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公开(公告)号：KR101580457B1
公开(公告)日：2015-12-28
申请号：KR1020090126593
申请日：2009-12-18
CPC classification number: H04W72/048 , H04W36/0083
Abstract: 복수의셀들을포함하는공통동작집합이설정되며, 공통동작집합에는복수의셀들이다중셀 공통동작을수행할수 있도록공통의무선자원이할당된다. 공통동작집합내의단말들각각에는공통의무선자원내에서고유의업링크무선자원이할당되고, 단말들각각은고유의업링크무선자원을이용하여업링크피드백정보를복수의기지국들모두로전송한다. 따라서, 복수의기지국들각각은모든단말들및 해당기지국사이의무선환경에대한정보를파악할수 있다.
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公开(公告)号：KR101562224B1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：KR1020090035339
申请日：2009-04-23
CPC classification number: H04W36/02
Abstract: 본발명은매크로셀과펨토셀이공존하는무선통신시스템에서핸드오버단절시간을감소시키기위한데이터포워딩장치및 방법에관한것이다. 본발명에따른무선통신시스템에서데이터포워딩을위한단말의동작방법은, 타겟기지국과핸드오버절차를수행완료한후, 서빙기지국과동기를맞추는과정과, 상기서빙기지국으로부터직접무선링크를통해큐에존재하는데이터패킷을포워딩받는과정을포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101478023B1
公开(公告)日：2015-01-02
申请号：KR1020080111241
申请日：2008-11-10
IPC: H04B7/26
Abstract: 본 발명은 휴대 단말기의 셀 재선택 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 셀 재선택 방법은 셀 재선택 시, 셀 재선택 대상이 되는 기지국들의 신호 세기를 측정하는 측정 단계, 상기 측정 결과, 기준 마크로 셀 기지국의 신호 세기가 펨토 셀 기지국의 신호 세기보다 큰 경우, 상기 펨토 셀 기지국의 신호 세기를 스케일링 하는 스케일링 단계 및 상기 스케일링된 펨토 셀 기지국의 신호 세기 및 상기 기준 마크로 셀 기지국의 신호 세기에 따라 셀 재선택에 대한 우선순위를 결정하고, 우선순위가 가장 높은 기지국을 상기 셀 재선택 대상의 기지국으로 선택하는 재선택 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
셀 재선택, 신호 세기, 펨토 셀, 스케일링-
公开(公告)号：KR1020090089985A
公开(公告)日：2009-08-25
申请号：KR1020080015188
申请日：2008-02-20
CPC classification number: H04L29/08333 , H04L5/0057 , H04W16/24 , H04W84/08 , H04W88/04
Abstract: An apparatus and a method for processing a call about a terminal outside of a cell coverage by requesting a call based on peer-to-peer communications are provided to supply a call service to the terminal outside the call coverage by replaying a neighboring terminal to the base station. A broadcast message is not received from a base station for a certain time and recognizes the terminal of the cell coverage outside the terminal(503). When the house request event is generated, help signal is transmitted from the terminal to neighboring terminals in order to request the relay about the call(513). When the response message about help signal is received, the terminal sets up the neighboring terminal transmitting the response message direct(517).
Abstract translation: 提供一种用于通过基于对等通信请求呼叫来处理关于小区覆盖以外的终端的呼叫的装置和方法，以通过将相邻终端重播到呼叫覆盖范围来向呼叫覆盖范围外的终端提供呼叫服务 基站。 在一定时间内没有从基站接收到广播消息，并且识别终端外的小区覆盖的终端（503）。 当生成房屋请求事件时，帮助信号从终端发送到相邻终端，以便请求关于呼叫的中继（513）。 当接收到关于帮助信号的响应消息时，终端设置相邻终端直接发送响应消息（517）。
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公开(公告)号：KR1020090043696A
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：KR1020070109388
申请日：2007-10-30
CPC classification number: H04W72/042 , H04W4/08 , H04W52/383 , H04W72/0446
Abstract: 본 발명은 광대역 무선통신 시스템에서 P2P(Peer to Peer) 통신에 관한 것으로, 단말은, 서빙 기지국으로부터 상향링크 자원 할당 정보를 수신하고, 상기 상향링크 자원 할당 정보를 이용해서 할당되지 않은 잔여 무선자원 영역을 확인하는 확인기와, 상기 잔여 무선자원 영역에 P2P 통신을 위한 P2P 통신 무선자원을 할당하는 자원 할당기와, 상기 P2P 통신 무선자원 할당 정보를 P2P 통신을 수행하는 단말에게 송신하는 통신부를 포함하여, P2P 통신을 위해 단말에게 코디네이터 역할을 부여함으로써, 셀룰러 통신을 위해 사용될 무선자원 손해없이 P2P 통신을 수행할 수 있다.
