公开(公告)号：KR101465114B1

公开(公告)日：2014-12-05

申请号：KR1020130078510

申请日：2013-07-04

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김정현 ,  임유승

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 본 발명은 산화물 박막을 형성하는 방법 및 산화물 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 채널 도핑과 패시베이션을 동시에 수행하는 산화물 박막 형성 방법 및 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 형성 방법은, 인듐을 포함하는 제 1 산화물 박막을 형성하는 단계; 상기 제 1 산화물 박막 위에 알루미늄, 지르코늄 및 하프늄 중 적어도 하나를 포함하는 제 2 산화물 박막을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 산화물 박막 및 상기 제 2 산화물 박막을 열처리하는 단계;를 포함할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成氧化物薄膜的方法和一种制造氧化物薄膜晶体管的方法，更具体地，涉及一种形成氧化物薄膜的方法和一种制造氧化物薄膜晶体管的方法，所述氧化物薄膜晶体管进行沟道掺杂 并同时进行钝化。 根据本发明的实施方案的形成氧化物薄膜的方法可以包括以下步骤：形成含有铟的第一氧化物薄膜; 在所述第一氧化物薄膜上形成含有铝，锆和铪中的至少一种的第二氧化物薄膜; 对第一和​​第二氧化物薄膜进行热处理。

公开(公告)号：KR101451931B1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：KR1020120144631

申请日：2012-12-12

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  허승진 ,  윤석현 ,  오상훈

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법 및 양자점 태양전지의 제조 방법에 관한 것으로, 콜로이드 양자점 박막을 기상을 이용하여 2기압 이상 70기압 이하의 고압으로 가압 표면 처리하는 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 실시 예에 의하면 콜로이드 양자점 박막 내의 캐리어의 이동성이 향상되며, 태양전지의 효율이 향상된다.

公开(公告)号：KR101415748B1

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：KR1020110055770

申请日：2011-06-09

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  임유승 ,  임현수 ,  김동림

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02628 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/0043 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/7869

Abstract: 산화물반도체 조성물, 그 제조 방법, 이를 이용한 산화물반도체 박막 및 전자 소자 형성 방법이 제공된다. 산화물반도체 조성물은 감광제 그리고 산화물반도체 전구체를 포함한다.

公开(公告)号：KR101372734B1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：KR1020120015171

申请日：2012-02-15

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김득종 ,  김철호

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 본 발명은 액상공정을 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 채널층과, 상기 채널층의 양단에 각각 접촉되는 소오스 및 드레인과, 상기 채널층에 대응하는 게이트와, 상기 채널층과 상기 게이트 사이에 구비된 게이트 절연층을 포함하되, 상기 채널층은 상기 게이트 측으로부터 순차 배열되고, 액상공정으로 제조된 적어도 2개의 산화물 반도체층을 구비하며, 상기 게이트 측으로부터 먼 쪽에 구비된 산화물 반도체층 중 적어도 어느 하나의 산화물 반도체층은 상기 게이트 층에 인접한 산화물 반도체층보다 산소공공(oxygen vacancy) 억제물질의 함량이 높게 형성됨으로써, 기존의 단일 채널보다 박막의 밀도를 높여 소자 특성 및 신뢰성 향상을 도모할 수 있으며, 채널 상부 노출에 의한 외부 환경에 민감한 소자특성(누설 전류의 증가)을 효 과적으로 개선시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR101361054B1

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：KR1020110089180

申请日：2011-09-02

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김동림 ,  정주혜 ,  임유승

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/08 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 제조방법은 (a) 전구체 물질과 과산화물질을 혼합하여 전구체 용액을 형성하는 단계, (b) 상기 전구체 용액을 기판 위에 도포하는 단계, (c) 상기 기판을 열처리하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020140006575A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：KR1020120073907

申请日：2012-07-06

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  임현수 ,  임유승 ,  김동림

IPC: H01B1/08 ,  H01B1/16 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01B1/08 ,  H01B1/16 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/7869

Abstract: Provided are oxide semiconductor compositions, preparation methods thereof, methods for forming oxide semiconductor thin film using the same, and methods for forming electronic devices. The oxide semiconductor compositions include photosensitive agents and oxide semiconductor precursors. The photosensitive agents absorb light in an ultraviolet ray wavelength region of 200 to 450 nm. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S1000) Preparing compositions for an oxide thin film; (S1100) Coating the compositions for the oxide thin film; (S1200) Pre-thermal process; (S1300) Emitting lights; (S1400) Dipping; (S1500) Post-thermal process

Abstract translation: 提供氧化物半导体组合物，其制备方法，使用其形成氧化物半导体薄膜的方法，以及用于形成电子器件的方法。 氧化物半导体组合物包括光敏剂和氧化物半导体前体。 感光剂吸收200〜450nm的紫外线波长区域的光。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S1000）制备用于氧化物薄膜的组合物; （S1100）涂覆氧化物薄膜的组合物; （S1200）预热处理; （S1300）发光灯; （S1400）浸渍; （S1500）后热处理

