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公开(公告)号：KR1020140026889A
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：KR1020120092614
申请日：2012-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이정혁
CPC classification number: G11C13/0033 , G11C11/1677 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/71
Abstract: A resistive memory device selectively performing a refresh and a refreshing method of the resistive memory device are disclosed. The refreshing method of the resistive memory device comprises the steps of: performing a data retention time test for a resistive memory cell array having a plurality of memory blocks; counting a number of defective memory blocks based on a result of the data retention time test; determining whether a memory chip containing the resistive memory cell array is a defective chip or a chip to perform the refresh based on the number of defective memory blocks; and performing the refresh for the defective memory blocks of the memory chip if the memory chip is the chip to perform the refresh. Thus, the resistive memory device has a high reliability. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S1) Perform a data retention time test for a resistive memory cell array having a plurality of memory blocks; (S2) Count a number of defective memory blocks based on a result of the test; (S3) Determine whether a memory chip is a defective chip or a chip to perform the refresh based on the number of defective memory blocks; (S4) Perform the refresh for the defective memory blocks of the memory chip if the memory chip is the chip to perform the refresh
Abstract translation: 公开了一种选择性地执行电阻式存储器件的刷新和刷新方法的电阻式存储器件。 电阻式存储器件的刷新方法包括以下步骤：对具有多个存储块的电阻式存储单元阵列执行数据保留时间测试; 基于数据保留时间测试的结果对多个缺陷存储器块进行计数; 确定包含所述电阻式存储单元阵列的存储芯片是否是有缺陷的芯片或芯片，以基于所述有缺陷的存储块的数量来执行刷新; 并且如果存储器芯片是芯片以执行刷新，则对存储器芯片的有缺陷的存储块进行刷新。 因此，电阻式存储器件具有高可靠性。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S1）对具有多个存储块的电阻式存储单元阵列执行数据保持时间测试; （S2）基于测试结果对多个缺陷存储器块进行计数; （S3）基于缺陷存储器块的数量确定存储器芯片是否是有缺陷的芯片或芯片来执行刷新; （S4）如果存储器芯片是芯片来执行刷新，则对存储芯片的缺陷存储块进行刷新
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公开(公告)号：KR1020140023634A
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：KR1020120089752
申请日：2012-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: D06F37/26 , D06F33/02 , D06F37/04 , D06F37/22 , D06F39/08 , D06F39/12 , D06F58/10 , D06F58/24 , Y02B40/50
Abstract: The present invention relates to a drum washing machine and a controlling method thereof. An embodiment of the present invention provides the drum washing machine including: a cabinet; a first tub which is arranged in the cabinet; a tub which includes a second tub combined with the rear side of the first tub; a drum which is arranged inside the tub in order to be able to rotate; an injection hole which is arranged in one side of the second tub and supplies condensation water to one side of the second tub which faces the rear side of the drum; and at least one flow path which is arranged in one side of inner lateral side of the second tub facing the drum and induces the flow of the condensation water for increasing a contact area between the condensation water supplied from the injection hole and the second tub. The drum washing machine of the present invention is able to prevent the performance degradation of the drum washing machine by: increasing condensation efficiency by efficiently spraying the condensation water by improving the structure of the tub; and preventing the leakage of lint by improving the structure of the tub and the structure of a dry duct.
Abstract translation: 滚筒洗衣机及其控制方法技术领域本发明涉及一种滚筒洗衣机及其控制方法。 本发明的一个实施例提供一种滚筒洗衣机，包括：机壳; 布置在机柜中的第一个浴缸; 桶，其包括与第一桶的后侧结合的第二桶; 滚筒，其设置在桶内以便能够旋转; 喷射孔，其布置在所述第二桶的一侧，并且向所述第二桶的面向所述滚筒的后侧的一侧提供冷凝水; 以及至少一个流路，其布置在面向鼓的第二桶的内侧侧的一侧中，并且引起冷凝水的流动，以增加从喷射孔和第二桶供应的冷凝水之间的接触面积。 本发明的滚筒式洗衣机能够通过以下方式来防止滚筒洗衣机的性能下降：通过改善桶的结构来有效地喷洒冷凝水来提高冷凝效率; 并且通过改善桶的结构和干管的结构来防止棉绒泄漏。
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公开(公告)号：KR1020090120209A
公开(公告)日：2009-11-24
申请号：KR1020080046134
申请日：2008-05-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C8/10 , G11C7/1006 , G11C13/0004 , G11C13/0035 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C16/3459 , G11C2013/0076
Abstract: PURPOSE: A variable resistance memory and a managing method for the same for reducing the number of memories are provided to supply the durability of memory devices by reducing the number of writing. CONSTITUTION: A variable resistance memory and a managing method for the same for reducing the number of memories are as follows. Write data are inputted in the selected memory area(S210). The selected memory area is selectively written according to the coincidence with the writing data of the selected memory area(S250). The writing data is selectively used in the selected memory area.
