전자사진방식프린터
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019990017428A

    公开(公告)日:1999-03-15

    申请号:KR1019970040352

    申请日:1997-08-23

    Inventor: 조성민

    Abstract: 전자 사진 방식 프린터를 개시한다.
    개시된 전자 사진 방식 프린터는, 무한궤도로 이루어진 감광벨트 가장자리에 소정의 광을 직접 주사하는 광원과; 상기 광원으로부터 주사된 광을 감지하여 상기 감광벨트의 올바른 진행위치를 감지하는 광감지수단;을 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
    이는 보다 간단한 구조로서 감광벨트의 올바른 진행위치를 감지할 수 있는 감광벨트 에지 감지장치가 개선된 전자 사진 방식 프린터가 제공될 수 있다는 이점이 있다.

    멀티빔레이저스캐너
    32.
    发明公开
    멀티빔레이저스캐너 失效
    多光束激光扫描仪

    公开(公告)号:KR1019980067363A

    公开(公告)日:1998-10-15

    申请号:KR1019970003351

    申请日:1997-02-04

    Inventor: 조성민 이창우

    Abstract: 본 발명은 멀티 빔 레이저 스캐너에 관한 것으로서, 이는 기존의 반도체 레이저에서 실현하기 어려웠던 광원을 기판의 동일면상에 다수개 배치하여 동시에 여러 개의 스폿(Spot) 형성으로, 스캐닝 속도 향상 및 저가격화 하도록 한 것이다.
    이와 같은 본 발명은 반도체 레이저에서 출사된 레이저 빔을 평행 광으로 진행시키는 콜리메이터 렌즈와; 상기 평행 광을 수평방향의 선형 광으로 진행시키는 실린더형 렌즈와; 상기 수평방향의 선형 광을 등선속도로 이동시켜 스캐닝하여 결상용 렌즈를 통해 감광드럼에 점상으로 결상시키는 폴리건 미러로 이루어진 스캐닝 유니트에 있어서, 작은 단면적을 갖고 방향성과 작은 라인폭(line-width)을 제공하는 수직 결정면으로 이루어진 표면조사용 레이저를 기판의 동일면상에 배열하여 상기 콜리메이터 렌즈 및 실린더형 렌즈를 통해 폴리건 미러에 주사하여 주도록 구성함을 특징으로 한다.
    이에 따라 수직 결정면으로 이루어진 표면조사용 레이저 다이오드를 기판의 동일면상에 적당한 간격으로 배열하여 복수의 레이저 빔을 소정간격으로 출사시켜 동시에 스캐닝을 수행함으로서 인쇄속도가 향상될 뿐 아니라 구조가 간단하여 저가격화 할 수 있음을 알 수 있다.

    고속 스위칭 반도체 장치 및 그 제조방법
    33.
    发明授权
    고속 스위칭 반도체 장치 및 그 제조방법 失效
    高速开关半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1019970010739B1

    公开(公告)日:1997-06-30

    申请号:KR1019930030729

    申请日:1993-12-29

    Abstract: A semiconductor device and method for manufacturing the same enhances a switching speed by using a new base pattern and a manufacturing process. The semiconductor device includes: a first conduction-type collector high-density layer substrate and a collector low-density layer substrate; a second conduction-type base region formed on the substrate; a first conduction-type emitter region formed on the base region; a base low-density region formed on the base region by a diffusion of the second conduction-type impurity; an insulation layer partially surrounding the emitter region and the base region; an emitter electrode connected to the surface of the emitter region; a base electrode simultaneously connected to the surface of the base region and the surface of the base low-density region; and a collector electrode connected to the surface of the collector high-density layer.

    Abstract translation: 半导体器件及其制造方法通过使用新的基本图案和制造工艺来提高开关速度。 半导体器件包括:第一导电型集电体高密度层基板和集电极低密度层基板; 形成在基板上的第二导电型基极区域; 形成在基极区上的第一导电型发射极区; 通过所述第二导电型杂质的扩散形成在所述基极区上的基极低密度区域; 部分围绕发射极区域和基极区域的绝缘层; 连接到发射极区域的表面的发射极; 基极同时连接到基极区域的表面和基极低密度区域的表面; 以及与集电体高密度层的表面连接的集电极。

