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公开(公告)号：KR100219573B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019970017239
申请日：1997-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/039 , G03F7/14 , C08F220/10
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 고분자 화합물 및 PAG (Photoacid Generator)로 구성되는 포토레지스트에 관한 것으로서, 본 발명의 레지스트는 193nm 영역에서 투명하며 식각 공정에 대한 내성이 우수한 뿐 아니라, 접착성이 우수하며 제조상 용이하고 제조단가가 저렴하다.
상기 식중, R
1 은 수소 또는 메틸기이고, R
2 는 탄소수 6 내지 20의 지방족 고리 탄화수소기이며, R
3 는 t-부틸기 또는 테트라히드로피라닐기이고,-
公开(公告)号：KR1019980031004A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960050491
申请日：1996-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 화학 증폭형 레지스트의 베이스 레진 및 이를 포함한 레지스트의 조성물에 대하여 개시한다. 이는 평균 분자량이 5000 내지 200000인, 하기 화학식 2로 표시되는 화학 증폭형 레지스트의 베이스 레진을 제공한다.
[화학식 2]
여기에서, R1은 수소 또는 메틸기이며, R3는 탄소수가 6 내지 20인 지방족 화합물(Aliphatic compound)이며, R2는 터어셔리부틸기(t-Butyl group) 또는 테트라하드로피라닐기(Tetrahydropyranyl group)이며, m/(m+n)의 값은 0.1 내지 0.9이다. 이로써, ArF 엑시머 레이저 파장(193nm)에서 투명도를 유지하면서도, 에칭 내성이 뛰어나 반도체 고집적 회로의 제조를 위한 리소그래피 공정을 진행할 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019970059833A
公开(公告)日：1997-08-12
申请号：KR1019960000532
申请日：1996-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/032
Abstract: 본 발명의 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 감광도가 크고 노광 전, 후의 용해도 차이가 큰 본 발명의 수지를 주성분으로 하는 화학 증폭형 레지스트는 고해상도의 패턴을 형성할 수 있다. 따라서 본 발명의 수지는 고집적의 반도체 칩을 제조하기 위한 리소그래피 공정에 이용하는데 적합하다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR2019960000789Y1
公开(公告)日：1996-01-27
申请号：KR2019920025117
申请日：1992-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/223
Abstract: 내용 없음.
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公开(公告)号：KR1019950004908B1
公开(公告)日：1995-05-15
申请号：KR1019920016548
申请日：1992-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F7/0233 , G03F7/0045
Abstract: A photoresist compsn. comprises (a) a novolak-based resin of formula (I), and (b) a polyvinylphenol-based resin of formula (II). In the formula, R11 = H or 1-6C alky1; R12 = 1-6C alkylene; and n1 and n2 = positive integers. The compsn. is used in the mfr.of semiconductors and circuits. When forming a pattern using the photoresist compsn., a 0.25 micron-sized pattern having a good profile can be obtd. The linearity between pattern sizes is maintained satisfactorily to the pattern size of 0.25 microns. This is due to the mixing of resists having different silylating reactivities which uniformly controls the silylation reaction.
Abstract translation: 光致抗蚀剂。 包括（a）式（I）的酚醛清漆型树脂和（b）式（II）的聚乙烯基苯酚基树脂。 在该式中，R 11 = H或1-6C烷基; R12 = 1-6C亚烷基; n1和n2 =正整数。 compsn。 用于半导体和电路的制造。 当使用光致抗蚀剂组合物形成图案时，可以获得具有良好外形的0.25微米尺寸图案。 图案尺寸之间的线性度令人满意地保持在0.25微米的图案尺寸上。 这是由于具有不同甲硅烷基化反应性的抗蚀剂的混合，其均匀地控制甲硅烷基化反应。
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公开(公告)号：KR1019940011204B1
公开(公告)日：1994-11-26
申请号：KR1019920002399
申请日：1992-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/26
Abstract: The fine pattern fabricating method using DUA (Deep Ultraviolet), g-line and i-line beam to form a pattern on the semiconductor wafer includes the first process forming the insolubility layer to alkali by softly baking the wafer on top of which the positive type photo resist layer is formed; the second step forming the fine patterns by exposing the beam to develop and heat treating the patterns.
Abstract translation: 使用DUA（深紫外线），g线和i线束在半导体晶片上形成图案的精细图案制造方法包括通过轻轻地烘烤晶片而形成不溶性层至碱的第一工艺，其上具有阳性型 形成光刻胶层; 第二步通过曝光光束来形成精细图案以显影和热处理图案。
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公开(公告)号：KR2019940017859U
公开(公告)日：1994-07-28
申请号：KR2019920025117
申请日：1992-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/223
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