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31.发明授权
公开(公告)号：KR101788082B1
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：KR1020160023501
申请日：2016-02-26
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: C07F7/08 , H01L21/205 , B05D3/02 , C09D183/04 , C09D7/12
CPC classification number: C07F7/1836 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L23/5329
Abstract: 환형의유기폴리올을이용한반응형기공형성제와이를이용하여제조된초저유전박막에관한것으로서, 더욱자세하게는 500℃이내의온도에서완전히열분해되는특성을갖는환형의유기폴리올화합물로, 상기환형의유기화합물의말단하이드록시기를알킬알콕시실란의반응성기로치환하여반응형기공형성제로사용하면열처리시 탄소잔여물을남기지않으면서도유기실리케이트의졸-겔반응에참여하여상분리를억제함으로써균일한크기의기공형성이가능하므로기공률대비기계적물성이우수한초저유전박막을형성하게되는신규의환형유기폴리올및 상기재가남지않는환형유기폴리올을이용한반응형기공형성제및 이를이용하여제조된초저유전박막에관한것이다.
Abstract translation: 它涉及的致孔剂的反应类型，并使用此制备在环形使用有机多元醇，更具体地在低于500℃，是完全热分解的环状具有特性的有机多元醇化合物的温度超低介电膜中，环状有机的 该化合物末端的羟基烷基烷氧基时取代反应性基团使用的零响应致孔剂甚至有机如果离开热处理时通过抑制相分离而形成均匀尺寸的溶胶 - 孔隙的硅烷的残炭硅酸盐参与凝胶反应 二价的性能，因为涉及超低电介质薄膜相比，通过形成新的环状有机多元醇，并使用该第一以及响应致孔剂与有机环状多元醇制备的超低介电膜具有优异的机械性能，其中，所剩下的是孔隙率的材料。
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32.发明公开프로톤 주게와 프로톤 받게를 갖는 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산을 포함하는 탄화수소계 나노 복합막 및 이의 제조방법 审中-实审包含具有质子受体和质子受体的多面体低聚倍半硅氧烷的烃基纳米复合膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170107633A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：KR1020160031069
申请日：2016-03-15
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: 본발명은프로톤주게(proton donor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)과프로톤받게(proton acceptor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)이술폰기를갖는방향족탄화수소고분자막에도입된양성자전도성나노복합막및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의나노복합막에는양성자주게를갖는 POSS와양성자받게를갖는 POSS가함께첨가되어있어발생된양성자(양이온)가이온채널내에서수소결합을통해쉽게호핑(hopping)되어이온전도도가증가된다. 또한, 본발명에사용된 POSS는그 크기가매우작아고분자막내 이온채널에서양성자의이동을거의방해하지않으므로우수한양성자전도도를구현할수 있다. 또한, 본발명에의한양성자전도성나노복합막은고분자막의술폰화도를높였음에도불구하고우수한기계적강도를보여준다.
Abstract translation: 具有供体质子（质子供体）甲氧基药剂倍半硅氧烷（POSS）和质子的本发明寡桶多面体接收具有（质子受体）甲氧基倍半硅氧烷药剂芳香烃（POSS）由具有多面体砜寡核苷酸桶 导入到聚合物膜中的质子传导性纳米复合膜及其制造方法。 容易跳频的纳米复合材料薄膜（跳频）通过氢键已经产生其添加与POSS与配件POSS与质子供体（阳离子）质子质子是本发明的离子通道增大了离子电导率。 另外，本发明中使用的POSS neungeu的尺寸小很少阻碍质子的移动在聚合物膜的离子通道可以实现优异的质子传导性。 而且，根据本发明的质子传导纳米复合材料膜尽管增加了聚合物膜的磺化度，但表现出优异的机械强度。
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33.发明公开
公开(公告)号：KR1020170018237A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：KR1020150111635
申请日：2015-08-07
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 서강대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/5253 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08K3/36 , C08K9/06 , C08L83/04 , C09D5/4419 , C09D5/448 , H01L51/0034 , H01L51/0094 , H01L51/107 , H01L51/448 , Y02E10/549 , C08L83/06
Abstract: 고분자필름형성용조성물, 이로부터제조된고분자필름및 상기고분자필름을포함한전자소자가제공된다.