公开(公告)号：KR1020130130901A

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：KR1020120054539

申请日：2012-05-23

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  양정석 ,  오상훈

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/42

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing organic solar cells using a PEDOT:PSS thin film in which acetone is added to manufacture high efficiency organic solar cells as a hole transport layer. An existing organic solar cell uses a mixture of P3HT and PCBM as a photoactive layer and manufactures the organic solar cell by using a PEDOT:PSS as the hole transport layer. However, electrons and positive holes generated in the photoactive layer causes the loss of photoconversion efficiency caused by low mobility of thin films. The present invention is capable of increasing the mobility of the positive hole generated in the photoactive layer by increasing the conductivity of the thin films as resistance is reduced by adding a solvent of the acetonein to the PEDOT:PSS. Furthermore, the loss of the hole transport layer can be reduced by using the method so that photoconversion efficiency of the organic solar cells can be increased.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用PEDOT：PSS薄膜制造有机太阳能电池的方法，其中加入丙酮以制造高效率有机太阳能电池作为空穴传输层。 现有的有机太阳能电池使用P3HT和PCBM的混合物作为光敏层，并通过使用PEDOT：PSS作为空穴传输层制造有机太阳能电池。 然而，在光敏层中产生的电子和正空穴导致由薄膜的低迁移率引起的光转换效率的损失。 本发明能够通过增加薄膜的导电性来增加在光活性层中产生的空穴的迁移率，因为通过向PEDOT：PSS中加入丙酮的溶剂来降低阻力。 此外，通过使用这样的方法可以减少空穴传输层的损耗，从而可以提高有机太阳能电池的光转换效率。

公开(公告)号：KR101260957B1

公开(公告)日：2013-05-06

申请号：KR1020100139870

申请日：2010-12-31

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  정웅희 ,  배중현 ,  김경민

IPC: C01G15/00 ,  C01G9/00 ,  H01B1/08 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628

Abstract: 산화물반도체용조성물, 그제조방법, 이를이용한산화물반도체박막및 전자소자형성방법이제공된다. 산화물반도체용조성물은산화물박막을위한화합물및 전도도를조절하기위한안정제를포함하며,안정제는화합물의총 몰수의 2 내지 12배의몰수로포함된다.

公开(公告)号：KR101254431B1

公开(公告)日：2013-04-12

申请号：KR1020110064766

申请日：2011-06-30

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  정주혜 ,  김동림 ,  오상훈 ,  윤두현

IPC: H01L51/42 ,  C01G53/04

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 용액 공정을 이용한 니켈 산화물 박막의 형성 방법과 상기 방법으로 형성된 니켈 산화물층을 포함하는 유기 태양전지의 제작 공정에 관한 것으로써,
특히 니켈 산화물 박막을 유기 태양전지의 버퍼층으로 도입하여,
기존의 유기 태양전지의 장점인 공정의 편이성을 잃지 않으면서도,
유기 태양전지의 특성을 향상하고 안정성을 확보하는 것을 목표로 한다.

公开(公告)号：KR1020130025703A

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：KR1020110089180

申请日：2011-09-02

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김동림 ,  정주혜 ,  임유승

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/08 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/288

Abstract: PURPOSE: A composition for forming an oxide thin film, a method for manufacturing the oxide thin film, and a method for manufacturing a thin film transistor are provided to control an electric property of the oxide thin film by controlling the amount of light energy and/or the density of oxygenated water in precursor solutions. CONSTITUTION: Precursor solutions are made by mixing precursor materials with oxygenated materials(S110). The precursor solutions are coated on a substrate(S120). The substrate is thermally pre-processed to evaporate the solvents of the precursor solutions(S130). The substrate is thermally post-processed to form an oxide thin film(S140). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Forming precursor solution by mixing precursor materials with oxygenated materials; (S120) Coating the precursor solution on a substrate; (S130) Pre-process; (S140) Post-process; (S150) Supplying light energy

Abstract translation: 目的：提供用于形成氧化物薄膜的组合物，氧化物薄膜的制造方法和薄膜晶体管的制造方法，以通过控制氧化物薄膜的光量和/ 或氧化水在前体溶液中的密度。 构成：前体溶液通过将前体材料与氧化材料混合制成（S110）。 将前体溶液涂布在基材上（S120）。 将基底热预处理以蒸发前体溶液的溶剂（S130）。 将衬底热后处理以形成氧化物薄膜（S140）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）通过将前体材料与含氧材料混合而形成前体溶液; （S120）将前体溶液涂布在基材上; （S130）预处理; （S140）后期处理; （S150）供应光能