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公开(公告)号：KR100469655B1
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：KR1020020029787
申请日：2002-05-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F24F1/06
CPC classification number: F24F1/06 , F24F2003/1692
Abstract: PURPOSE: An air conditioner with an oxygen generator is provided to allow an oxygen supply tube to be simply and rapidly connected to an indoor unit, and to efficiently discharge supplied oxygen into a room by connecting the oxygen supply tube to an outlet guide of the indoor unit to supply oxygen generated in the oxygen generator installed in an outdoor unit to the indoor unit. CONSTITUTION: An oxygen supply tube(33) is placed on an outlet(23) placed on a main body(21) of an indoor unit(20) to discharge conditioned air into a room. An outlet guide(26) is installed to the outlet and has a plurality of blades to guide air discharged from the indoor unit into the room. Insertion holes(28) are formed on both of side plates of the outlet guide to allow the oxygen supply tube to penetrate the indoor unit so that the oxygen supply tube is inserted selectively to one of the insertion holes formed on both of the side plates. An end of the oxygen supply tube inserted to the insertion hole is formed with material with flexibility and elasticity to be forcibly inserted to the insertion hole.
Abstract translation: 目的：提供一种具有氧气发生器的空调器，以允许氧气供应管简单且快速地连接到室内单元，并且通过将氧气供应管连接到室内的出口导管而有效地将供应的氧气排放到房间中 将安装在室外单元中的氧气发生器中产生的氧气供应到室内单元。 组成：氧气供应管（33）放置在置于室内机组（20）的主体（21）上的出口（23）上，以将经调节的空气排入室内。 出口引导件（26）安装到出口并具有多个叶片以将从室内单元排出的空气引导到室内。 在出口引导件的两个侧板上形成插入孔（28），以允许氧气供应管穿透室内单元，使得氧气供应管选择性地插入形成在两个侧板上的插入孔中的一个。 插入到插入孔中的氧气供应管的一端形成有具有柔性和弹性的材料以被强制地插入到插入孔中。
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公开(公告)号：KR101980196B1
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：KR1020120143031
申请日：2012-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
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公开(公告)号：KR101878731B1
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：KR1020110129910
申请日：2011-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: B32B3/26 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/7869 , Y10T428/24479
Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는산화물반도체로형성된채널층을포함할수 있다. 상기산화물반도체는 GaZnON을포함할수 있다. 이경우, 상기채널층에서 Ga과 Zn의총 함유량에대한 Ga의비율은 0.5∼4.5 at% 정도일수 있다. 상기 Ga과 Zn의총 함유량에대한 Ga의비율은 1∼3 at% 정도일수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150028122A
公开(公告)日：2015-03-13
申请号：KR1020130106820
申请日：2013-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78648 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G09G3/3648 , G09G2300/0426 , H01L29/4908 , H01L29/78645 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L29/42384
Abstract: 박막 트랜지스터 및 그 구동 방법이 개시된다. 개시된 박막 트랜지스터는, 채널층과, 채널층 하부에 위치되어 채널층의 제1영역을 구동하도록 마련된 하부 게이트 전극 및, 채널층 상부에 위치되어 채널층의 제2영역을 구동하도록 마련된 상부 게이트 전극를 포함한다. 박막 트랜지스터는 하부 게이트 전극과 상부 게이트 전극을 이용하여 하나의 채널층의 전도도를 제어한다.
Abstract translation: 公开了薄膜晶体管及其驱动方法。 所公开的薄膜晶体管包括沟道层，位于沟道层的下侧并驱动沟道层的第一区域的底栅电极和位于沟道的上侧的顶栅电极 并驱动通道层的第二区域。 薄膜晶体管通过使用底栅电极和顶栅极控制一沟道层的导电性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101475411B1
公开(公告)日：2014-12-22
申请号：KR1020080068664
申请日：2008-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78624 , H01L29/66765
Abstract: 폴리실리콘박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된박막트랜지스터는폴리실리콘(poly-Si)으로이루어진활성층상에저농도로도핑된제1 폴리실리콘층및 이제1 폴리실리콘층과같거나고농도로도핑된제2 폴리실리콘층이순차적으로형성된구조를가지며, 제1 폴리실리콘층의내측단부에는누설전류를줄일수 있는 LDD(lightly doped drain) 영역이형성된다.
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公开(公告)号：KR101472798B1
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：KR1020080019304
申请日：2008-02-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: ZnO 계박막트랜지스터의제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터의제조방법은소스/드레인전극을 1회또는 2회의습식에칭에의해패터닝한다. 또한채널층에는플라즈마에대해상대적으로안정적인강한결합력의 SnO, 불화물, 염화물등을함유시킨다. 습식채널에의해채널층의손상, 특히산소결핍등의문제가나타나지않으며, 특히강한결합력의물질이채널층에분포되어있으므로패시베이션층 형성시채널층의손상이억제된다.
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公开(公告)号：KR1020140070344A
公开(公告)日：2014-06-10
申请号：KR1020130097345
申请日：2013-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/26 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: A semiconductor material, a transistor including semiconductor material, and an electronic device including a transistor are provided. The disclosed semiconductor material may include zinc, nitrogen, and fluorine. The semiconductor material may further include oxygen. The semiconductor material may further include a compound, such as, zinc fluorooxynitride, zinc oxynitride containing fluorine, and zinc fluoronitride. The semiconductor material can be used for the channel material of a thin film transistor.
Abstract translation: 提供半导体材料，包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子器件。 所公开的半导体材料可以包括锌，氮和氟。 半导体材料还可以包括氧。 半导体材料还可以包括化合物，例如氟氧氮化锌，含氟的氮氧化锌和氟氮化锌。 半导体材料可用于薄膜晶体管的沟道材料。
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公开(公告)号：KR101375831B1
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020070124382
申请日：2007-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F2203/01
Abstract: 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 이용한 디스플레이 장치가 개시된다. 개시된 디스플레이 장치는, 적어도 하나의 박막 트랜지스터; 및 적어도 하나의 스토리지 캐퍼시터;를 구비하고, 상기 스토리지 캐퍼시터는, 투명한 산화물 반도체로 이루어진 스토리지 전극과, 이 스토리지 전극과 일정 간격으로 두고 대향되게 배치되는 화소 전극을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101345376B1
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020070052226
申请日：2007-05-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: ZnO 계박막트랜지스터및 제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터는복수의반도체층을가지는채널층을포함하며, 최상위의반도체층은플라즈마에의한산소결핍을억제하기위하여하부반도체층에비해낮은 ZnO 농도를가진다. 이에더하여플라즈마에대해상대적으로안정적인강한결합력의 Sn 산화물, 염화물, 불화물등을포함한다. 최상위 반도체층은플라즈마충격에강하며, 플라즈마에노출되었을때 잘분해되지않으며따라서캐리어농도증가가억제된다.
Abstract translation: 公开了一种ZnO基薄膜晶体管及其制造方法。 ZnO基薄膜晶体管包括具有多个半导体层的沟道层，并且为了抑制由等离子体造成的氧缺陷，最上面的半导体层具有比下面的半导体层低的ZnO浓度。 此外，它还包括Sn氧化物，氯化物，氟化物等，它们对等离子体相对稳定并且具有强结合力。 最上面的半导体层耐等离子体冲击并且在暴露于等离子体时不会很好地分解，因此抑制了载流子浓度的增加。
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