    바이폴라 반도체 장치의 제조방법
    34.
    发明授权
    바이폴라 반도체 장치의 제조방법 失效
    双极晶体管的制作方法

    公开(公告)号:KR1019950013783B1

    公开(公告)日:1995-11-16

    申请号:KR1019920022700

    申请日:1992-11-28

    Abstract: The method for manufacturing bipolar semiconductor device comprises the steps of: preparing a silicon wafer in which one conductivity type of base diffusion region and the other conductivity type of emitter diffusion region are vertically formed at one side of a semiconductor substrate of the other conductivity type and an anode diffusion region of one conductivity type is formed to be distanced from the base diffusion region by a predetermined distance; forming an oxide layer over the whole surface of the wafer and forming a cut-off layer with one of PSG, undoped oxide layer and amorphous insulating layer; selectively etching the cut-off layer and the oxide layer and opening a hole to the anode diffusion region; depositing gold over the hole; diffusing the deposited gold into the substrate; and removing the remaining gold and cut-off layer and forming an electrode for each region.

    Abstract translation: 制造双极半导体器件的方法包括以下步骤:制备其中一个导电类型的基底扩散区和另一个导电类型的发射极扩散区在另一个导电类型的半导体衬底的一侧上垂直形成的硅晶片,以及 一个导电类型的阳极扩散区形成为与基极扩散区隔开预定距离; 在晶片的整个表面上形成氧化物层,并用PSG,未掺杂的氧化物层和非晶绝缘层之一形成截止层; 选择性地蚀刻所述截止层和所述氧化物层并向所述阳极扩散区开一个孔; 在洞上沉积黄金; 将沉积的金扩散到基底中; 并除去剩余的金和截止层并形成每个区域的电极。

    바이폴라 반도체 장치의 제조방법

    公开(公告)号:KR1019940012668A

    公开(公告)日:1994-06-24

    申请号:KR1019920022700

    申请日:1992-11-28

    Abstract: 본 발명은 적어도 하나의 트랜지스터와 빠른 역방향 회복 특성을 갖는 다이오드가 측방향으로 일체로 형성되는 바이폴라 반도체 장치에 관한 것이다.
    상기한 특성을 갖는 다이오드를 형성하기 위하여 선택적으로 다이오드 부분에만 소수 캐리어 제어용 금을 확산시키는 방법이 본 발명에 따라 제공된다.
    이 방법은 상기 트랜지스터의 콜렉터 영역과 다이오드의 캐소드 영역을 이루는 일도전형 반도체 기판의 일측에 반대 도전형의 베이스 확산 영역과 일도전형의 에미터 확산 영역이 수직으로 형성되어 있고 상기 베이스 확상영역과 소정거리를 갖고 반대 도전형의 애노드 확상 영역이 형성되어 있는 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계, 상기 웨이퍼의 전표면에 산화막과 금확산 차단막을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 금확산 차단막과 산화막을 선택적으로 식각하여 상기 애노드 확산 영역에 대한 창을 여는 단계, 상기 창 위에 금을 침적시키는 단계, 상기 침적된 금을 상기 기판속으로 확산시키는 단계, 및 상기 잔류된 금과 금확산 차단막을 제거하고 각 영역에 대한 전극을 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 한다.

    반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법
    37.
    发明公开
    반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법 审中-实审
    半导体器件和半导体器件的操作方法

    公开(公告)号:KR1020170094579A

    公开(公告)日:2017-08-21

    申请号:KR1020160015470

    申请日:2016-02-11

    CPC classification number: H04L43/0858 H04L41/06 H04L43/0876

    Abstract: 반도체장치및 반도체장치의동작방법이제공된다. 반도체장치의동작방법은마스터디바이스(master device)와슬레이브디바이스(slave device) 사이에전송되는복수의요청패킷및 복수의응답패킷을모니터링하고, 상기복수의요청패킷중 미리설정된식별정보에부합하는타겟요청패킷을검출하고, 이벤트카운터(Event Counter)를이용하여, 상기타겟요청패킷을포함하는트랜잭션의이벤트를카운트하고, MO 카운터(Multiple Outstanding Counter)를이용하여, 상기복수의요청패킷중 대응하는응답패킷이아직검출되지않은요청패킷의개수를카운트하고, 상기 MO 카운터의 MO 카운트값의유효성여부를판단하고, 상기 MO 카운트값이유효하지않은값인경우, 상기이벤트카운터를리셋하는것을포함한다.

