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公开(公告)号：KR1020060081280A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：KR1020050001923
申请日：2005-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/136 , G02F1/136286 , G02F2001/13606
Abstract: 반사율을 향상시킨 표시 기판이 개시된다. 표시 기판은 기판, 기판 상에 형성되며 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터, 기판 상에 스트라이프 형상으로 형성되며, 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 연결된 게이트 신호선, 게이트 신호선과 절연된 상태로 교차하고, 박막 트랜지스터의 소오스 전극에 연결되며, 평면상에서 보았을 때 적어도 일부에 제 1 굴곡부가 형성된 스트라이프 형상의 데이터 신호선, 박막 트랜지스터, 게이트 신호선, 데이터 신호선을 덮고, 상면에 엠보싱부가 형성된 유기막 및 유기막 중 게이트 신호선 및 데이터 신호선에 의하여 둘러싸인 영역에 형성되며 드레인 전극에 연결된 투명 전극 및 투명 전극 상에 배치되며, 평면상에서 보았을 때 제 1 굴곡부와 대응하는 제 1 주변부를 갖는 반사 전극을 갖는 화소 전극을 포함한다. 데이터 신호선의 제 1 굴곡부에 대응하는 제 1 주변부를 갖는 반사 전극을 형성함으로써 반사 전극의 반사율을 증가시키고 반사 전극과 데이터 신호선이 중첩되지 않아 기생 커패시턴스 형성을 억제할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980036061A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960054535
申请日：1996-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정기훈
IPC: H01L21/28
Abstract: 다수의 절연막들의 사용으로 이방성 에칭율에 의한 형성 패턴의 집적도가 떨어지는 문제점을 해결하기 위해 새로운 홀 에칭 방법을 사용하는 다층 금속배선의 상호 배선 연결 홀(inter-connection hole)의 형성 방법을 개시한다.
본 발명의 다층 금속배선의 상호 배선 연결 홀(inter-connection hole)의 형성 방법은 하부 금속 배선이 형성된 반도체 기판 상에 층간절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막상에 포토레지스트를 형성하여 금속 배선의 층간 상호 연결을 위한 패터닝을 하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트 위로 저 에너지 이온 주입 작업으로 상기 노출된 충간절연막을 약화시킨 단계; 및 상기 포토레지스트를 제거하고 습식/건식 에칭으로 홀(hole)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로하는 다층 금속배선의 상호 배선 연결 홀(inter-connection hole)의 형성방법을 제공한다.
따라서, 본 발명에 의하면 절연막의 이방성 에칭율에 의한 형성 패턴의 집적도 저하를 초래하지 않고 선택적 이온 주입에 의한 다층 금속배선의 상호 배선 연결 홀(inter-connection hole)을 형성함으로써 집적도 향상을 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970013025A
公开(公告)日：1997-03-29
申请号：KR1019950024721
申请日：1995-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정기훈
IPC: H01L21/28
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야; 스텝커버리지를 향상시키기 위한 금속배선 형성 방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 ; 스텝커버리지를 향상시키기 위한 금속배선 형성 방법을 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지 ; 스텝커버리지를 향상시키기 위한 반도체 장치의 금속배선 형성 방법에 있어서, 후 공정을 위한 공정의 층을 형성하고 실리콘 기판 표면과의 단락을 막기 위하여 상기 기판상에 제1산화막을 형성하는 제1공정과, 상기 제1산화막상에 금속층을 형성하기 위하여 제1포토레지스트를 도포하는 제2공정과, 상기 제1산화막상에 상기 금속층을 형성하기 위하여 상기 제1포토레지스터를 식각하는 제3공정과, 상기 제1산화막의 일부를 배선형으로 식각하고, 상기 제1 포토레지스터를 제거하는 제4공정과, 상기 금속층을 홈이 파인 상기 제1산화막상에 침적시키는 제5공정과, 상기 금속층을 형성하기 위하여 제2포토레지스터를 도포하는 제6공정과, 상기 일부의 금속층을 식각하고 상기 제2포토레지스터를 제거하는 제7공정과, 식각된 상기 금속충상에 다시 산화를 시 제2산화막을 형성시키는 제8공정으로 이루어지는 것을 요지로 한다.