P2P(Peer to Peer), 코디네이터(coordinator), 슬롯 인덱싱(indexing)-
Patent Agency Ranking36.发明授权수직 구조를 갖는 독립적 및 대칭적인 이중 게이트 구조를 이용한 전자-정공 이중층 터널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 有权具有独立和对称双门的垂直结构化电子双层隧道场效应晶体管的建议和制造方法
公开(公告)号：KR101368191B1
公开(公告)日：2014-02-28
申请号：KR1020130000434
申请日：2013-01-03
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L29/66931 , H01L29/7827
Abstract: The present invention relates to an electronic-hole double layer tunnel field effect transistor, where a source region, a channel and a drain region are arranged at a substrate in a vertical direction, including a double gate structure. The present invention relates to the electronic-hole double layer tunnel field effect transistor and a manufacturing method thereof capable of increasing the degree of integration of the transistor at the substrate by having a vertical structure, being the electronic-hole double layer tunnel field effect transistor by applying different electrodes to the double gate structure, improving the inclination under threshold voltage and increasing operating current by using a double gate p-i-n structure and tunneling between bands, and having an implementable symmetrical double gate structure by proposing a gate of a symmetrical structure.
Abstract translation: 本发明涉及一种电子双层隧道场效应晶体管，其中源极区，沟道和漏极区在垂直方向的衬底上排列，包括双栅结构。 电子双层隧道场效应晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及电子双层隧道场效应晶体管及其制造方法，该晶体管的制造方法能够通过具有垂直结构来提高晶体管在基板上的集成度，作为电子双层隧道场效应晶体管 通过对双栅极结构施加不同的电极，通过使用双栅极引脚结构和带之间的隧穿，提高阈值电压下的倾斜度和提高工作电流，并且通过提出对称结构的栅极具有可实现的对称双栅极结构。
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公开(公告)号：KR101367989B1
公开(公告)日：2014-02-28
申请号：KR1020120143638
申请日：2012-12-11
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: The purpose of the present invention is to provide a transistor having improved performance than a conventional FinFET by manufacturing a UTFinFET having an ultra-thin fin (UTFin) whose thickness is thinner than that of a fin which can be manufactured by a conventional FinFET manufacturing process. In order to achieve the purpose, a semiconductor device according to the present invention comprises a step of forming two Si-UTFins which protrude from a substrate and are formed on both sides of a fin made of Si and SiGe layers using an epitaxy method. The UTFin formed in this method replaces the role of a fin of a conventional FinFET. A UTFin formed using an epitaxy method overcomes a thickness limit which a fin formed by lithography has, and can have a thickness of less than 10 nm. [Reference numerals] (AA) Step of preparing a Si substrate; (BB) Step