Abstract translation: 在式1中，A可以是接枝到无机颗粒上的部分，B可以是能够与聚合物基质反应的部分，R 1和R 2可各自独立地选自烷基和烷氧基，R 11，R 12，R 21， R 22，R 31和R 32可各自独立地选自部分B，烷基和烷氧基，I，n和m可以表示各个重复单元的数目。
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34.发明公开프로톤 주게와 프로톤 받게를 갖는 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산을 포함하는 탄화수소계 나노 복합막 및 이의 제조방법 有权包含聚合低聚硅烷氧基硅烷的磺化烃纳米复合膜与原子共轭体和原子接收体及其制备方法
公开(公告)号：KR1020160110578A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150032309
申请日：2015-03-09
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01M8/10
CPC classification number: H01M8/1048 , H01M8/1037 , H01M2008/1095 , H01M2300/0082
Abstract: 본발명은프로톤주게(proton donor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)과프로톤받게(proton acceptor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)이술폰기를갖는방향족탄화수소고분자막에도입된양성자전도성나노복합막및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의나노복합막에는양성자주게를갖는 POSS와양성자받게를갖는 POSS가함께첨가되어있어발생된양성자(양이온)가이온채널내에서수소결합을통해쉽게호핑(hopping)되어이온전도도가증가된다. 또한, 본발명에사용된 POSS는그 크기가매우작아고분자막내 이온채널에서양성자의이동을거의방해하지않으므로우수한양성자전도도를구현할수 있다. 또한, 본발명에의한양성자전도성나노복합막은고분자막의술폰화도를높였음에도불구하고우수한기계적강도를보여준다.
Abstract translation: 本发明涉及质子传导纳米复合膜，其中具有质子供体的多面体低聚倍半硅氧烷（POSS）和具有质子受体的POSS引入到磺化芳族烃聚合物膜中，并且还涉及一种制备 相同。 将具有质子供体的POSS和具有质子受体的POSS添加到本发明的纳米复合膜中，因此通过离子通道内的氢键容易地跳跃产生的质子（正离子），从而增加离子传导性。 此外，本发明中使用的POSS的尺寸相当小，因此POSS很少阻碍聚合物膜内的离子通道中的质子的移动，从而实现期望的质子传导性。 此外，尽管聚合物膜的磺化度增加，但是本发明的质子传导性纳米复合膜显示出期望的机械强度。
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公开(公告)号：KR1020160006819A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020140085839
申请日：2014-07-09
Applicant: 서강대학교산학협력단
CPC classification number: H01M8/1051 , B01J39/19 , C08J5/2256 , C08J5/2275 , C08J2371/10 , C08J2381/06 , H01B1/12 , H01M8/1025 , H01M8/1048 , H01M8/1069 , H01M2008/1095 , H01M2300/0068 , H01M2300/0082 , H01M2300/0091 , Y02P70/56 , H01M8/00 , C07F7/21 , H01B5/14
Abstract: 본발명은우수한양성자전도성및 기계적강도를나타내는실세스퀴옥산이도입된술폰화된폴리에테르에테르케톤(sulfonated polyetheretherketone (sPEEK)), 술폰화된폴리에테르케톤(sulfonated polyetherketone (sPEK)), 술폰화된폴리에테르술폰(sulfonated polyethersulfone (sPES)) 또는술폰화된폴리아릴렌에테르술폰(sulfonated polyarylethersulfone (sPAES))를포함하는술폰화된탄화수소계나노복합막및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의나노복합막은필러로사용되는 POSS에양성자소스인다수의술폰산기가있어우수한전도성을가진다. 또한, 본발명에사용된 POSS는그 크기가매우작아고분자막내 이온채널에서양성자의이동을거의방해하지않으므로우수한양성자전도도를구현할수 있다. 또한, 본발명에의한양성자전도성나노복합막은폴리에테르에테르케톤(sulfonated polyetheretherketone (sPEEK)), sPEK, sPES 및 sPAES를포함하는탄화수소계고분자내 술폰화된 POSS를도입함으로서인장강도, 항복강도및 신율이동시에증가하고, 그값들이최대치를나타내는함량이존재한다.
