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公开(公告)号：KR1019970052861A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950065874
申请日：1995-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 금속 콘택 형성을 위한 식각시에 발생하는 포로테지스트의 리프팅 현상을 방지토록 한 반도체 장치의 절연막 형성 방법에 관한 것으로서, 반도체 장치의 절연막 형성 공정이, 하부 구조물의 상부에 BPSG막과 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 및, 상기 폴리실리콘막을 완전산화시켜 폴리산화막으로 형성하는 단계로 이루어진 것이다.
선택도 : 제2도.-
公开(公告)号：KR1020170137410A
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020160069532
申请日：2016-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F24C15/008 , F21V21/14 , F21V29/67 , F21W2131/307 , F24C15/021 , G02B6/0015 , G02B6/0035 , G02B6/0055 , G02B6/0065 , G02B6/0075 , G02B6/0095 , G02B6/0096
Abstract: 본발명에따른오븐은조리실을가지는본체, 상기조리실을개폐하도록상기본체에배치되고, 상기조리실내부를볼 수있도록마련된윈도우를포함하는도어, 상기도어에배치되는발광부재및 상기도어에배치되고상기발광부재의빛을상기조리실측으로안내하는가이드부재를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的烤箱包括：具有烹饪室的主体;设置在主体上以打开和关闭烹饪室的门;包括窗口的门，所述窗口设置为能够看见烹饪室的内部;发光构件，设置在门上; 以及用于将发光构件的光引导到烹饪室的引导构件。
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公开(公告)号：KR1020150137803A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020140066320
申请日：2014-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H05B6/1218 , F24C7/04 , F24C15/10 , H05B6/02 , H05B6/1236 , H05B6/1245 , H05B2206/022
Abstract: 유도가열조리기기는빛을통과시키는보조슬릿을갖는조리대와, 조리대위에올려놓인조리용기를유도가열하도록자기장을발생시키는유도코일과, 유도코일의외곽에배치되는적어도하나의광원과, 광원에서발산되는빛의진행방향을전환하고집광시키는광학부재와, 조리용기에불꽃이미지를형성시키도록광학부재에서발산되는빛을통과시키는메인슬릿을포함하여유도코일의작용시에조리용기의하단표면에가상의불꽃이미지를형성시킴으로써조리용기의가열상태를용이하게인지할수 있다.
Abstract translation: 一种感应加热烹调器包括：具有辅助狭缝透光的烹饪台，产生磁场以感应加热放置在烹饪台上的烹饪容器的感应线圈;布置在电感器的边缘上的至少一个光源 线圈，改变从光源发射的光的行进方向并聚焦光的光学构件;以及主要狭缝，其将从光学构件发射的光透射以在冷却容器中形成火焰图像。 烹饪容器的加热状态可以通过在感应线圈的作用下形成在烹饪容器的下表面上的虚拟火焰图像来识别。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070079154A
公开(公告)日：2007-08-06
申请号：KR1020060009633
申请日：2006-02-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정광진
IPC: H01L21/304
Abstract: An apparatus for identifying a state of a dryer cover of a wet station device is provided to prevent a dropping effect of a robot arm in a closing state of a bath cover by sensing correctly an opening state of the bath cover. A bath(10) is used for storing a plurality of wafers. Bath covers(12a,12b) are installed at an upper side of the bath to cover an upper part of the bath. Air cylinders(14a,14b) are installed at both sides of an outer circumference of the bath to open or shut the bath covers. Floating parts(16a,16b) are coupled between the air cylinders and the bath covers to open or shut the bath covers by using linear movements of the air cylinders. Magnetic sensor(18a,18b) are installed at lower parts of the cylinders to sense dropping states of the cylinders. Dogs(26a,26b) are formed at the bath covers. Cover sensors(24a,24b) are used for sensing opening/shutting states of the bath covers according to the contact states of the dogs. A main controller(28) controls a robot arm to drop the robot arm when the magnetic sensors senses the dropping states of the air cylinders and the cover sensors senses the opening states of the bath covers.
