음성인식을 통한 단말기의 잠금 상태 해제 및 조작 방법 및 장치

    公开(公告)号:KR101889836B1

    公开(公告)日:2018-08-20

    申请号:KR1020120019092

    申请日:2012-02-24

    Abstract: 상술한과제를달성하기위하여, 본발명의일 실시예에따르는단말기의제어방법은단말기가락(Lock)되어있는상태에서음성입력을받는단계; 및상기음성입력이기 설정된명령과일치할경우상기음성입력에해당하는동작을수행하는단계를포함하는것을특징으로한다. 또한본 발명의일 측면에따르는음성입력을통해서제어할수 있는단말기는, 상기단말기의동작상태를표시하는디스플레이부; 음성입력을받을수 있는음성입력부; 상기단말기가락(Lock)되어있는상태에서상기음성입력부를통해입력된음성입력이기 설정된명령과일치할경우상기음성입력에해당하는동작을수행하는제어부를포함하는것을특징으로한다. 본발명의일 실시예에따르면별도의조작없이음성입력만으로단말기를제어하는것이가능해지고, 사용자가음성입력에따른명령어집합을설정할수 있으므로단말기에대한사용자조작성이향상되는효과가있다.

    듀얼 게이트 절연막을 갖는 반도체 장치의 제조 방법

    公开(公告)号:KR101850409B1

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:KR1020120026721

    申请日:2012-03-15

    CPC classification number: H01L29/401 H01L21/823462 H01L29/66545

    Abstract: 듀얼게이트절연막을갖는반도체장치의제조방법이제공된다. 상기방법은, 제1 영역과제2 영역을포함하는기판을제공하고, 상기기판상에, 제1 두께를갖는제1 게이트절연막을형성하고, 상기기판상에, 상기제1 영역의상기제1 게이트절연막을노출하는제1 트렌치와상기제2 영역의상기제1 게이트절연막을노출하는제2 트렌치를포함하는층간절연막을형성하고, 상기층간절연막상 및상기제1 및제2 트렌치의바닥에희생막을형성하고, 상기희생막상에, 상기제2 영역의제2 트렌치를덮는마스크패턴을형성하고, 상기마스크패턴을식각마스크로상기제1 영역내의희생막을제거하여상기제1 트렌치의바닥의상기제1 게이트절연막을노출하는희생막패턴을형성하고, 상기제1 트렌치의바닥의상기제1 게이트절연막을제거하여기판을노출하고, 상기마스크패턴을제거하고상기희생막패턴을제거하고, 상기제1 트렌치의바닥에제2 두께를갖는제2 게이트절연막을형성하고, 상기제1 게이트절연막및 상기제2 게이트절연막상에게이트전극을형성하는것을포함한다.

    플렉서블 디바이스 및 플렉서블 디바이스의 동작 방법
    33.
    发明公开
    플렉서블 디바이스 및 플렉서블 디바이스의 동작 방법 审中-实审
    灵活的设备和灵活的设备如何工作

    公开(公告)号:KR1020170116804A

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:KR1020160044861

    申请日:2016-04-12

    CPC classification number: G06F1/16 G06F3/0485 G06F3/0488 G09F9/30

    Abstract: 본발명의다양한실시예들은, 플렉서블디바이스에있어서, 상기플렉서블디바이스의적어도일부에대한접촉을감지하는터치패널; 및상기플렉서블디바이스의휘어짐정보를판단하고, 상기터치패널을통해감지된적어도하나의접촉영역에대해각 접촉영역의속성을판단하며, 상기판단한휘어짐정보및 상기적어도하나의접촉영역의속성의변화에기반하여상기플렉서블디바이스의기능을제어하는프로세서;를포함할수 있다. 또한, 본발명의다양한실시예들은다른실시예들이가능할수 있다.

    Abstract translation: 本发明的各种实施例针对一种柔性装置,包括:触摸面板,用于感测与柔性装置的至少一部分的接触; 并且确定柔性装置的曲率信息,确定每个接触区域相对于通过触摸面板感测到的至少一个接触区域的属性,以及比较确定的曲率信息和至少一个接触区域的属性 以及用于基于接收到的数据来控制柔性设备的功能的处理器。 另外,在其他实施例中,本发明的各种实施例也是可能的。

    전자 장치의 컨텐츠 제공 방법 및 이를 지원하는 장치
    34.
    发明公开
    전자 장치의 컨텐츠 제공 방법 및 이를 지원하는 장치 审中-实审
    用于在电子设备中提供内容的方法及其应用的装置

    公开(公告)号:KR1020160001250A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:KR1020140079409

    申请日:2014-06-27

    CPC classification number: G06F17/30023 G06F17/30038 G06F17/30997

    Abstract: 다양한실시예에따른전자장치는, 외부장치와통신하는통신부; 적어도하나의컨텐츠를표시하는표시부; 및게더링제스처를검출하고, 상기게더링제스처에응답하여전자장치에저장된컨텐츠및 외부장치로부터컨텐츠들을게더링하고, 상기게더링된컨텐츠들의속정정보를기반으로컨텐츠들의표시순위를결정하고, 상기표시순위에따라게더링된컨텐츠들을정렬하여표시하도록제어하는제어부를포함할수 있다.

