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公开(公告)号：KR1020140136340A
公开(公告)日：2014-11-28
申请号：KR1020130056750
申请日：2013-05-20
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 MTJ 소자를 이용하여 온도변화를 감지하는 온도 감지 센서에 관한 것으로. 본 발명은 외부로부터 전달된 열에너지에 의해 자성 벡터가 역전 가능한 자유층(Free layer)과; 고정된 자화방향을 갖는 고정층(Pinned layer)과; 비자성물질로 상기 자유층과 고정층 사이에 게재되는 터널 베리어; 그리고 소자의 상단 또는 하단에 도전물질로 형성되어 소자 외부의 온도변화에 따라 온도가 변화되는 접촉층을 포함하여 구성되는 자기터널접합(MTJ)소자를 포함하여 구성된다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 개별적인 자화 특성을 갖는 MTJ 소자들을 조합하여 열 감지센서를 구성하므로, 온도변화 량을 정밀하게 측정할 수 있고, 측정범위 역시 다양한 범위로 설계할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用MTJ元件感测温度变化的温度传感器。 温度传感器包括：自由层，其中磁矢量可以由从外部传递的热能反转; 固定层，其具有固定的磁化方向; 隧道势垒，其是插入在自由层和被钉扎层之间的非磁性材料; 以及包括在元件的顶部或底部上由导电材料形成并且其温度随外部温度变化而变化的接触层的磁隧道结（MTJ）元件。
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公开(公告)号：KR101448555B1
公开(公告)日：2014-10-13
申请号：KR1020130056748
申请日：2013-05-20
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: The present invention relates to a temperature detection sensor which detects a change in temperature using a spin torque oscillator. The temperature detection sensor using a spin torque oscillator includes a pinned layer having a fixed magnetization direction; a free layer having a variably rotated magnetization direction; a spacer made of a nonmagnetic substance and interposed between the free layer and the pinned layer; and a spin torque oscillator including a contact layer made of a conductive material at an upper end or a lower end of an element to have a temperature changed in accordance to the change in the temperature outside the element, thereby providing a temperature detection sensor with nano-scale precision.
Abstract translation: 本发明涉及使用自旋转矩振荡器来检测温度变化的温度检测传感器。 使用自旋转矩振荡器的温度检测传感器包括具有固定的磁化方向的钉扎层; 具有可变旋转的磁化方向的自由层; 由非磁性物质制成的间隔物，并置于自由层和钉扎层之间; 以及旋转扭矩振荡器，其包括在元件的上端或下端由导电材料制成的接触层，以使温度根据元件外部温度的变化而变化，从而提供具有纳米尺寸的温度检测传感器 标准精度。
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公开(公告)号：KR101438797B1
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：KR1020130015754
申请日：2013-02-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본원 발명은 수직 나노구조를 이용하여 광학 기기 등을 제작하는 방법으로, Si, Ge 등의 단결정 반도체 기판, GaAs, InP 등의 III-V 화합물 반도체 기판, SOI (silicon on insulator) 기판 중 적어도 어느 하나인 기판을 준비 단계, 상기 세정된 기판 상에 리소그라피(Lithography) 방법, 셀프 어셈블리 템플릿(Self-assembly template) 방법 중 어느 하나 이상의 방법을 이용하여 원하는 수직 나노 구조를 패터닝 하는 단계, 금, 은, 백금 등의 금속 중 어느 하나, 둘 이상의 조합을 포함하는 촉매 금속을 최종적으로 완성하고자 하는 수직 나노구조의 역상 패턴으로 기판 상부에 증착하는 단계, 불산(HF)과 과산화수소(H
2 O
2 ) 혼합 수용액에 담지하는 금속 촉매 식각 방법을 이용하여 수직 나노구조를 제작하는 단계 등을 이용한다.
이를 통해, 금속 촉매 식각 방법을 이용하여 격자 구조를 제작함으로써, 보다 더 미세하고, 정교한 패턴들을 용이하게 제작하고자 한다.