Abstract translation: 本发明涉及具有磺化聚醚醚酮（sPEEK），磺化聚醚酮（sPEK），磺化聚醚砜（sPES）或磺化聚芳醚砜（sPAES）的磺化烃纳米复合膜，其中引入具有改善的质子传导性和机械强度的倍半硅氧烷， 制备磺化烃纳米复合膜。 根据本发明的纳米复合膜在多面体低聚倍半硅氧烷（POSS）中具有多个作为质子源的磺酸基，其用作纳米复合膜的填料，从而提高导电性。 此外，由于根据本发明的POSS太小，并且很少防止质子在聚合物膜内的离子通道中移动，因此可以改善质子传导性。 此外，由于本发明的质子传导性纳米复合膜将磺化POSS引入到包含sPEED，sPEK，sPES和sPAES的烃聚合物中，可以同时提高拉伸强度，屈服强度和延展性， 纳米复合膜中的含量比例使上述性能最大化。
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Patent Agency Ranking36.发明公开아민기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 연료전지 无效使用含氨基的硅烷基聚氧乙烯的聚苯乙烯纳米复合膜，其制备方法和包括其的燃料电池
公开(公告)号：KR1020140142036A
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：KR1020130063572
申请日：2013-06-03
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: 본원은, 아민기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤지이미다졸 나노복합막, 상기 폴리벤지이미다졸 나노복합막의 제조 방법, 및 상기 폴리벤지이미다졸 나노복합막을 포함하는 연료전지에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及使用含有胺基的倍半硅氧烷的聚苯并咪唑纳米复合膜; 其制造方法; 和包括该燃料电池的燃料电池。 聚苯并咪唑纳米复合膜包括：苯并咪唑基聚合物; 和由化学式1表示的多面体低聚倍半硅氧烷。根据本发明，可以制造可在非加湿条件下在120-200℃的高温下使用的高分子量燃料电池用电解质膜。
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37.发明公开인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤즈이미다졸 나노복합막, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 연료전지 无效使用含有磷酸基的硅烷基聚氧乙烯的聚苯乙烯纳米复合膜，其制备方法和包括其的燃料电池
公开(公告)号：KR1020140142031A
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：KR1020130063564
申请日：2013-06-03
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: 본원은, 인산기-함유 실세스퀴옥산을 이용한 폴리벤지이미다졸 나노복합막, 상기 폴리벤지이미다졸 나노복합막의 제조 방법, 및 상기 폴리벤지이미다졸 나노복합막을 포함하는 연료전지에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及使用含有磷酸基的倍半硅氧烷的聚苯并咪唑纳米复合膜; 其制造方法; 和包括该燃料电池的燃料电池。 聚苯并咪唑纳米复合膜包括：苯并咪唑基聚合物; 和由化学式1表示的多面体低聚倍半硅氧烷。根据本发明，可以制造可在非加湿条件下在120-200℃的高温下使用的高分子量燃料电池用电解质膜。
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公开(公告)号：KR101389732B1
公开(公告)日：2014-04-28
申请号：KR1020120093507
申请日：2012-08-27
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01M10/0565 , H01M10/052 , C08G77/04
CPC classification number: Y02E60/122 , Y02T10/7011
Abstract: 리튬 이차전지용 고분자 전해질, 및 상기 고분자 전해질을 포함하는 리튬 이차전지에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020130118081A
公开(公告)日：2013-10-29
申请号：KR1020120040985
申请日：2012-04-19
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A proton-conducting polymer nanocomposite film has excellent proton conductivity even in a high temperature and non-humidified condition and has excellent mechanical strength superior than conventional PEMFC fluorine-based polymer film. CONSTITUTION: A proton-conducting polymer nanocomposite film is that a phosphate group-introduced silsesquioxane is mixed to a proton-conducting polymer substrate. A manufacturing