4. 발명의 중요한 용도 ; 스텝커버리지를 향상시키기 위한 금속배선 형성 방법에 적합하게 이용된다.-
公开(公告)号：KR1020150052672A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020130134369
申请日：2013-11-06
CPC classification number: A61B1/07 , A61B1/00172 , A61B5/0066 , A61B5/0095 , A61B5/6873 , G02B23/26 , G02B26/103
Abstract: 파이버스캐닝광 프로브및 이를구비한의료영상기기가개시된다. 개시된파이버스캐닝광 프로브는, 광파이버상에부착되어상기광 파이버를구동시키는액츄에이터와, 상기광 파이버의일측에마련되는것으로, 공진주파수조절을위한질량체와, 상기액츄에이터와상기질량체사이의상기광 파이버상에마련되는것으로, 공진주파수분리를위한주파수분리기를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种光纤扫描光学探针和包括该光学探针的医学成像设备。 光纤扫描光学探头包括：附接到光纤以驱动光纤的致动器; 布置在光纤一侧以调节谐振频率的质量; 以及频率分离器，布置在致动器和质量块之间的光纤上以分离谐振频率。
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公开(公告)号：KR1020080070306A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：KR1020070008220
申请日：2007-01-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133371 , G02F1/1337 , G02F1/1343 , G02F2001/133565
Abstract: A semi-transmission type LCD(Liquid Crystal Display) and a method for manufacturing the same are provided to disperse liquid crystals uniformly by alternately disposing organic insulating layer patterns on reflective regions and transparent regions, thereby achieving uniform cell cap. A plurality of pixel electrodes(191) are formed above a first substrate. Each of the pixel electrodes includes a transparent electrode and a reflective electrode formed on a portion of the transparent electrode. A second substrate is disposed oppositely to the first substrate. A common electrode is formed above the second substrate. A liquid crystal layer is injected between the first substrate and the second substrate through dropping. A plurality of organic insulating layer patterns(187) are formed correspondingly to the reflective electrodes of the pixel electrodes. The organic insulating layer patterns are alternately disposed along a row direction and a column direction of the pixel electrodes.
Abstract translation: 提供半透射型LCD（液晶显示器）及其制造方法，通过在反射区域和透明区域上交替设置有机绝缘层图案来均匀地分散液晶，从而实现均匀的电池盖。 在第一基板的上方形成有多个像素电极（191）。 每个像素电极包括形成在透明电极的一部分上的透明电极和反射电极。 第二基板与第一基板相对设置。 公共电极形成在第二基板的上方。 通过滴落在第一基板和第二基板之间注入液晶层。 对应于像素电极的反射电极形成多个有机绝缘层图案（187）。 有机绝缘层图案沿着像素电极的行方向和列方向交替布置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080055072A
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020060127938
申请日：2006-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/136222 , G02F2201/121 , G02F2201/123
Abstract: A TFT(Thin Film Transistor) substrate and a method of manufacturing the same, and an LCD(Liquid Crystal Display) having the same are provided to decrease the size of storage electrode as increasing the capacitance of a storage capacitor to improve the aperture ratio. Multiple gate lines(121) are formed by extension to one direction on the board. Multiple data lines(141) intersect the gate line, and are formed by extension. A thin film transistor is formed at the intersection area of the gate line and the data line, and is connected to the gate line and the data line, and comprises a gate electrode, a source electrode and a drain electrode. A pixel electrode(151) is formed on the pixel area defined by intersection of the gate line and the data line. The TFT comprises the first and the second storage capacitors formed at the prescribed area on the pixel area. A first storage electrode is formed among gate lines. A gate insulation film is formed at the upper part of the first storage electrode. A plate electrode is formed at the prescribed area of the upper part of the first storage electrode.
Abstract translation: 提供了TFT（薄膜晶体管）基板及其制造方法，以及具有该TFT（液晶显示器）的LCD（液晶显示器），以便随着存储电容器的电容的增加而减小存储电极的尺寸以提高开口率。 多个栅极线（121）通过延伸到板上的一个方向形成。 多条数据线（141）与栅极线相交，并由扩展形成。 在栅极线和数据线的交叉区域形成薄膜晶体管，并连接到栅极线和数据线，并且包括栅电极，源电极和漏电极。 在由栅极线和数据线的交叉点限定的像素区域上形成像素电极（151）。 TFT包括形成在像素区域上的规定区域的第一和第二存储电容器。 在栅极线之间形成第一存储电极。 在第一存储电极的上部形成有栅极绝缘膜。 在第一存储电极的上部的规定区域形成有平板电极。
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公开(公告)号：KR1020080048606A
公开(公告)日：2008-06-03
申请号：KR1020060118772
申请日：2006-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , H01L29/786
Abstract: A TFT(Thin Film Transistor) and a manufacturing method thereof are provided to form a bridge electrode for connecting a storage electrode in a data layer, thereby reducing the loss of the aperture ratio. A gate line(21) and a data line are formed on a substrate by a matrix shape and define a pixel region. A TFT is connected with the gate line and the data line and formed at every pixel region. A pixel electrode(90) is connected with the TFT. A storage electrode(22) is overlapped with the pixel electrode. A bridge electrode(95) is formed by the same metal materials as the metal pattern of the TFT and connects the storage electrode with an adjacent storage electrode. The bridge electrode is formed by the same metal materials as the data layer of the TFT. The TFT includes a source electrode(60), a drain electrode(70) and an ohmic contact layer(50) for performing an ohmic contact between semiconductor layers(40). The TFT supplies an image data signal to the pixel electrode in response to the scan signal of the gate line.