이와 같이 제작된 SWG 구조를 가진 나노 구조를 갖는 광학 기기는 기존의 건식 식각을 이용하여 제작된 구조에 비하여 보다 더 효과적인 성능을 가질 수 있다.-
4.发明公开독립적으로 구동이 가능하고 다른 일함수를 가지는 이중 게이트 구조를 포함하는 전자-정공 이중층 터널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 有权独立和不同的工作原理双电位孔双层隧道场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140088658A
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：KR1020130000433
申请日：2013-01-03
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823821 , H01L29/66795 , H01L29/7855
Abstract: The present invention relates to an electron-hole bilayer tunnel field effect transistor having a symmetric PMOS and NMOS double gate structure and a fabrication method for the same. The electron-hole bilayer tunnel field effect transistor increases an operation current and a gradient under a threshold voltage by using a double gate p-i-n structure and tunneling between bands and reduces supply power by decreasing the threshold voltage which has a symmetric double gate structure which can be realized by a gate of a symmetric structure.
Abstract translation: 本发明涉及具有对称PMOS和NMOS双栅极结构的电子 - 空穴双层隧道场效应晶体管及其制造方法。 电子 - 空穴双层隧道场效应晶体管通过使用双栅极引脚结构和带间隧穿，增加阈值电压下的工作电流和梯度，并通过降低具有对称双栅极结构的阈值电压来降低电源功率，该阈值电压可以是 由对称结构的门实现。
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公开(公告)号：KR101470907B1
公开(公告)日：2014-12-09
申请号：KR1020130056749
申请日：2013-05-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/105
Abstract: 본발명은 Polarized 층없이고주파신호를생성하는스핀토크오실레이터에관한것으로, 본발명은고정된자화방향을갖는고정층(Pinned layer)과; 가변적으로회전되는자화방향을갖는자유층(Free layer)과; 비자성물질로상기자유층과고정층사이에게재되는비자성층(Spacer)을포함하여구성된다. 이와같은본 발명은 Polarizer 층없이 STO를구현하므로, 소자구성 Layer가간단해지고, 이에따라생산공정이단순화되는장점이있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101438508B1
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：KR1020130062568
申请日：2013-05-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/86 , H01L31/00 , H01L33/00 , H01L29/868
Abstract: The present invention relates to a light emitting diode using spin injection by a seebeck spin tunneling effect occurring in a magnetic tunnel structure and a polarity of light emitted when an injected charge carrier having a spin polarity is recombined and a thermal sensor using the same. The present invention comprises a contact layer disposed at an upper end of a device and formed of a metallic conductive material to transfer external heat to the inside of the device; a magnetic layer made up of a ferromagnetic metallic material to make current with a spin polarity of the same direction as a magnetic vector flow by thermal energy transferred from the outside; a semiconductor layer disposed at a lower part of the magnetic layer; and a tunnel barrier disposed between the magnetic layer and the semiconductor layer and formed of a nonmagnetic metal material to discriminate the magnetic layer from the semiconductor layer. The present invention can reuse the thermal energy to emit the light and does not need other special electric energy, thereby providing the light emitting diode with excellent energy efficiency.
Abstract translation: 本发明涉及一种发光二极管，其通过在磁隧道结构中发生的看见自旋隧穿效应和当具有自旋极性的注入电荷载体重新组合时发射的光的极性和使用其的热传感器来使用自旋注入。 本发明包括设置在装置的上端并由金属导电材料形成以将外部热量传递到装置内部的接触层; 由铁磁性金属材料构成的磁性层，通过从外部传递的热能，使具有与磁矢量流相同方向的自旋极性的电流; 设置在所述磁性层的下部的半导体层; 以及隧道势垒，其设置在所述磁性层和所述半导体层之间，并且由非磁性金属材料形成以区分所述磁性层与所述半导体层。 本发明可以重新利用热能发光并且不需要其他特殊的电能，从而为发光二极管提供优异的能量效率。
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公开(公告)号：KR101367988B1
公开(公告)日：2014-02-28
申请号：KR1020120142808
申请日：2012-12-10