of forming a SiGe layer; (CC) Step of placing a hard mask on a Si-Fin area by patterning the hard mask on the SiGe layer; (DD) Step of forming a Si-Fin through an etching process; (EE) Step of growing a Si layer on both sides of the Si-Fin and both sides of the SiGe layer in an epitaxy method; (FF) Step of forming a first impurity resign by firstly doping an impurity into a Si-UTFin; (GG) Step of etching the hard mask; (HH) Step of firstly depositing oxide in a region etched while forming the Si-Fin, making an oxide surface even, and etching the oxide; (II) Step of forming two Si-UTFins on both sides of the Si-Fin and both sides of the SiGe layer; (JJ) Step of forming an air filled structure in a space formed by a secondly deposited oxide, the lower part of the Si-UTFin, and the Si-Fin by secondly depositing oxide onto inner walls, outer walls, top between two Si-UTFins under poor step coverage conditions and making an oxide surface even; (KK) Step of depositing a gate stack electrode; (LL) Step of forming source and drain regions which are second and third impurity regions respectively by secondly and thirdly doping on left and right sides of the Si-UTFin
Abstract translation: 本发明的目的是通过制造具有厚度比通过常规FinFET制造工艺制造的鳍片厚度的超薄鳍片（UTFin）的UTFinFET来提供具有比常规FinFET具有改进的性能的晶体管 。 为了实现这一目的，本发明的半导体器件包括从基板突出并且使用外延法在由Si和SiGe层制成的鳍的两侧上形成两个Si-UTFin的步骤。 以该方法形成的UTFin替代了常规FinFET鳍片的作用。 使用外延法形成的UTFin克服了通过光刻形成的翅片的厚度限制，并且可以具有小于10nm的厚度。 （附图标记）（AA）制备Si衬底的步骤; （BB）形成SiGe层的工序; （CC）通过在SiGe层上构图硬掩模，将硬掩模放置在Si-Fin区域上的步骤; （DD）通过蚀刻工艺形成Si-Fin的步骤; （EE）在外延法中在Si-Fin两面和SiGe层的两面上生长Si层的步骤; （FF）通过首先将杂质掺杂到Si-UTFin中来形成第一杂质的步骤; （GG）蚀刻硬掩模的步骤; （HH）在形成Si-Fin的同时蚀刻的区域中首先沉积氧化物，使氧化物表面均匀并蚀刻氧化物的步骤; （II）在Si-Fin两面和SiGe层的两侧形成两个Si-UTFin的步骤; （JJ）在由二次沉积的氧化物形成的空间中形成充气结构的步骤，Si-UTFin的下部和通过将氧化物二次沉积到内壁，外壁，两个Si- UTFins在较差的步骤覆盖条件下，使氧化物表面均匀; （KK）沉积栅堆叠电极的步骤; （LL）通过在Si-UTFin的左侧和右侧二次和三次掺杂而分别形成第二和第三杂质区的源区和漏区的步骤
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公开(公告)号：KR100999463B1
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：KR1020080093232
申请日：2008-09-23
IPC: H04B7/26
Abstract: 본 발명은 휴대 인터넷 단말에서의 옥내용 기지국 탐색 개시 방법에 관한 것으로, 개별적으로 설치되는 옥내용 기지국을 포함하는 휴대 인터넷 환경에서, 휴대 인터넷 단말이 주변 옥외용 기지국으로부터의 수신신호세기에 따라 접근이 허가된 옥내용 기지국 근처에서 옥내용 기지국 탐색을 개시함으로써, 불필요한 전력의 낭비 및 자원의 낭비를 방지하기 위한, 휴대 인터넷 단말에서의 옥내용 기지국 탐색 개시 방법을 제공하고자 한다.
이를 위하여, 본 발명은, 휴대 인터넷 단말에서 옥내용 기지국의 탐색을 개시하는 방법에 있어서, 접근이 허가된 옥내용 기지국에서 측정된 주변 옥외용 기지국으로부터의 수신신호세기 프로파일 정보를 저장하는 수신신호세기 프로파일 정보 저장 단계; 상기 주변 옥외용 기지국을 대상으로 부분 유사도를 산출하여 상기 산출된 부분 유사도가 임계치를 초과하는 옥외용 기지국을 추출하는 옥외용 기지국 추출 단계; 및 상기 추출된 옥외용 기지국을 대상으로 종합 유사도를 산출하여 옥내용 기지국의 탐색을 개시하는 옥내용 기지국 탐색 개시 단계를 포함한다.
