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公开(公告)号：KR100806130B1
公开(公告)日：2008-02-22
申请号：KR1020060065212
申请日：2006-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28273
Abstract: 불휘발성 메모리 장치의 제조방법은, 먼저 반도체 기판 상에 터널 산화막과 폴리실리콘층을 순차적으로 형성한다. 이어서 상기 폴리실리콘층을 질화 처리하여 상기 폴리실리콘층의 표면 부위를 제1 질화막으로 개질한다. 상기 제1 질화막에 대하여 산소 라디칼을 이용하는 라디칼 산화 처리를 수행하여 상기 제1 질화막을 산질화막으로 개질한다. 상기 산질화막 상에 저압 화학 기상 증착 방법을 이용하여 하부 산화막을 형성하고, 상기 하부 산화막 상에 제2 질화막 및 상부 산화막을 순차적으로 형성한다. 상기 상부 산화막 상에 도전층을 형성한다. 이로써, 상기 폴리실리콘층과 도전층 사이에 형성되는 다층 구조의 층간유전막의 누설전류 특성을 열화시키지 않으면서 상기 층간유전막의 커패시턴스를 증가시킬 수 있다.
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32.发明授权트렌치 소자 분리 방법, 이를 이용한 게이트 구조물 형성방법 및 불 휘발성 메모리 소자 형성 방법 失效用于沟槽隔离的方法，使用沟槽隔离方法形成栅极结构的方法和使用沟槽隔离方法形成非易失性存储器件的方法
公开(公告)号：KR100801062B1
公开(公告)日：2008-02-04
申请号：KR1020060063897
申请日：2006-07-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/76232
Abstract: 액티브 영역을 한정하는 트렌치 소자 분리 방법에 있어서, 기판 상에, 상기 기판을 부분적으로 노출시키는 제1 개구를 한정하며 패드 산화막 패턴 및 상기 패드 산화막 패턴보다 넓은 선폭을 갖는 질화막 패턴이 적층된 마스크 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 패드 산화막 패턴에 의해 노출된 기판 표면의 일부를 제거하여, 상기 제1 개구와 연통되고 측벽이 제1 경사를 갖는 제2 개구를 형성하고, 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 마스크 패턴에 의해 노출된 기판을 식각하여, 상기 제2 개구와 연통되고 상기 제2 개구보다 폭이 좁고 측벽이 상기 제1 경사보다 급한 제2 경사를 갖는 트렌치를 형성한다. 계속해서, 상기 제1 개구, 제2 개구 및 트렌치를 완전히 채우는 절연막을 형성하여 소자 분리 영역을 완성한다. 상기 소자 분리 영역을 형성함으로써, 중앙 부위는 평평하고 에지 부위가 완만하게 경사진 액티브 영역을 형성할 수 있다.
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