Abstract translation: 提供一种用于识别湿站装置的干燥器盖的状态的装置，用于通过正确地感测浴罩的打开状态来防止机器人手臂处于关闭状态的落下效果。 浴（10）用于存储多个晶片。 浴罩（12a，12b）安装在浴的上侧以覆盖浴的上部。 气缸（14a，14b）安装在浴槽的外周两侧以打开或关闭浴罩。 浮动部件（16a，16b）通过气缸的线性运动联接在气缸和浴罩之间以打开或关闭浴罩。 磁传感器（18a，18b）安装在气缸的下部，以检测汽缸的下落状态。 狗（26a，26b）形成在浴罩上。 盖传感器（24a，24b）用于根据狗的接触状态来感测浴罩的打开/关闭状态。 主控制器（28）在磁传感器感测到气缸的下落状态并且盖传感器检测到浴罩的打开状态时，控制机器人手臂来放下机器人手臂。
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公开(公告)号：KR100629355B1
公开(公告)日：2006-09-29
申请号：KR1020000000574
申请日：2000-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정광진
IPC: H01L21/318
Abstract: 본 발명은 최종 보호막 형성 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 방법은 외부 연결 패드와 퓨즈가 형성된 반도체 웨이퍼 상에 실리콘질화막을 도포하는 단계와 상기 실리콘질화막 상에 감광제 패턴을 형성하는 단계와 상기 감광제 패턴을 마스크로 사용하여 외부 연결 패드와 퓨즈를 노출하는 제 1 플라즈마 식각 단계와 상기 제 1 플라즈마 식각하면서 반응부산물로 발생한 폴리머를 제거하기 위한 제 2 플라즈마 식각 처리 단계 및 애싱 및 스트립 공정으로 상기 감광제 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 실리콘질화막을 식각하면서 반응부산물로 발생한 폴리머를 제 2 플라즈마 식각하여 완전히 제거하여 본딩 와이어 불량 및 퓨즈의 레이져 수리시 발생하는 불량을 방지할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020030010816A
公开(公告)日：2003-02-06
申请号：KR1020010045384
申请日：2001-07-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정광진
IPC: H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a dynamic random access memory(DRAM) device is provided to guarantee etch selectivity of 1:1 between oxide and polysilicon by improving etch selectivity of polysilicon while using SF6 gas having a new chemical characteristic. CONSTITUTION: The DRAM device is designed in such a way that a p-type poly pattern is inserted into oxide in the upper end of a fuse metal(100). The oxide in the upper end of the p-type poly pattern and the p-type poly pattern are sequentially etched through an in-situ method by using a mask defining a fuse formation part. 400 sccmAr/180sccmCF4/15sccmO2 are used as etch gas in a condition having pressure of 800 milliTorr and power of 1500 watt(110a). The p-type poly pattern is etched by using 800sccmAr/30sccmSF6/30sccmO2 as etch gas in a condition having pressure of 450 milliTorr and power of 800 watt(110b).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造动态随机存取存储器（DRAM）器件的方法，以通过提高具有新化学特性的SF6气体的多晶硅的蚀刻选择性来保证氧化物和多晶硅之间的1：1的蚀刻选择性。 构成：DRAM器件被设计成使p型多晶型图案插入到熔丝金属（100）的上端的氧化物中。 通过使用限定熔丝形成部分的掩模，通过原位方法依次蚀刻p型多晶型图案和p型多晶型图案的上端中的氧化物。 400sccmAr / 180sccmCF4 / 15sccmO2用作压力为800毫乇，功率为1500瓦（110a）的蚀刻气体。 在压力为450毫乇，功率为800瓦（110b）的条件下，使用800sccmAr / 30sccmSF6 / 30sccmO2作为蚀刻气体蚀刻p型多晶型。
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公开(公告)号：KR100290835B1
公开(公告)日：2001-07-12
申请号：KR1019980023769
申请日：1998-06-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
Abstract: 본 발명은 콘택홀 상에 형성되는 소자패턴의 제조방법을 변경함으로서 얼라인마진 및 커패시터의 정전용량을 증대시킬 수 있는 반도체소자의 제조방법 및 그에 따라 형성된 반도체소자의 커패시터에 관한 것이다.
본 발명은 하부구조가 형성되어 있는 반도체기판 상에 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 콘택홀을 매몰시키며 상기 하부구조 위로 스토리지전극을 형성시킬 수 있는 소정두께의 폴리실리콘막을 형성하는 단계, 상기 콘택홀 상에 형성되며, 서로 분리되는 폴리실리콘막 패턴을 형성시킬 수 있는 포토레지스트 패턴을 상기 폴리실리콘막 상에 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 폴리실리콘막의 소정두께를 수직식각하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 폴리실리콘막의 수직식각 후, 상기 폴리실리콘막 패턴의 하부의 선폭이 상기 수직식각 부분의 선폭보다 크도록 상기 폴리실리콘막의 잔여부분을 경사식각하여 스토리지전극을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 공정에서 소망하는 크기를 갖는 패턴을 형성할 수 있고, 충분한 얼라인마진 및 커패시터의 정전용량을 증가시킬 수 있는 효과가 있다. -
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