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公开(公告)号：KR101850409B1
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：KR1020120026721
申请日：2012-03-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/401 , H01L21/823462 , H01L29/66545
Abstract: 듀얼게이트절연막을갖는반도체장치의제조방법이제공된다. 상기방법은, 제1 영역과제2 영역을포함하는기판을제공하고, 상기기판상에, 제1 두께를갖는제1 게이트절연막을형성하고, 상기기판상에, 상기제1 영역의상기제1 게이트절연막을노출하는제1 트렌치와상기제2 영역의상기제1 게이트절연막을노출하는제2 트렌치를포함하는층간절연막을형성하고, 상기층간절연막상 및상기제1 및제2 트렌치의바닥에희생막을형성하고, 상기희생막상에, 상기제2 영역의제2 트렌치를덮는마스크패턴을형성하고, 상기마스크패턴을식각마스크로상기제1 영역내의희생막을제거하여상기제1 트렌치의바닥의상기제1 게이트절연막을노출하는희생막패턴을형성하고, 상기제1 트렌치의바닥의상기제1 게이트절연막을제거하여기판을노출하고, 상기마스크패턴을제거하고상기희생막패턴을제거하고, 상기제1 트렌치의바닥에제2 두께를갖는제2 게이트절연막을형성하고, 상기제1 게이트절연막및 상기제2 게이트절연막상에게이트전극을형성하는것을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170065419A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：KR1020160015165
申请日：2016-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/311
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 반도체장치의제조방법은, 기판상에형성된유전막에복수의그루브들(grooves)를형성하고, 유전막은복수의그루브들사이에위치한 IMD(Intermetal Dielectic)부를포함하고, 그루브들의각각의측면및 바닥면을따라제1 배리어막(barrier layer)을형성하고, 제1 배리어막상에인터커넥트막(interconnect layer)을형성하고, 인터커넥트막및 제1 배리어막을리세스하고, 리세스된인터커넥트막상에캐핑패턴(capping pattern)을형성하고, IMD부를제1 식각공정에의해식각하고, 이어서 IMD부를캐핑패턴과함께제2 식각공정에의해식각하여, 트렌치를형성하고, 트렌치의측면및 바닥면을따라제2 배리어막을컨포말(conformal)하게형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法。 一种制造半导体器件的方法包括：在形成在衬底上的介电膜中形成多个沟槽，所述介电膜包括位于所述多个沟槽之间的IMD（金属间介电体）部分， 沿第一阻挡膜形成第一阻挡层;在第一阻挡膜上形成互连层;使互连膜和第一阻挡膜凹陷;以及在凹陷互连膜上形成覆盖图案。 通过第一蚀刻工艺蚀刻所述IMD部分，接着通过第二蚀刻工艺用覆盖图案蚀刻所述IMD部分以形成沟槽并且沿着所述沟槽的侧表面和底表面形成第二阻挡膜， 保形。
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公开(公告)号：KR1020130104835A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120026721
申请日：2012-03-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/401 , H01L21/823462 , H01L29/66545
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device including a dual gate insulation layer is provided to prevent the degradation of the reliability of the semiconductor device which includes gate insulation layers with different thicknesses on a high voltage area and a low voltage area. CONSTITUTION: A substrate (110) including a first area and a second area is provided. A first gate insulation layer (130) with a first thickness is formed on the substrate. An interlayer dielectric layer (140) including a first trench and a second trench is formed on the substrate. A second gate insulation layer (180) is formed on the bottom of the first trench of the first area. A high dielectric material (185) is formed on the first and second gate insulating layers. A gate electrode (192) is formed in the first trench and the second trench by planarizing the high dielectric material.
Abstract translation: 目的：提供一种制造包括双栅极绝缘层的半导体器件的方法，以防止在高电压区域和低电压区域上包括具有不同厚度的栅极绝缘层的半导体器件的可靠性劣化。 构成：提供包括第一区域和第二区域的基板（110）。 在基板上形成具有第一厚度的第一栅极绝缘层（130）。 在衬底上形成包括第一沟槽和第二沟槽的层间介质层（140）。 第一栅极绝缘层（180）形成在第一区域的第一沟槽的底部。 在第一和第二栅极绝缘层上形成高介电材料（185）。 通过平坦化高介电材料，在第一沟槽和第二沟槽中形成栅电极（192）。
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公开(公告)号：KR1019930019088A
公开(公告)日：1993-09-22
申请号：KR1019920003350
申请日：1992-02-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05K13/00
Abstract: 본 발명은 부품정렬 장치에 관한 것으로서, 모터의 구동에 따라 이송되어지며 부품이 안착되는 콘베이어 팰릿과, 이 콘베이어 팰릿의 하측에 간격을 두고 경사지게 탄발설치되어 진동에 의해 회수된 부품을 이송시키며 선단에 탄발설치된 회동판을 갖는 부품 회수판과, 상기 회동판의 선단에 설치되어 제1실린더의 작동에 따라 회동되어지는 회수용 버킷과, 상기 콘베이어 팰릿의 상측에 설치되어 상기 회수용 버킷으로 부터 부품을 공급받는 버킷과, 이공급 버킷의 일측에 탄발설치되어 제2실린더의 작동에 따라 개폐되는 개폐판과, 상기 콘베이어 팰릿의 상측에 모터의 구동에 따라 회전되는 분리 브러쉬로 이루어진다.