휴대 인터넷, 옥내용 기지국 탐색, 수신신호세기 프로파일 정보, 부분 유사 도, 종합 유사도Abstract translation: 目的：提供一种用于开始搜索移动互联网终端中的室内基站的方法，以根据来自相邻室外基站的接收信号强度来搜索被允许接入的室内基站周围的室内基站。 规定：保存在允许访问的室内基站中测量的来自相邻室外基站的RSSI（接收信号强度指示）简档信息（1001）。 计算相邻室外基站的部分相似度（1002,1003）。 提取有效的室外基站。 计算出有效户外基站的总相似度（1004,1006〜1008）。 开始搜索室外基站（1010）。
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39.发明授权옥내용/옥외용 기지국으로 구성된 휴대인터넷 시스템에서핸드오버를 위한 기지국 스캐닝 방법 및 그를 위한 옥내용기지국의 분류 방법 失效混合室内/室外振动系统扫描切换信号的方法及其室内细胞分选方法
公开(公告)号：KR100977117B1
公开(公告)日：2010-08-23
申请号：KR1020080042548
申请日：2008-05-07
IPC: H04B7/26
Abstract: 본 발명은 옥내용/옥외용 기지국으로 구성된 휴대인터넷 시스템에서 핸드오버를 위한 기지국 스캐닝 방법 및 그를 위한 옥내용 기지국의 분류 방법에 관한 것으로, 옥외용 기지국 내에 다수의 옥내용 기지국이 존재하는 휴대인터넷 환경에서 옥외용 기지국에 속한 단말이 옥내용 기지국으로 핸드오버를 수행할 때, 주변 옥내용 기지국을 효율적으로 스캐닝함으로써(옥내용 기지국을 분류하여 분류 특성에 맞게 스캐닝함), 전력소모와 스캐닝 지연시간을 최소화하면서 셀 내에 존재하는 수많은 옥내용 기지국 중 적절한 옥내용 기지국을 탐색할 수 있도록 하기 위한, 기지국 스캐닝 방법 및 그를 위한 옥내용 기지국의 분류 방법과, 상기 방법들을 실현시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체를 제공하고자 한다.
이를 위하여, 본 발명은 옥내용/옥외용 기지국으로 구성된 휴대인터넷 시스템에서 핸드오버를 위한 기지국 스캐닝 방법에 있어서, 단말의 선호도에 기반하여, 옥내용 기지국을 스캐닝 우선순위에 따라 분류하는 단계; 및 주기적으로 주변의 옥내용 기지국을 찾거나 옥내로의 이동이 추정되는 경우, 상기 스캐닝 우선순위에 따라 해당 옥내용 기지국을 순차적으로 스캐닝하는 단계를 포함한다.
옥내용 기지국, 옥외용 기지국, 휴대인터넷, 개인용 옥내 기지국, 공용 옥내 기지국, 우선순위, 스캐닝-
公开(公告)号：KR1020100068169A
公开(公告)日：2010-06-22
申请号：KR1020090063579
申请日：2009-07-13
Abstract: PURPOSE: A location information management device for using the mobile station and a method thereof are provided to enhance reliability through distributed management of the information by forming a plurality of mobile base stations with tree structure. CONSTITUTION: A location information management device comprises a plurality of mobile base stations with the location information of the terminal. The mobile base stations form the tree structure. The mobile base station corresponding to an upper node comprises all mobile base stations corresponding to a lower node of the upper node and the location information of the terminal with all mobile stations. In case the location information of the terminal belonging to the mobile base station corresponding to the lower node is updated, the updated location information is reported to the mobile base station corresponding to the upper node of the lower node.
Abstract translation: 目的：提供一种用于使用移动台的位置信息管理装置及其方法，以通过形成具有树结构的多个移动基站来分散管理信息来提高可靠性。 构成：位置信息管理装置包括具有终端的位置信息的多个移动基站。 移动基站形成树结构。 对应于上层节点的移动基站包括对应于上层节点的较低节点的所有移动基站和具有所有移动台的终端的位置信息。 在更新属于与下层节点对应的移动基站的终端的位置信息的情况下，更新的位置信息被报告给与下层节点的上层节点对应的移动基站。
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