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: The purpose of the present invention is to provide a transistor having improved performance than a conventional FinFET by manufacturing a UTFinFET having an ultra-thin fin (UTFin) whose thickness is thinner than that of a fin which can be manufactured by a conventional FinFET manufacturing process. In order to achieve the purpose, a semiconductor device according to the present invention comprises a step of forming two Si-UTFins which protrude from a substrate and are formed on both sides of a fin made of Si and SiGe layers using an epitaxy method. The UTFin formed in this method replaces the role of a fin of a conventional FinFET. A UTFin formed using an epitaxy method overcomes a thickness limit which a fin formed by lithography has, and can have a thickness of less than 10 nm. [Reference numerals] (AA) Step of preparing a Si substrate; (BB) Step of forming a SiGe layer; (CC) Step of placing a hard mask on a Si-Fin area by patterning the hard mask on the SiGe layer; (DD) Step of forming a Si-Fin through an etching process; (EE) Step of growing a Si layer on both sides of the Si-Fin and both sides of the SiGe layer in an epitaxy method; (FF) Step of forming a first impurity doped resign by firstly doping an impurity into a Si-UTFin; (GG) Step of etching the hard mask; (HH) Step of firstly depositing oxide in a region etched while forming the Si-Fin, making an oxide surface even, and etching the oxide; (II) Step of forming two Si-UTFins on both sides of the Si-Fin and both sides of the SiGe layer; (JJ) Step of forming an intermediate dielectric layer by filling dielectric material between two Si-UTFins; (KK) Step of leaving the intermediate dielectric layer between two Si-UTFins and removing the intermediate dielectric layer on outer walls of two Si-UTFins through an etching process; (LL) Step of secondly depositing oxide on the outer walls of two Si-UTFins and the intermediate dielectric layer and making an oxide surface even; (MM) Step of depositing a gate stack electrode; (NN) Step of forming source and drain regions which are second and third impurity regions respectively by secondly and thirdly doping on left and right sides of the Si-UTFin
Abstract translation: 本发明的目的是通过制造具有厚度比通过常规FinFET制造工艺制造的鳍片厚度的超薄鳍片（UTFin）的UTFinFET来提供具有比常规FinFET具有改进的性能的晶体管 。 为了实现这一目的，本发明的半导体器件包括从基板突出并且使用外延法在由Si和SiGe层制成的鳍的两侧上形成两个Si-UTFin的步骤。 以该方法形成的UTFin替代了常规FinFET鳍片的作用。 使用外延法形成的UTFin克服了通过光刻形成的翅片的厚度限制，并且可以具有小于10nm的厚度。 （附图标记）（AA）制备Si衬底的步骤; （BB）形成SiGe层的步骤; （CC）通过在SiGe层上构图硬掩模，将硬掩模放置在Si-Fin区域上的步骤; （DD）通过蚀刻工艺形成Si-Fin的步骤; （EE）在外延法中在Si-Fin两面和SiGe层的两面上生长Si层的步骤; （FF）通过首先将杂质掺杂到Si-UTFin中形成第一杂质掺杂的步骤; （GG）蚀刻硬掩模的步骤; （HH）在形成Si-Fin的同时蚀刻的区域中首先沉积氧化物，使氧化物表面均匀并蚀刻氧化物的步骤; （II）在Si-Fin两面和SiGe层的两侧形成两个Si-UTFin的步骤; （JJ）通过在两个Si-UTF之间填充介电材料形成中间介电层的步骤; （KK）通过蚀刻工艺在两个Si-UTFins之间离开中间介电层并去除两个Si-UTFin的外壁上的中间介电层; （LL）在两个Si-UTFin和中间介电层的外壁上二次沉积氧化物并使氧化物表面均匀的步骤; （MM）沉积栅堆叠电极的步骤; （NN）通过在Si-UTFin的左侧和右侧二次和三次掺杂而分别形成第二和第三杂质区的源区和漏区的步骤
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公开(公告)号：KR1020130084562A
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：KR1020120005434
申请日：2012-01-17
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L29/0669 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , H01L21/02603 , H01L29/413
Abstract: PURPOSE: A nano device of a vertical nanowire structure using graphene and a method for forming the same are provided to prevent upper layer metals from penetrating into the gaps of nanowires by inserting graphene between nanowires and an upper layer in a nano device of a vertical nanowire structure. CONSTITUTION: A nano device comprises a plurality of nanowires (20), a graphene layer (30), and an upper layer. The nanowires are vertically stood on a substrate (10) at a predetermined interval. The graphene layer is formed on the upper end of the nanowires. The upper layer is formed on the upper side of the graphene layer. The upper layer is a metal electrode (40). A method for forming a nano device comprises the steps of: vertically forming a plurality of nanowires on a substrate at a predetermined interval; transferring a pre-grown graphene layer to the upper end of the nanowires; and pattering to form an upper layer on the graphene layer.