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公开(公告)号：KR2019980061337U
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR2019970005549
申请日：1997-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송명근
Abstract: 본 고안은 다수매의 강판이 적층되어 있는 강판적층물로부터 강판을 1매씩 인출하는 적층된 강판의 인출장치에 관한 것으로서, 상기 강판적층물이 적층되는 지지대, 상기 지지대의 상부에 설치되어 상기 강판적층물로부터 상부의 강판을 흡착하여 들어올리는 강판흡착부재와, 상기 강판적층물의 측부에 설치되어 상기 강판흡착부재에 의해 들어올려지는 강판의 측면에 탄성적으로 접촉하는 분리톱니를 갖는 강판분리부재를 갖는 것을 특징으로 한다. 이로써, 복수매의 강판이 강판적층물로부터 인출되어 금형장치 등과 같은 후공정에 투입되는 것을 방지하여 금형파손과 설비고장을 예방하고 생산성을 향상시킬 수 있다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020170042064A
公开(公告)日：2017-04-18
申请号：KR1020150141523
申请日：2015-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/823425 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L21/823475 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/823864 , H01L21/823871 , H01L23/535 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/7848
Abstract: 대체금속게이트전극의높이변화를경감시켜동작성능을향상시킬수 있는반도체장치를제공하는것이다. 상기반도체장치는제1 핀형패턴; 상기제1 핀형패턴상에, 상기제1 핀형패턴과교차하고, 상부와하부를포함하는제1 게이트스페이서; 상기제1 핀형패턴상에, 상기제1 핀형패턴과교차하고, 상기제1 게이트스페이서와이격되는제2 게이트스페이서; 상기제1 게이트스페이서및 상기제2 게이트스페이서에의해정의되는제1 트렌치; 상기제1 트렌치의바닥면및 측벽을따라형성되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에, 상기제1 트렌치의일부를채우는제1 게이트전극; 상기제1 게이트전극상에, 상기제1 트렌치를채우는제1 캡핑패턴; 및상기캡핑패턴의상면을덮는층간절연막을포함하고, 상기제1 게이트스페이서의상부의폭은상기제1 핀형패턴의상면으로부터멀어짐에따라감소하고, 상기제1 게이트스페이서의상부의외측벽은상기층간절연막과접한다.
Abstract translation: 并且提供一种能够减小替换金属栅电极的高度变化并改善操作性能的半导体器件。 该半导体器件包括：第一鳍片图案; 形成在所述第一销形图案，并与第一销形图案，包括上部和下部的第一栅极隔离物; 在所述第一鳍片图案上并且与所述第一鳍片图案相交并且与所述第一栅极间隔件间隔开的第二栅极间隔件; 由第一栅极隔离物和第二栅极隔离物限定的第一沟槽; 沿第一沟槽的底表面和侧壁形成的栅极绝缘膜; 在栅绝缘膜上的第一栅电极，第一栅电极填充第一沟槽的一部分; 在第一栅电极上的第一覆盖图案以填充第一沟槽; 和包含层间绝缘膜覆盖所述覆盖图案的上表面上，栅极隔离物的上部的宽度的第一上部外壁根据从所述第一销状图案的上表面的距离减小，并且所述第一栅极隔离件是夹层 并接触绝缘薄膜。
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公开(公告)号：KR1020080054138A
公开(公告)日：2008-06-17
申请号：KR1020060126338
申请日：2006-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송명근
CPC classification number: H04N17/004 , H04N5/44513 , H04N2005/44534
Abstract: A broadcast receiving apparatus and its error managing method are provided to prevent malfunction generated when a non-supported external device is connected by managing and providing an error list with respect to the non-supported external device. A determining unit(151) determines whether identification information received from a connected external device is included in a previously stored error list. If it is determined that the identification information is included in the error list, an operation controller(153) does not read data stored in the external device. If the identification information is not included in the error list, the operation controller adds the identification information in the error list. If reproducing of data stored in the external device fails, if recording of data into the external device fails, or if adding of the identification information to the error list fails, the operation controller stores error data indicating the failure of the data reproduction and data recording from the external device.
Abstract translation: 提供了一种广播接收装置及其错误管理方法，用于通过管理和提供关于非支持的外部设备的错误列表来防止当不支持的外部设备连接时产生的故障。 确定单元（151）确定从连接的外部设备接收的识别信息是否包括在先前存储的错误列表中。 如果确定识别信息被包括在错误列表中，则操作控制器（153）不读取存储在外部设备中的数据。 如果识别信息不包括在错误列表中，则操作控制器将识别信息添加到错误列表中。 如果存储在外部设备中的数据的再现失败，如果将数据记录到外部设备中失败，或者如果向错误列表中添加标识信息失败，则操作控制器存储指示数据再现和数据记录失败的错误数据 从外部设备。
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公开(公告)号：KR1020070053979A
公开(公告)日：2007-05-28
申请号：KR1020050111880
申请日：2005-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송명근
IPC: G06K17/00
Abstract: RFID시스템을 이용한 사용자별 방송환경 설정방법 및 이를 적용한 방송재생장치가 개시된다. 본 발명에 따른 RFID시스템을 이용한 사용자별 방송환경 설정방법 및 이를 적용한 방송재생장치는 RFID태그에 수록된 정보를 수신하는 단계, 수신된 RFID태그의 고유ID를 통해 사용자를 인식하는 단계, 인식된 사용자에 의해 기설정되어 메모리에 기저장된 사용자환경을 방송환경으로 설정하는 단계, 및 설정된 방송환경에 따라 방송을 재생하는 단계를 포함한다. 이에 의해, 기설정되어 메모리에 기저장되어 있는 사용자별 방송환경을 RFID시스템을 이용해 인식된 사용자에 맞게 자동으로 설정함으로써, 방송시청시 별도의 조작 없이 방송환경을 설정할 수 있는 효과가 있다.
RFID리더부, RFID태그, 사용자인식, 방송환경설정, 자동설정
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