Abstract translation: 目的：提供一种用于减少存储器数量的可变电阻存储器及其管理方法，以通过减少写入次数来提供存储器件的耐久性。 构成：可变电阻存储器及其用于减少存储器数量的管理方法如下。 在所选择的存储区域中输入写入数据（S210）。 根据与选择的存储区域的写入数据一致地选择性地写入所选存储区域（S250）。 在所选择的存储区域中选择性地使用写入数据。
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公开(公告)号：KR1020090086816A
公开(公告)日：2009-08-14
申请号：KR1020080012292
申请日：2008-02-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/005 , G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C14/00 , G11C16/3431 , G11C29/028 , G11C2013/0078 , G11C2213/72 , G11C7/22
Abstract: A phase change memory device, a write method thereof, and a system including the same are provided to the increase of data writing speed and reduce of the power consumption by reducing a supply time of a write current. A phase change memory device(100) comprises a memory cell array(110), a control logic(150), and a reading / writing circuit(140). The memory cell array is made of a plurality of phase-change memory cells, and the control logic generates one of the first writing pulse used for data in the phase-change memory cell to write data with non-volatile, and the second writing pulse used for data in the phase-change memory cell to write data with non-volatile. The reading / writing circuit supplies one of the first writing pulse and the second writing pulse to the phase-change memory cell according to the control of the control logic.
Abstract translation: 通过减少写入电流的供给时间，提供相变存储器件及其写入方法以及包括该相位变换存储器件的系统以提高数据写入速度并降低功耗。 相变存储器件（100）包括存储单元阵列（110），控制逻辑（150）和读/写电路（140）。 存储单元阵列由多个相变存储单元构成，并且控制逻辑产生用于相变存储单元中的数据的第一写入脉冲之一以非易失性写入数据，并且第二写入脉冲 用于相变存储单元中的数据以非易失性写入数据。 读/写电路根据控制逻辑的控制将第一写入脉冲和第二写脉冲之一提供给相变存储单元。
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公开(公告)号：KR1020000024860A
公开(公告)日：2000-05-06
申请号：KR1019980041624
申请日：1998-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이정혁
IPC: G01K1/08
Abstract: PURPOSE: A spike type thermocouple element for detecting temperature is provided to prevent a protection tube from damaging by using a structure for being returned automatically to an original location according to a thermal expansion of a heating furnace. CONSTITUTION: A spike type thermocouple element for detecting temperature comprises an element line(220), a protection tube(240), a core(260), a terminal case(300), two terminals(P1,P2), and an elastic member(380). The element line is formed with metals of two kinds. The protection tube maintain a formation of the element line. The core is combined to an outer circumference of the protection tube. The terminal case comprises a hole for inserting the protection tube and the core. The terminals are installed at a predetermined location of the terminal case to be connected to the element line. The elastic member supports the core.
Abstract translation: 目的：提供用于检测温度的尖头型热电偶元件，以通过使用根据加热炉的热膨胀自动返回到原始位置的结构来防止保护管损坏。 构成：用于检测温度的尖头型热电偶元件包括元件线（220），保护管（240），芯部（260），端子壳体（300），两个端子（P1，P2）和弹性部件 （380）。 元素线由两种金属形成。 保护管保持元件线的形成。 该芯结合到保护管的外周。 端子壳体包括用于插入保护管和芯的孔。 端子安装在要连接到元件线的端子壳体的预定位置处。 弹性构件支撑芯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100188021B1
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：KR1019960022493
申请日：1996-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이정혁
IPC: G11C11/407
Abstract: 본 발명은 다뱅크구조에서 데이터 입출력라인 로딩 축소 장치에 관한 것으로서, 특히 복수개의 뱅크 메모리를 갖고, 뱅크 정보에 응답하여 임의의 뱅크 메모리가 선택되고, 칼럼 디코더에서 출력되는 칼럼제어신호에 의해 선택된 비트라인에 실린 데이터를 로컬 데이터 입출력라인을 통해 출력하는 메모리장치; 및 상기 로컬 데이터라인을 통해 출력되는 데이터를 뱅크정보에 응답하여 선택적으로 글로벌 데이터 입출력라인으로 출력하는 데이터 입출력라인 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 데이터 입출력라인 로딩이 축소되어 데이터 입출력라인 정·부의 미세한 전압차를 보다 큰 전압차로 향상시켜주어 센스증폭회로의 증폭속도를 더 빠르게 해 주고, 데이터 처리속도도 개선시켜 주는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100149122B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950052594
申请日：1995-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이정혁
IPC: H03B19/00
Abstract: [청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야]
본 발명은 주파수 배가 준비시간이 향상된 주파수 배가장치에 관한 기술분야 이다.
