내에기록되는식별자를이용하여상기데이터구조의삭제여부를감지하는파일수정감지부, 및삭제된데이터구조에상응하는정보를포함하는어드밴스드-트림커맨드를생성하여상기저장장치로전송하는커맨드생성부를포함한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种具有改进的容量和写入速度的存储装置，以及用于控制该存储装置的计算机装置。 根据本发明的实施例，提供了基于非易失性存储器来控制存储设备的计算机设备。 计算机装置包括：文件修改检测单元，用于通过使用记录在数据库文件中的标识符来检测数据结构是否被删除以表示数据结构是否在数据库文件中被删除; 以及命令生成单元，用于生成包括与删除的数据结构相对应的信息的高级修剪命令，并且将高级修剪命令发送到存储设备。
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