method of the proton-conducting polymer nanocomposite film comprises a step of dissolving a fluorine-based proton-conducting polymer substrate into a solvent; a step of dissolving a sulfonate-introduced silsesquioxane into a solvent; a step of mixing the fluorine-based polymer substrate solution and the silsesquioxane solution; a step of ultrasonic waves-treating the mixed solution and dispersing silsesquioxane in the fluorine-based polymer; and a step of carrying out a casting in a vacuum oven and removing residues. [Reference numerals] (AA) Example 2; (BB) Example 1; (CC) Comparative example
Abstract translation: 目的：质子传导聚合物纳米复合膜即使在高温和非加湿条件下也具有优异的质子传导性，并且具有优于常规PEMFC氟基聚合物膜的优异的机械强度。 构成：质子传导性聚合物纳米复合膜是将导入磷酸基的倍半硅氧烷与质子传导性聚合物基材混合。 质子传导性聚合物纳米复合膜的制造方法包括将氟系质子传导性聚合物基材溶解在溶剂中的工序; 将磺化物引入的倍半硅氧烷溶解在溶剂中的步骤; 将氟基聚合物基材溶液与倍半硅氧烷溶液混合的工序; 超声波处理混合溶液并将倍半硅氧烷分散在氟基聚合物中的步骤; 以及在真空烘箱中进行铸造并除去残留物的步骤。 （附图标记）（AA）实施例2 （BB）实施例1; （CC）比较例
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公开(公告)号：KR1020120080157A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：KR1020120068365
申请日：2012-06-26
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01B3/18 , H01B3/02 , C09D183/00
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/045 , H01B3/00 , H01B3/46 , Y10T428/249953 , Y10T428/31663 , C08K5/5419
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of ultra-low dielectric membrane is provided to impart mechanical strength required for low dielectric membrane, and to provide extremely low dielectric constant, and to be used as an inter-layer insulative film for a semiconductor. CONSTITUTION: A manufacturing method of ultra-low dielectric membrane is manufactured by heat curing using an organic or inorganic matrix, and a reactive pore-former. The ultra-low dielectric membrane is manufactured by irradiation with UV rays of 200-300 nm at 400-450 °C for 5-30 minutes conducted with the heat curing at the same time. The matrix consists of 10-90 vol% of polymethylsilsesquioxane precursor or a copolymer thereof, and 10-90 vol% of a pore forming template in chemical formula 1: R1OCH2[CH(OR2)]nCH2OR3. In chemical formula 1, R1, R2, and R3 is respectively hydrogen, or A. A is R4Si(OR5)3, R4 and R5 is respectively a C1-5 alkyl group, and n is an integer from 2-4.
Abstract translation: 目的：提供超低介电膜的制造方法，以赋予低介电膜所需的机械强度，并提供极低的介电常数，并用作半导体的层间绝缘膜。 构成：通过使用有机或无机基体和反应性成孔剂进行热固化来制造超低介电膜的制造方法。 超低介电膜通过在400-450℃的紫外线照射5-30分钟同时进行热固化来制造。 该基质由10-90体积％的聚甲基倍半硅氧烷前体或其共聚物和10-90体积％的化学式1中的成孔模板：R1OCH2 [CH（OR2）] nCH2OR3组成。 在化学式1中，R 1，R 2和R 3分别为氢或A。A为R 4 Si（OR 5）3，R 4和R 5分别为C 1-5烷基，n为2-4的整数。
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