Abstract translation: 目的：提供使用石墨烯的垂直纳米线结构的纳米器件及其形成方法，以通过在垂直纳米线的纳米器件中的纳米线和上层之间插入石墨烯来防止上层金属渗透到纳米线的间隙中 结构体。 构成：纳米器件包括多个纳米线（20），石墨烯层（30）和上层。 以预定间隔将纳米线垂直地放置在基板（10）上。 石墨烯层形成在纳米线的上端。 上层形成在石墨烯层的上侧。 上层是金属电极（40）。 一种形成纳米器件的方法包括以下步骤：在衬底上以预定间隔垂直形成多个纳米线; 将预生长的石墨烯层转移到纳米线的上端; 并图案化以在石墨烯层上形成上层。
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公开(公告)号：KR1020140141154A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020130062570
申请日：2013-05-31
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L33/0008 , H01L35/30 , H01L41/02 , H04Q9/00
Abstract: 본 발명은 자기터널구조에서 일어나는 스핀 제벡 터널링 효과에 의한 스핀 주입과 스핀 극성을 가지는 주입 전하 운반자가 재결합할 때 방출하는 빛의 극성을 이용하는 광방출 다이오드를 적용한 리모트콘트롤러에 관한 것으로. 본 발명은 소자 상단에 구비되어 외부열을 소자 내부로 전달하도록, 금속성 도전 물질로 형성되는 접촉층과; 외부로부터 전달된 열에너지에 의해 자성 벡터(vector)와 같은 방향의 스핀 극성을 띠는 전류를 흘려주기 위해 강자성 금속물질로 구성되는 자유층(Free layer)과; 상기 자유층 하부에 구비되는 반도체층; 그리고 상기 자유층 및 반도체층 사이에 구비되어 상기 자유층과 반도체층을 구분하도록 비자성 금속물질로 형성되는 터널배리어를 포함하는 스핀열전 발광소자를 이용하여 구성되며, 이러한 리모트콘트롤러 시스템의 열전 효과를 높이기 위한 하우징과 터치플레이트 그리고 출력되는 광신호를 구분시켜주기 위한 방법들을 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 열에너지를 재활용하여 빛을 방출하는데 사용할 수 있으므로, 별도의 전기 에너지가 필요하지 않으므로, 에너지 효율면에서 뛰어난 리모트콘트롤러 시스템을 제공할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种采用发光二极管的遥控器，该发光二极管使用在磁性隧道结构中发生的具有自旋注入和自旋极化引起的自旋极化的注入电荷载流子发射的光的偏振， 。 该自旋式热电发光器件包括：接触层，其设置在器件的上端并由金属导电材料形成以将外部热传递到器件中; 由铁磁金属材料形成的自由层，以允许在磁矢量的方向上具有自旋极化的电流通过从外部传递的热能流动; 形成在自由层的下部的半导体层; 以及设置在自由层和半导体层之间并由非磁性金属材料形成以将自由层与半导体层区分开的隧道势垒。 遥控器包括用于改善遥控器系统和触摸板的热电效应的壳体。 还提供了区分输出光信号的方法。 根据本发明，热能可以被再循环以用于发射光，因此不需要额外的电能。 因此，可以提供具有高能量效率的遥控器系统。
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公开(公告)号：KR101470913B1
公开(公告)日：2014-12-09
申请号：KR1020130056752
申请日：2013-05-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/105
Abstract: 본발명은자기터널접합소자를구성하는고정층을공유하는 MTJ 어레이및 이의제조방법에관한것으로. 본발명은병렬로연결된복수개의자기터널접합소자로구성되는자기터널접합소자어레이에있어, 고정된자화방향을갖고, 상기자기터널접합소자어레이에대하여단일공유층으로형성되는고정층(Pinned layer)과; 가변적으로역전되는자화방향을갖고, 상기복수개의자기터널접합소자에대하여각각개별적으로분할되어형성되는구분된자유층(Free layer)들과; 상기고정층과자유층사이그리고인접한상기자유층들사이에형성되는비자성층(Spacer)을포함하여구성된다. 이와같은본 발명에의하면다수층의 layer로구성된 MTJ 어레이를구성함에있어, 식각영역을최소화하여, 제조공정상에서소자의설계특성과생산된소자특성과의차이점이최소화할수 있는장점이있다.
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