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公开(公告)号：KR20210033283A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020190114828A
申请日：2019-09-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: A61N5/0616 , A61F9/045 , A61N2005/0626 , A61N2005/063 , A61N2005/0632 , A61N2005/0647 , A61N2005/0652 , A61N2005/0666
Abstract: 광을 이용한 스킨케어장치가 개시된다. 스킨케어장치는, 다수의 광원과, 상기 다수의 광원이 배치되며, 상기 다수의 광원으로부터 발산되는 광이 통과하는 다수의 광통과구멍이 형성된 마스크, 및 상기 다수의 광통과구멍 중 적어도 하나의 광통과구멍에 형성되는 광차단격벽을 구비한다.
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公开(公告)号：WO2021054661A1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：PCT/KR2020/011968
申请日：2020-09-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 광을 이용한 스킨케어장치가 개시된다. 스킨케어장치는, 다수의 광원과, 상기 다수의 광원이 배치되며, 상기 다수의 광원으로부터 발산되는 광이 통과하는 다수의 광통과구멍이 형성된 마스크, 및 상기 다수의 광통과구멍 중 적어도 하나의 광통과구멍에 형성되는 광차단격벽을 구비한다.
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公开(公告)号：WO2017116040A1
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：PCT/KR2016/014530
申请日：2016-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 스위치 주위로 발산되는 빛의 분포를 균일하게 할 수 있는 스위치 어셈블리를 포함하는 조리기기를 개시한다. 조리기기는 조리실을 가지는 본체와, 본체에 회전 가능하게 장착되는 스위치 어셈블리를 포함하고, 스위치 어셈블리는, 회전 가능하게 마련되는 스위치와, 스위치와 결합하는 스위치 홀더 및 스위치와 스위치 홀더 사이에 배치되어, 광원으로부터 발산된 광을 균일하게 발산시키는 도광체를 포함한다.
Abstract translation: ＆lt; p num =“0000”＆gt;开关组件，其能够使在开关周围发射的光的分布均匀。 烹饪设备包括具有烹饪室的主体和可旋转地安装在主体上的开关组件，开关组件包括可旋转地设置的开关，耦合到开关的开关保持件以及设置在开关和开关保持件之间的开关， 还有一个光导，可以均匀地分散光源发出的光。
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公开(公告)号：WO2015130134A1
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：PCT/KR2015/001946
申请日：2015-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G05D1/0016 , A47L9/2852 , A47L9/2857 , A47L9/2894 , A47L11/24 , A47L11/4011 , A47L11/4013 , A47L2201/04 , A47L2201/06 , G05D1/0033 , G05D2201/0203
Abstract: 본체를 이동시키는 주행기, 사용자의 제어 명령에 따라 변조된 적외선을 출력하고, 광 스팟을 형성하는 원격 제어기, 상기 원격 제어기로부터 적외선을 수신하는 광 수신기, 상기 제어 명령에 따라 변조된 적외선이 수신되면, 상기 본체가 상기 광 스팟을 추종하도록 상기 주행기를 제어하는 제어기를 포함하는 청소 로봇은 원격 제어기가 가리키는 위치를 추종하므로 사용자가 편리하게 청소 로봇을 이동시킬 수 있다.
Abstract translation: 清洁机器人包括：用于移动身体的驱动装置; 遥控器，其根据用户的控制命令输出调制的红外线，并形成光点; 用于接收来自遥控器的红外线的光接收器; 以及控制器，用于控制驱动装置，使得当根据控制命令接收到调制的红外线时，主体跟随光点。 因此，用户可以方便地移动清洁机器人，因为清洁机器人遵循由遥控器指示的位置。
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公开(公告)号：WO2015182914A1
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：PCT/KR2015/005038
申请日：2015-05-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H05B6/1218 , F24C7/04 , F24C15/10 , H05B6/02 , H05B6/1236 , H05B6/1245 , H05B2206/022
Abstract: 유도 가열 조리기기는 빛을 통과시키는 보조 슬릿을 갖는 조리대와, 조리대 위에 올려 놓인 조리 용기를 유도 가열하도록 자기장을 발생시키는 유도 코일과, 유도 코일의 외곽에 배치되는 적어도 하나의 광원과, 광원에서 발산되는 빛의 진행 방향을 전환하고 집광시키는 광학 부재와, 조리 용기에 불꽃 이미지를 형성시키도록 광학 부재에서 발산되는 빛을 통과시키는 메인 슬릿을 포함하여 유도 코일의 작용 시에 조리 용기의 하단 표면에 가상의 불꽃 이미지를 형성시킴으로써 조리 용기의 가열 상태를 용이하게 인지할 수 있다.