[발명이 해결하고자 하는 기술적 과제]
본 발명은 입력신호의 주기가 상이한 경우 한개의 주파수 배가장치로 항상 일정한 주파수 배가준비 시간을 제공하고, 주파수 배가가 불가능한 경우를 최소화 할 수 있는 주파수 배가장치를 제공함에 있다.
[발명의 해결방법의 요지]
본 발명은 시스템으로부터의 주기적으로 동작하는 디지탈 입력신호에 응답하여 상기 디지탈 입력신호의 주파수를 배가시키는 주파수 배가장치에 있어서, 상기 디지탈 입력신호에 응답하여 상기 디지탈 입력신호의 듀티 싸이클을 0.5로 조절하는 제1 듀티 싸이클 조절기와, 상기 디지탈 입력신호에 응답하여 상기 디지탈 입력신호의 주파수를 감지하기 위한 (N-1)개의 주파수 감지회로와, 상기 제1 듀티 싸이클 조절기에 각각 접속되어 상기 제1 듀티 싸이클 조절기의 출력신호의 라이징과 폴링의 양 에지를 감지하여 동일한 폭의 펄스를 발생시키기 위한 N개의 양 에지 감지회로와, 상기 양 에지 감지회로 각각에 접속되며 상기 주파수 감지회로에 하나씩 접속되어 상기 (N-1)개의 주파수 감지회로의 출력신호에 의해 제어되어 상기 N개의 양 에지 감지회로의 출력을 멀티플렉싱하기 위한 (N-1)개의 멀티플렉서와, 상기 주파수 감지회로에 접속되어 상기 멀티플렉서의 출력의 듀티 싸이클을 0.5로 조절하는 제2 듀티 싸이클 조절기를 구비함을 특징으로 한다.
[발명의 중요한 용도]-
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公开(公告)号：KR1019950024214A
公开(公告)日：1995-08-21
申请号：KR1019940001465
申请日：1994-01-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/407
Abstract: 본 발명은 소정의 제어 신호에 의하여 동작되는 센스앰프 및 제1센스앰프 드라이버를 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 제1센스앰프 드라이버의 제어단자에 출력이 연결되어 램포트 센싱시보다 상기 램모트의 데이타를 샘포트로 전송시키는 경우에 전류를 더 흐르도록 하여 상기 제1센스앰프 드라이버 내에 흐르는 전류를 가변 제어하기 위한 드라이버 제어회로(50G)와, 상기 드라이버 제어회로(50G)의 구동소자의 제어단자에 출력이 연결되어 상기 구동소자에 흐르는 전류를 외부 전원전압의 증감에 관계없이 일정하게 흐르도록 유지시켜 주기 위한 바이어스회로(50E)와, 상기 제1센스앰프에 인가되는 전압에 입력이 연결되고 상기 드라이버 제어회로(50G) 및 바이어스회로(50E)의 입력에 출력이 연결되어 상기 드라이버 제어회로(50G) 및 상기 바이 스회로(50E)를 구동시키기 위한 수단을 구비함을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 반도체 메모리 장치에 의하여 램(RAM)으로부터 샘(SAM)으로 또는 다른 포트로의 데이타 전송시, 비트라인를 빠르게 리커버하여 셀의 액티브 리스토어를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019950003396B1
公开(公告)日：1995-04-12
申请号：KR1019920019988
申请日：1992-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이정혁
IPC: G11C11/34
Abstract: The dual-port memory system suitable to restore the image data. This system consists of memory cells that restore the data and transmit the restored data, a column address decorder, a flash-write enable signal generator that provides the flash-write signal, gates that respond to the flash-write enable signal, transmission gates that are controlled by the gate outputs, and a circuit that selects the data sent to the transmission gates.
Abstract translation: 双端口存储系统适用于恢复图像数据。 该系统由恢复数据和传送恢复的数据的存储单元，列地址解码器，提供闪存写入信号的闪存写使能信号发生器，响应闪存使能信号的门，传输门 由栅极输出控制，以及选择发送到传输门的数据的电路。
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