公开(公告)号：KR102136650B1

公开(公告)日：2020-07-23

申请号：KR1020130157551

申请日：2013-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형기 ,  고태준 ,  김승민 ,  나정산 ,  이형진

IPC: G09F9/00

公开(公告)号：KR1020170075617A

公开(公告)日：2017-07-03

申请号：KR1020160015043

申请日：2016-02-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김대영 ,  김종빈 ,  김형기 ,  이영민 ,  정영욱 ,  조재학 ,  차영덕

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1335

Abstract: 본발명은광원에서조사되는광을도광판에대응되는구성없이반사부재를통하여디스플레이패널측으로광을반사시키는디스플레이장치에관한것으로광원에서조사되는광이균일하게반사부재에도달되어균일한광이디스플레이패널에입사될수 있도록복수의광원이기판상에서지그재그형상으로배열되며복수의관원간의간격이불균일하게형성되어기판이반사부재의일측에배치되어도반사부재의전체면적에균일하게광을조사할수 있다.

Abstract translation: 本发明是达到入射的光经由反射部件，而不对应于显示装置的光导板的配置为向所述显示面板的光反射到yigyunil反射构件由所述光源照射均匀汉王显示面板由所述光源照射的光 被布置在交错图案具有多个光源的基板上所形成的多个标尺之间的非均匀间隔可照射至可以在bujaeui总面积的光反射被布置在反射bujaeui均匀的一侧上的基片。

公开(公告)号：KR1020170072455A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：KR1020150180616

申请日：2015-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형기

IPC: H01L21/68

Abstract: 신호기반웨이퍼정렬방법이제공된다. 웨이퍼에대하여샷 피치의정수배만큼 X축방향으로이격된 Y축방향두 라인을따라광 스캔을하였을때 생기는두 반사광을제1 및제2 전기신호로변환하고, 그두 전기신호간의오프셋을산출한다. 오프셋과두 라인의이격거리를이용하여, X축방향에대한웨이퍼의경사각을산출하고, 그경사각만큼웨이퍼를회전시켜웨이퍼를 X축및 Y축에대하여예비정렬한다. 예비정렬된웨이퍼에대하여 X축및 Y축방향으로광 스캔하였을때 생기는반사광을제3 및제4 전기신호로변환한다. 그두 전기신호를이용하여다이레이아웃을도출하고, 그를통해다이의시작점, 끝점, 중간점등을산출한다. 그중간점을다이의원점을정의하여, 다이에대한정밀정렬을수행한다.

Abstract translation: 提供基于信号的晶片对准方法。 当沿着两个齿距的线拍摄的协议设置成在X轴方向间隔开的用于晶片hayeoteul Y轴方向的光扫描转换在两个反射由第一mitje第二电信号的光，并计算geudu电信号之间的偏移。 使用的分离距离和两条线的偏移量，它计算晶片的X轴方向的倾斜角，并且通过旋转该晶片作为倾斜在X轴和Y轴的角度为晶片上的预对准。 当预先对准的晶片在X轴和Y轴方向上被光学扫描时产生的反射光被转换成第三和第四电信号。 通过使用电信号导出模具布局，并且计算模具的起点，终点和中间照明。 中点被定义为在模具上执行精确对准的模具的原点。

公开(公告)号：KR100806130B1

公开(公告)日：2008-02-22

申请号：KR1020060065212

申请日：2006-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이웅 ,  지정근 ,  김형기 ,  박정현 ,  손호민 ,  장원준

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28273

Abstract: 불휘발성 메모리 장치의 제조방법은, 먼저 반도체 기판 상에 터널 산화막과 폴리실리콘층을 순차적으로 형성한다. 이어서 상기 폴리실리콘층을 질화 처리하여 상기 폴리실리콘층의 표면 부위를 제1 질화막으로 개질한다. 상기 제1 질화막에 대하여 산소 라디칼을 이용하는 라디칼 산화 처리를 수행하여 상기 제1 질화막을 산질화막으로 개질한다. 상기 산질화막 상에 저압 화학 기상 증착 방법을 이용하여 하부 산화막을 형성하고, 상기 하부 산화막 상에 제2 질화막 및 상부 산화막을 순차적으로 형성한다. 상기 상부 산화막 상에 도전층을 형성한다. 이로써, 상기 폴리실리콘층과 도전층 사이에 형성되는 다층 구조의 층간유전막의 누설전류 특성을 열화시키지 않으면서 상기 층간유전막의 커패시턴스를 증가시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100801062B1

公开(公告)日：2008-02-04

申请号：KR1020060063897

申请日：2006-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 지정근 ,  장원준 ,  이웅 ,  손호민 ,  이원준 ,  김형기 ,  박정현