    Abstract translation: 提供了一种半导体器件和一种操作该半导体器件的方法。 一种操作半导体器件的方法包括:监测在主设备和从设备之间传送的多个请求分组和多个响应分组, 使用事件计数器对包括目标请求分组的事务事件进行计数,并且使用MO计数器(多个未决计数器)产生多个请求分组的对应响应 的分组不属于MO计数值的值确定MO计数值的有效性,和MO计数器计数尚未被检测到,并且有效请求的分组的数目,包括复位事件计数器。

    반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법
    38.
    发明公开
    반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법 审中-实审
    半导体器件和半导体器件的操作方法

    公开(公告)号:KR1020170092951A

    公开(公告)日:2017-08-14

    申请号:KR1020160014250

    申请日:2016-02-04

    Abstract: 반도체장치및 반도체장치의동작방법이제공된다. 반도체장치의동작방법은마스터디바이스(master device)와슬레이브디바이스(slave device) 사이에전송되는복수의요청패킷및 복수의응답패킷을모니터링하고, 상기복수의요청패킷중 미리설정된식별정보에부합하는타겟요청패킷을검출하고, 상기타겟요청패킷과, 상기복수의응답패킷중 상기식별정보에부합하는타겟응답패킷을포함하는트랜잭션(transaction)의레이턴시(latency)를측정하기위한레이턴시카운터(latency counter)의동작을시작하고, 상기복수의응답패킷중 상기타겟응답패킷을검출하고, 상기레이턴시카운터의동작을중지하고, 상기레이턴시카운터로부터상기트랜잭션의레이턴시값을획득하는것을포함한다.

    Abstract translation: 提供了一种半导体器件和一种操作该半导体器件的方法。 一种操作半导体器件的方法包括:监测在主设备和从设备之间传送的多个请求分组和多个响应分组, 等待时间计数器,用于测量包括所述多个响应包中与所述标识信息相对应的所述目标请求包和所述目标响应包的事务的等待时间, 发起操作,检测多个响应分组中的目标响应分组,暂停等待时间计数器的操作,并且从等待时间计数器获得交易的等待时间值。

    식기세척기용 터브, 식기세척기 및 그 제어방법
    39.
    发明公开
    식기세척기용 터브, 식기세척기 및 그 제어방법 审中-实审
    洗碗机,洗碗机及其控制方法

    公开(公告)号:KR1020170065434A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:KR1020160116263

    申请日:2016-09-09

    Abstract: 본발명에따른식기세척기는이중벽 구조를가지는터브를포함하여, 터브의이중벽 구조의내부공간에저장되는물 또는공기로인해세척과정에서의에너지소비를줄일수 있고, 이중벽 구조의내부공간에저장된물을다음세척공정에서사용함에따라물 사용량을감소시킬수 있는구조를가지는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 根据本发明的洗碗机包括具有双壁结构的桶,以减少由于储存在桶的双壁结构的内部空间中的水或空气而导致的洗涤过程中的能量消耗, 并且具有能够减少后续洗涤过程中使用的水量的结构。

    장치들의 위치 측정을 위한 장치 및 방법
    40.
    发明公开
    장치들의 위치 측정을 위한 장치 및 방법 审中-实审
    用于设备位置测量的设备和方法

    公开(公告)号:KR1020170054862A

    公开(公告)日:2017-05-18

    申请号:KR1020150157529

    申请日:2015-11-10

    Abstract: 본개시는센서네트워크(Sensor Network), 사물통신(Machine to Machine, M2M), MTC(Machine Type Communication) 및사물인터넷(Internet of Things, IoT)을위한기술과관련된것이다. 본개시는상기기술을기반으로하는지능형서비스(스마트홈, 스마트빌딩, 스마트시티, 스마트카 혹은커넥티드카, 헬스케어, 디지털교육, 소매업, 보안및 안전관련서비스등)에활용될수 있다. 일실시예에따른전자장치의동작방법은, 장치들간 거리측정을위한데이터를수신하는과정과, 상기데이터에기초하여결정되는상기장치들간 거리들을이용하여상기장치들간 위치들을결정하는과정을포함한다.

    Abstract translation: 本公开涉及用于传感器网络,机器对机器(M2M),机器类型通信(MTC)和物联网(IOT)的技术。 本发明可以基于技术(智能家居,智能楼宇,智能城市,智能卡,连接或汽车,医疗,教育数字,零售,保安和安全服务等)的智能服务可以利用。 在根据一个实施例操作的电子设备,使用过程中和装置之间的距离的方法是基于它接收到用于在设备之间的距离测量数据的数据确定包括:确定所述设备之间的位置的处理 。

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