Abstract translation: 提供TFT（薄膜晶体管）及其制造方法以形成用于连接数据层中的存储电极的桥电极，从而减小开口率的损失。 栅极线（21）和数据线通过矩阵形状形成在衬底上并限定像素区域。 TFT与栅极线和数据线连接并形成在每个像素区域。 像素电极（90）与TFT连接。 存储电极（22）与像素电极重叠。 桥电极（95）由与TFT的金属图案相同的金属材料形成，并将存储电极与相邻的存储电极连接。 桥电极由与TFT的数据层相同的金属材料形成。 TFT包括用于在半导体层（40）之间进行欧姆接触的源电极（60），漏电极（70）和欧姆接触层（50）。 TFT根据栅极线的扫描信号向像素电极提供图像数据信号。
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公开(公告)号：KR1020070081032A
公开(公告)日：2007-08-14
申请号：KR1020060012738
申请日：2006-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G09G3/3611 , G09G2320/0247 , G09G2320/0673 , G09G2320/0693 , G09G2320/08
Abstract: An automatic tuning system and method for a liquid crystal display are provided to reduce flickers from a displayed image by automatically setting optimal characteristic variables for various LCD devices. An automatic tuning system(100) for a liquid crystal display includes a brightness unit(102), a host(101), and a test board(103). The brightness unit detects brightness of the light which is emitted from an LCD(Liquid Crystal Display) device(110), and provides the brightness information to the host. The host searches for optimal characteristic variables corresponding to specifications of the LCD device input from outside by referring to flicker information from the brightness unit. The test board is connected to an external interface of the host and provides the characteristic variables from the host to the LCD device.
Abstract translation: 提供一种用于液晶显示器的自动调谐系统和方法，通过自动设置各种LCD装置的最佳特征变量来减少显示图像的闪烁。 用于液晶显示器的自动调谐系统（100）包括亮度单元（102），主机（101）和测试板（103）。 亮度单元检测从LCD（液晶显示器）装置（110）发出的光的亮度，并向主机提供亮度信息。 主机通过参照来自亮度单元的闪烁信息搜索对应于从外部输入的LCD装置的规格的最佳特性变量。 测试板连接到主机的外部接口，并提供从主机到LCD设备的特性变量。
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公开(公告)号：KR1020060089830A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：KR1020050010606
申请日：2005-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1345
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/1309 , G02F1/13452
Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 표시 영역 및 주변 영역을 가지는 기판, 표시 영역에 형성되어 있으며 교차하는 복수의 게이트선 및 데이터선, 게이트선 및 데이터선에 형성되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극, 게이트선 및 데이터선을 각각 전기적으로 연결하며 주변 영역에 형성되어 있는 제1 및 제2 검사선, 제1 및 제2 검사선의 한쪽 끝부분에 형성되어 있는 제1 및 제2 패드, 제1 패드 및 제2 패드 중의 적어도 하나의 표면에 레이저에 의해서 새겨져 있는 제1 식별표, 제1 패드 및 제2 패드 중의 적어도 하나와 대응하는 영역에 패터닝되어 있는 제2 식별표를 포함한다.
박막트랜지스터, ID, 식별-
公开(公告)号：KR100180116B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950024721
申请日：1995-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정기훈
IPC: H01L21/28
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
스텝커버리지를 향상시키기 위한 금속배선 형성방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
스텝 커버리지를 향상시키기 위한 금속배선 형성방법을 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
스텝 커버리지를 향상시키기 위한 반도체장치의 금속배선 형성방법에 있어서, 후 공정을 위한 공정의 층을 형성하고 실리콘 기판 표면과의 단락을 막기 위하여 상기 기판상에 제1산화막을 형성하는 제1공정과, 상기 제1산화막상에 금속층을 형성하기 위하여 제1포토 레지스터를 도포하는 제2공정과, 상기 제1산화막상에 상기 금속층을 형성하기 위하여 상기 제1포토 레지스터를 식각하는 제3공정과, 상기 제1산화막의 일부를 배선형으로 식각하고, 상기 제1포토 레지스터를 제거하는 제4공정과, 상기 금속층을 홈이 파인 상기 제1산화막상에 침적시키는 제5공정과, 상기 금속층을 형성하기 위하여 제2포토 레지스터를 도포하는 제6공정과, 상기 일부의 금속층을 식각하고 상기 제2포토 레지스터를 제거하는 제7공정과, 식각된 상기 금속층상에 다시 산화를 � ��켜 제2산화막을 형성시키는 제8공정으로 이루어지는 것을 요지로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
스텝 커버리지를 향상시키기 위한 금속배선 형성방법에 적합하게 이용된다.
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