IPC: H01L21/76 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 액티브 영역을 한정하는 트렌치 소자 분리 방법에 있어서, 기판 상에, 상기 기판을 부분적으로 노출시키는 제1 개구를 한정하며 패드 산화막 패턴 및 상기 패드 산화막 패턴보다 넓은 선폭을 갖는 질화막 패턴이 적층된 마스크 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 패드 산화막 패턴에 의해 노출된 기판 표면의 일부를 제거하여, 상기 제1 개구와 연통되고 측벽이 제1 경사를 갖는 제2 개구를 형성하고, 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 마스크 패턴에 의해 노출된 기판을 식각하여, 상기 제2 개구와 연통되고 상기 제2 개구보다 폭이 좁고 측벽이 상기 제1 경사보다 급한 제2 경사를 갖는 트렌치를 형성한다. 계속해서, 상기 제1 개구, 제2 개구 및 트렌치를 완전히 채우는 절연막을 형성하여 소자 분리 영역을 완성한다. 상기 소자 분리 영역을 형성함으로써, 중앙 부위는 평평하고 에지 부위가 완만하게 경사진 액티브 영역을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100309108B1

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：KR1019970074154

申请日：1997-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형기

IPC: G06F3/023 ,  G06F3/0481

Abstract: PURPOSE: A key input method using a touch screen is provided to input a key though a touch screen without hiding an application screen by overlapping the screen of a touch screen keyboard on a part of the touch screen input/output screen. CONSTITUTION: The method comprises the steps of overlapping a touch screen keyboard on an application screen if a user inputs an 'on' key through the touch screen keyboard while an application screen is displayed on the touch screen input/output part(206), examining that the position touched by a pen is in the area of touch screen keyboard if it is detected that the key is pen-touched through the touch screen input/output part(210), receiving the key input as the input from the touch screen keyboard if the position touched by a pen is in the area of touch screen keyboard(212), receiving the key input as the input from the application screen if the position touched by a pen is out of the area of touch screen keyboard(214), and deleting the touch screen keyboard if the touch screen 'off' key is inputted(216).

公开(公告)号：KR100240250B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019970004370

申请日：1997-02-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형기

IPC: G06F13/00

Abstract: 본 발명의 직렬 데이터 송수신 장치는 클락 라인을 이용하여 목적지의 어드레스를 지정한다. 데이터 송수신이 없는 경우 송신측과 수신측간에 연결된 데이터라인 및 클락 라인은 각기 하이 레벨을 유지한다. 송신측은 어드레스를 전송하기 위해 클락 라인을 로우 레벨로 천이 시킨다. 그리고 이어 데이터 라인을 로우 레벨로 천이 시킨다. 수신측은 클락 라인이 로우 레벨로 유지되는 상ㅌ에서 데이터 라인이 하이 레벨에서 로우레벨로 천이 되는 폴링 에지(falling edge)를 감지하면 어드레스 수신을 대기한다. 송신측은 데이터 라인이 로우 레벨로 유지되는 구간에서 클락 라인을 통해 전송되는 펄스의 수를 카운트한다. 수신측은 카운트 결과가 자신의 어드레스에 해당되면 이어 송신측으로부터 데이터라인을 통해 전송되어오는 데이터를 수신한다.

公开(公告)号：KR100170242B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019910015773

申请日：1991-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형기 ,  손춘배 ,  강석희

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 열산화막 형성방법에 관한 것으로, 열산화막 제조방법에 있어서, 1단계 산화온도에서 최종 산화막 두께의 50%에 해당하는 두께만큼 산소와 TCA가 함유된 혼합가스로 산화막을 성장시킨 후, 2단계 산화온도로 상승시켜 산소와 수소가 혼합된 분위기에서 나머지 50% 두께만큼 산화시킨 다음 어닐링을 행하여 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 본 발명에 의하면, 종래 방법에 의해 형성된 산화막보다 산화막 특성이 우수한 얇은 산화막의 형성이 가능하게 됨에 따라 디바이스에의 적용시 신뢰성을 향상시키는데 기여할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019990011571A

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019970034709

申请日：1997-07-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형기

IPC: H01R13/44

Abstract: 본 발명의 콘센트는 외부로부터 전원 라인을 통하여 공급되는 전원과 연결되는 전원 단자가 내장된 몸체와 몸체의 일면에 소정 깊이로 형성되고, 저면에는 전원 단자와 대응되도록 단자홀이 형성된 수납부 그리고, 수납부에 회동가능하도록 결합되고, 일면에 플러그가 결합되며, 소정 각도로 회동되었을 때 플러그의 단자가 단자홀을 통하여 전원 단자와 전기적으로 연결되는 회전부재를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019980057877A

公开(公告)日：1998-09-25

申请号：KR1019960077180

申请日：1996-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형기

IPC: H04N7/15

Abstract: 개시된 내용은 루프백(loopback)기능을 이용하여 강사단말과 교육참가단말들을 연결하는 원격교육을 위한 다지점제어장치에 관한 것이다. 본 발명은 루프백(loopback)으로 각 단말들을 연결함으로써 기존의 화상회의시스템을 위한 다지점제어장치(MCU)보다 구성이 간단하며, 보다 간편하게 원격교육을 위한 다자간 연결을 할 수 있는 잇점을 제공한다.