    Abstract translation: 根据各种实施例的电子设备包括:与外部设备通信的通信单元; 显示单元,用于显示至少一个内容; 以及控制单元,用于响应于收集手势来检测收集手势,收集存储在电子设备中的内容和来自外部设备的内容,基于收集的内容的特征信息确定内容的显示排序,以及控制收集的内容 根据要排列和显示的显示排名。

    UI를 디스플레하는 전자 장치 및 방법
    35.
    发明公开
    UI를 디스플레하는 전자 장치 및 방법 审中-实审
    用于显示用户界面的设备及其方法

    公开(公告)号:KR1020150114160A

    公开(公告)日:2015-10-12

    申请号:KR1020140038392

    申请日:2014-04-01

    Abstract: 본발명의다양한실시예들은전자장치의패널에 UI(User Interface)를디스플레이하는방법에관한것으로, 상기전자장치의패널의테두리에서상기패널의내측으로이동하는동작에대응하는이벤트를수신하는동작; 및상기패널의테두리에서발생한이벤트에기초하여기설정된객체또는기설정된화면효과를디스플레이하는동작을포함하는것일수 있다. 이외에도, 명세서를통해파악될수 있는다른실시예들이가능하다.

    Abstract translation: 本发明的各种实施例涉及一种用于在电子设备的面板中显示用户界面(UI)的方法。 该方法可以包括接收与从电子设备的边缘到面板内部的运动相对应的事件的操作; 以及基于在面板的边缘处产生的事件来显示预定对象或预定屏幕效果的操作。 此外,可以实现说明书中所示的其它实施例。

    음성 대화 서비스를 지원하는 인터페이스 장치 및 방법
    36.
    发明公开
    음성 대화 서비스를 지원하는 인터페이스 장치 및 방법 审中-实审
    接口设备和支持语音对话设备的方法

    公开(公告)号:KR1020150016776A

    公开(公告)日:2015-02-13

    申请号:KR1020130092649

    申请日:2013-08-05

    CPC classification number: G10L15/26 G06F3/167 G06K9/6253 G06K9/6293 G10L15/22

    Abstract: 본 발명은 음성 대화 서비스를 지원하는 인터페이스 장치 및 방법에 관한 것으로, 선택된 입력 모달(modal) 타입에 기초하여 사용자 입력을 수신하는 과정; 상기 사용자 입력이 비음성 입력인 경우, 수신한 상기 사용자 입력에서 텍스트를 추출하는 과정; 상기 추출된 텍스트를 요청 신호로서 서버로 전송하는 과정; 상기 서버로부터 상기 요청 신호에 응답한 대화 인식 결과를 수신하는 과정; 및 상기 수신한 대화 인식 결과를 기초로 상기 사용자 입력에 대한 응답을 실행하는 과정을 포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及支持语音对话服务的接口装置及其方法。 接口方法包括:基于所选择的输入模态类型接收用户输入的过程; 如果用户输入是非语音输入,则提取所接收的用户输入中的文本的过程; 将提取的文本作为请求信号发送到服务器的处理; 响应于来自服务器的请求信号接收对话识别结果的过程; 以及基于接收的对话识别结果执行用户输入的响应的处理。

    듀얼 게이트 절연막을 갖는 반도체 장치의 제조 방법
    37.
    发明公开
    듀얼 게이트 절연막을 갖는 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
    制造具有双栅电介质层的半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR1020130104835A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:KR1020120026721

    申请日:2012-03-15

    CPC classification number: H01L29/401 H01L21/823462 H01L29/66545

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device including a dual gate insulation layer is provided to prevent the degradation of the reliability of the semiconductor device which includes gate insulation layers with different thicknesses on a high voltage area and a low voltage area. CONSTITUTION: A substrate (110) including a first area and a second area is provided. A first gate insulation layer (130) with a first thickness is formed on the substrate. An interlayer dielectric layer (140) including a first trench and a second trench is formed on the substrate. A second gate insulation layer (180) is formed on the bottom of the first trench of the first area. A high dielectric material (185) is formed on the first and second gate insulating layers. A gate electrode (192) is formed in the first trench and the second trench by planarizing the high dielectric material.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造包括双栅极绝缘层的半导体器件的方法,以防止在高电压区域和低电压区域上包括具有不同厚度的栅极绝缘层的半导体器件的可靠性劣化。 构成:提供包括第一区域和第二区域的基板(110)。 在基板上形成具有第一厚度的第一栅极绝缘层(130)。 在衬底上形成包括第一沟槽和第二沟槽的层间介质层(140)。 第一栅极绝缘层(180)形成在第一区域的第一沟槽的底部。 在第一和第二栅极绝缘层上形成高介电材料(185)。 通过平坦化高介电材料,在第一沟槽和第二沟槽中形成栅电极(192)。

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