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公开(公告)号：KR101411499B1
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020080046134
申请日：2008-05-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C8/10 , G11C7/1006 , G11C13/0004 , G11C13/0035 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C16/3459 , G11C2013/0076
Abstract: 본 발명에 따른 가변 저항 메모리 장치의 관리 방법은, 선택된 메모리 영역에 기입될 쓰기 데이터를 입력받는 단계; 및 상기 선택된 메모리 영역의 데이터와 상기 쓰기 데이터의 일치 여부에 따라 상기 쓰기 데이터를 상기 선택된 메모리 영역에 선택적으로 쓰는 단계를 포함하되, 상기 선택된 메모리 영역에 대한 읽기 횟수가 기준 횟수에 도달되었으면, 상기 일치 여부에 관계없이 상기 쓰기 데이터를 상기 선택된 메모리 영역에 기입한다.
상술한 관리 방법에 따르면, 상 변화 메모리 장치와 같은 가변 저항 메모리 장치에서 반복적으로 읽고 쓰는 동작에 따른 메모리 셀의 내구성 약화와 데이터 보유(Data retention) 문제를 해결할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990066733A
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019980031537
申请日：1998-08-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 본 발명은 재현성 있는 자기정렬 콘택(self-aligned contact)을 형성할 수 있는 반도체 장치의 자기정렬 콘택 형성 방법에 관한 것으로, 트랜지스터를 포함하여 반도체 기판 전면에 물질층이 형성된다. 물질층 상에 평탄한 상부 표면을 갖는 층간절연막이 형성된다. 층간절연막 상에 비활성 영역의 일부와 활성 영역이 노출되도록 'T'자 형의 오픈 영역을 갖는 마스크 패턴이 형성된다. 마스크 패턴을 사용하여 게이트 스페이서 사이의 활성 영역의 상부 표면이 노출될 때까지 층간절연막 및 물질층이 식각 된다. 오픈 영역이 도전층으로 채워진 후, 평탄화 식각 공정으로 게이트 마스크의 상부 표면이 노출될 때까지 층간절연막 및 도전층이 식각 되어 콘택 패드가 형성된다. 이와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 의해서, 스토리지 노드 콘택 영역과 비트 라인 콘택 영역을 'T'자 형으로 머지(merge) 시킴으로써, 재현성 있는 자기정렬 콘택을 형성할 수 있고, 콘택홀의 종횡비 증가에 따른 식각 정지 현상을 방지할 수 있으며, 포토레지스트 패턴이 차지하는 면적을 충분히 확보함으로써 층간절연막 식각시 식각 선택비 감소를 방지할 수 있다. 또한, 머지 콘택 영역 형성을 위한 식각 공정에 의해 손실되는 게이트 마스크를 보상하기 위한 마스크층 형성 공정을 추가함으로써, 머지 콘택 영역 내의 게이트 마스크와 그 외의 영역의 게이트 마스크간의 단차를 최소화시킬 수 있고, 이로써 후속 콘택 패드 형성을 위한 평탄화 공정을 용이하게 할 수 있으며, 폴리 스트링거에 의한 콘택 패드간 브리징을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019930011401B1
公开(公告)日：1993-12-06
申请号：KR1019910001622
申请日：1991-01-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정홍식
IPC: B25J15/00
Abstract: The robot hand automatically installs belts in two belt pulleys by use of three belt pulleys and a swing arm. The robot hand comprises a slide plate (3), connected to a joint plate (2) by a cylinder (1) lever (1a), having long holes (A,B); a belt gripping means A (R) including a ball bearing A (4), a swing arm C (9), a pivot axis A (6), a pulley A (8) and a swing arm A (5) assembled in the long hole A (3a) of the slide plate (3); the other belt gripping means B (Q) also having a ball bearing B (10), a swing arm D (15), a pivot axis B (13), a pulley B (4) and a swing arm B (12) assembled in the other long hole B (3b) of the slide plate (3).
Abstract translation: 机器人手自动通过使用三个皮带轮和一个摆臂将皮带安装在两个皮带轮中。 机器人手包括通过具有长孔（A，B）的气缸（1）杆（1a）连接到接头板（2）的滑板（3） 包括滚珠轴承A（4），摆臂C（9），枢轴A（6），滑轮A（8）和摆臂A（5）的皮带夹持装置A（R）组装在 滑板（3）的长孔A（3a）; 另外一个带有滚珠轴承B（10），摆臂D（15），枢轴B（13），滑轮B（4）和摆臂B（12）的皮带夹持装置B（Q） 在滑板（3）的另一个长孔B（3b）中。
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公开(公告)号：KR101502034B1
公开(公告)日：2015-03-13
申请号：KR1020090017154
申请日：2009-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/065 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 본 발명은 복수의 결정상을 갖는 상변화 재료를 이용한 멀티 비트 상변화 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 스토리지 노드에 상변화 재료를 포함하는 비휘발성 메모리 소자로서, 상기 상변화 재료는 온도 상승에 따라 구별되는 저항값을 갖는 적어도 3 개 이상의 결정상을 순차대로 나타내는 2 성분계 또는 3 성분계 화합물의 기저 재료를 포함하고, 상기 기저 재료는 온도 상승에 따라 공석 반응 및 포정 반응 중 적어도 어느 하나를 겪는 멀티 비트 상변화 메모리 소자가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020100010743A
公开(公告)日：2010-02-02
申请号：KR1020080071755
申请日：2008-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/144 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1683 , H01L45/143 , H01L45/1691
Abstract: PURPOSE: An electric device and a method of forming the same are provided to prevent the program state of the fuse phase change device from being changed in high mounting process by keeping different thermal characteristics of a fuse and cell of phase change device. CONSTITUTION: A substrate(100) comprises a cell region(A) and fuse regions(B). Signal wires(112c,112f) are formed on the substrate. The first phase change pattern(130f) is formed on the signal wire. The second phase change pattern(130c) is formed in the first phase change pattern. Top wirings(160c,160f) are formed in the phase change pattern. The crystallization temperature of the first phase change pattern is higher than that of the second phase change pattern. The bottom electrode is interposed between the signal wire and the first phase change pattern.
Abstract translation: 目的：提供电气装置及其形成方法，以通过保持相变装置的熔断器和电池的不同的热特性来防止熔断器相变装置的编程状态在高安装过程中发生变化。 构成：衬底（100）包括电池区（A）和熔丝区（B）。 信号线（112c，112f）形成在基板上。 第一相变图案（130f）形成在信号线上。 第二相变图案（130c）以第一相变图案形成。 顶部布线（160c，160f）形成为相变图案。 第一相变图案的结晶温度高于第二相变图案的结晶温度。 底部电极介于信号线和第一相变图案之间。
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