Abstract translation: 感应加热烹饪器具包括：具有光通过的辅助狭缝的烹饪台; 用于产生磁场以感应加热放置在烹饪台上的烹饪容器的感应线圈; 设置在所述感应线圈的外缘的至少一个光源; 用于改变发射光源并聚焦光的光的行进方向的光学构件以及从光学构件发射的光通过的主狭缝，以便在烹饪容器上形成火焰图像。 感应加热烹饪装置在感应线圈操作时在烹饪容器的下表面上形成虚拟火焰图像，从而能够容易地识别烹饪容器的加热状态。
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7.发明授权산화 실리콘과 폴리실리콘을 동시에 에칭하기 위한 에칭 가스 조성물, 이를 이용한 에칭 방법 및 이를 이용한 반도체 메모리 소자의 제조방법 有权在半导体工艺中同时蚀刻氧化硅和多晶硅的气体组合物和蚀刻方法以及使用其制造半导体存储器件的方法
公开(公告)号：KR100322894B1
公开(公告)日：2002-03-18
申请号：KR1019990041463
申请日：1999-09-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L28/91 , H01L21/31055 , H01L21/31116 , H01L21/32115 , H01L21/32137 , H01L27/10814 , H01L28/84
Abstract: 폴리실리콘과산화실리콘을효과적으로동시에실질적으로동일한속도로에치백하기위한폴리실리콘과산화실리콘의드라이에칭용가스조성물, 이를이용한에칭방법, 및이를이용한커패시터의제조방법이개시되어있다. 드라이에칭가스는사불화탄소와질소가스가 25-40:1로혼합된혼합가스로구성되고, 폴리실리콘의에칭속도와상기산화물의에칭속도의비는 0.8 내지 1.2:1 이다. 동일한에칭설비에서폴리실리콘과산화물층을에칭하여제거할수 있어서, 폴리실리콘과산화물로된 복합층을효과적으로제거할수 있고, 양호한상면프로파일을얻을수 있다. 후속공정에서폴리실리콘입자들이떨어져나와형성되는폴리실리콘브리지를예방할수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980048261A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960066823
申请日：1996-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정광진
IPC: H01L21/76
Abstract: 본 발명은 SOG막을 이용하여 트렌치 아이솔레이션을 형성하는 반도체 장치의 트렌치 아이솔레이션 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 제 1 절연막, 제 2 절연막, 그리고 제 3 절연막을 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 제 3 절연막상에 트렌치가 형성될 영역을 정의하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하고, 상기 제 3 절연막, 제 2 절연막, 그리고 제 1 절연막을 순차적으로 식각하여 제 1 및 제 2, 그리고 제 3 절연막 패턴을 형성하는 공정과; 상기 제 3 절연막 패턴을 마스크로 사용하고, 상기 반도체 기판을 소정의 두께로 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과; 상기 제 3 절연막 패턴을 제거하는 공정과; 상기 트렌치를 산화시켜 상기 트렌치의 저면 및 측벽에 제 4 절연막을 형성하는 공정과; 상기 트렌치의 제 4 절연막을 포함하여 상기 제 2 절연막 패턴상에 SOG막을 형성하는 공정과; 상기 SOG막을 1차 베이크하는 공정과; 상기 SOG막을 상기 1차 베이크 보다 상대적으로 높은 온도에서 2차 베이크하는 공정을 포함한다. 이와같은 방법에 의해서, 트렌치를 충전할 시, 트렌치내에 보이드 또는 씸이 발생되는 것을 방지할 수 있고, 또한 다양한 크기의 폭을 갖는 트렌치가 동시에 형성되더라도 트렌치간의 충전물의 두께가 일정하게 형성되기 때문에 반도체 장치의 균일성를 확보할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100553837B1
公开(公告)日：2006-02-24
申请号：KR1019990043300
申请日：1999-10-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247
Abstract: 생산성과 품질이 향상된 불휘발성 반도체 메모리 장치의 미세 패턴 형성방법이 개시되어 있다. 먼저, 소자 분리 영역의 상부에 폴리실리콘을 침적하여 제1 폴리실리콘막을 형성하도록 한다. 제1 폴리실리콘막의 상부에 상기 폴리실리콘과 침적 온도차가 ±10℃ 범위 이내인 버퍼 물질을 침적하여 버퍼막을 형성하도록 한다. 형성된 제1 폴리실리콘막 및 상기 버퍼막을 식각하여 제1 폴리실리콘 패턴 및 버퍼막 패턴을 형성하도록 한다. 제1 폴리실리콘 패턴 및 상기 버퍼막 패턴의 상부에 폴리실리콘을 침적하여 제2 폴리실리콘막을 형성하도록 한다. 침적되는 폴리실리콘과 거의 동일한 침적 온도를 갖는 버퍼 물질을 채용하기 때문에 미세 입자의 발생이 거의 없고 이로 인한 브리지 유발이 방지될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010068583A
公开(公告)日：2001-07-23
申请号：KR1020000000574
申请日：2000-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정광진
IPC: H01L21/318
Abstract: PURPOSE: A method for forming a final protective layer is provided to prevent previously troubles generated in the next process by removing a polymer generated from a plasma etching process. CONSTITUTION: A silicon nitride layer is applied on a semiconductor wafer formed with an external connection pad and a fuse(200). A photoresist pattern is formed on the silicon nitride layer(210). The first plasma etching process is performed by using the photoresist pattern as a mask(220). The external connection pad and the fuse are exposed by the first plasma etching process(230). The second plasma etching process is performed to remove a polymer generated from the first plasma etching process(240). The photoresist pattern is removed by performing an ashing process and a strip process.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成最终保护层的方法，以通过除去由等离子体蚀刻工艺产生的聚合物来防止在下一工艺中产生的先前的麻烦。 构成：在形成有外部连接焊盘和熔丝（200）的半导体晶片上施加氮化硅层。 在氮化硅层（210）上形成光刻胶图案。 通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模（220）来执行第一等离子体蚀刻工艺。 外部连接焊盘和熔丝通过第一等离子体蚀刻工艺（230）暴露。 执行第二等离子体蚀刻工艺以去除由第一等离子体蚀刻工艺（240）产生的聚合物。 通过进行灰化处理和剥离处理来去除光致抗蚀剂图案。
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