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公开(公告)号：KR100744636B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020060077137
申请日：2006-08-16
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: B01J23/06 , B01J27/138 , B01J37/02 , B01J37/08
Abstract: A method for preparing a ZnS-ZnO photocatalyst which can substantially improve the visible light absorbance of a reactant, can efficiently remove contaminants under visible lights, and can be applied to hydrogen production, air purification, etc. under visible lights, and the ZnS-ZnO photocatalyst prepared by the method are provided. A method for preparing a ZnS-ZnO photocatalyst responding to visible lights comprises the step of filtering, drying and firing the coprecipitated ZnS-ZnO after coprecipitating ZnS and ZnO by adding a zinc precursor solution into a mixed solution of a sulfur-containing metal salt solution and a hydroxyl group-containing hydroxide salt solution. A ZnS-ZnO photocatalyst responding to visible lights is in the form of a powder having a crystalline structure in which structures of cubic zincblende and hexagonal wurtzite are present at the same time, having a particle size of 15 to 25 nm, and containing Zn, S and O as principal elements.
Abstract translation: 制备可显着提高反应物可见光吸收率的ZnS-ZnO光催化剂的方法可以有效地除去可见光下的污染物，并且可用于可见光下的制氢，空气净化等，并且ZnS- 提供了由该方法制备的ZnO光催化剂。 用于制备对可见光响应的ZnS-ZnO光催化剂的方法包括通过将锌前体溶液加入到含硫金属盐溶液的混合溶液中来共沉淀ZnS和ZnO之后过滤，干燥和烧制共沉淀的ZnS-ZnO的步骤 和含羟基的氢氧化物盐溶液。 对可见光有响应的ZnS-ZnO光催化剂是具有晶体结构的粉末形式，其中立方闪锌矿和六方纤锌矿结构同时存在，粒径为15-25nm，并且含有Zn， S和O作为主要元素。
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公开(公告)号：KR100744635B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020060078372
申请日：2006-08-18
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L21/316 , H01L21/324
Abstract: A method for preparing an oxide semiconductor electrode of an electrochemical device is provided to effectively decompose liquid contaminant or pollutants existing in a water system. A glass substrate coated with an oxide conductor is coated with a mixture of titanium precursor, polymer compound and a solvent through a spin coating method to form a thin film. An annealing process is performed on the formed thin film. The oxide conductor contains a metal selected from the group consisting of indium, tin, zinc, aluminum and fluorine. The titanium precursor is an organic compound comprising Ti of titanium isopropoxide or titanium tetraethoxide.
Abstract translation: 提供了一种用于制备电化学装置的氧化物半导体电极的方法，以有效地分解水系统中存在的液体污染物或污染物。 通过旋涂法将涂覆有氧化物导体的玻璃基板涂覆钛前体，聚合物化合物和溶剂的混合物以形成薄膜。 在所形成的薄膜上执行退火处理。 氧化物导体含有选自铟，锡，锌，铝和氟的金属。 钛前体是包含异丙醇钛或四乙醇钛的Ti的有机化合物。
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公开(公告)号：KR1020170011374A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020150103910
申请日：2015-07-22
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: G08G1/095 , H05K7/20 , G08G1/07 , F21Y101/02
Abstract: 열전소자를이용한공조기능이포함된신호등이개시된다. 개시된신호등은하우징; 상기하우징외부에장착된 LED부; 외기를상기하우징내부로유입하는흡기팬; 상기하우징내기를상기하우징외부로배출하는배기팬; 상기흡기팬일측에배치되어외기를냉각하는열전소자; 및상기하우징내부온도또는습도의측정값에따라상기흡기팬과상기배기팬및 상기열전소자의작동을컨트롤하는제어부;를포함할수 있다.
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34.发明授权
公开(公告)号：KR101671338B1
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：KR1020140188315
申请日：2014-12-24
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본발명은벌크형태의 BiTe및고분자를포함하는유ㆍ무기하이브리드열전재료를제공한다. 본발명에따른벌크형태의유ㆍ무기하이브리드열전재료는고분자와 BiTe가물리적, 화학적으로결합하여재료의전기적, 열적특성을변화시킴으로써, 궁극적으로열전성능지수가향상되는효과가있다. 또한, 벌크형태의유ㆍ무기하이브리드열전재료로써열전발전분야에적합한특성을나타낸다. 나아가, 본발명에따른벌크형태의유ㆍ무기하이브리드열전재료의제조방법은기상환원방법을통해 BiTe분말을제조함으로써, 최종유ㆍ무기하이브리드열전재료를제조하기위한소결온도를낮춰벌크형태로제조가가능하다.
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35.发明授权
公开(公告)号：KR101473750B1
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：KR1020130048094
申请日：2013-04-30
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01L35/16 , C01B19/007 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/64 , C01P2006/32
Abstract: Bi, Te 및 Se 전구체를용매에투입하여 Bi-Te-Se 용액을제조하는단계(단계 1); 상기단계 1에서제조된 Bi-Te-Se 용액에염기수용액을혼합하여수화물을제조하는단계(단계 2); 상기단계 2에서제조된수화물에환원제를투입하여상온에서의액상환원을통해 BiTeSe반응물을제조하는단계(단계 3); 상기단계 3에서제조된 BiTeSe반응물을에이징하는단계(단계 4); 및상기단계 4에서에이징을거친 BiTeSe반응물을여과및 건조하여 BiTeSe나노입자를제조하는단계(단계 5);를포함하는 BiTeSe나노화합물열전재료의제조방법(0
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Patent Agency Ranking36.发明公开Bi2TeySe3-y 나노화합물 열전재료의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 나노화합물 열전재료 有权合成二氧化碳三氧化Y SE Y OUND OUND Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y
公开(公告)号：KR1020140129599A
公开(公告)日：2014-11-07
申请号：KR1020130048094
申请日：2013-04-30
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01L35/16 , C01B19/007 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/64 , C01P2006/32
Abstract: Bi, Te 및 Se 전구체를 용매에 투입하여 Bi-Te-Se 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 Bi-Te-Se 용액에 염기 수용액을 혼합하여 수화물을 제조하는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 제조된 수화물에 환원제를 투입하여 상온에서의 액상 환원을 통해 Bi
2 Te
y Se
3
-y 반응물을 제조하는 단계(단계 3); 상기 단계 3에서 제조된 Bi
2 Te
y Se
3
-y 반응물을 에이징하는 단계(단계 4); 및 상기 단계 4에서 에이징을 거친 Bi
2 Te
y Se
3-y 반응물을 여과 및 건조하여 Bi
2 Te
y Se
3
-y 나노입자를 제조하는 단계(단계 5);를 포함하는 Bi
2 Te
y Se
3
-y 나노화합물 열전재료의 제조방법(0 2 Te
y Se
3
-y 나노화합물은 화학첨가물 제거를 위한 별도의 열처리를 하지 않음으로써 입자의 성장을 막고 균일한 나노입자를 형성시킬 수 있다. 이에, Bi
2 Te
y Se
3
-y 나노화합물의 입자들이 1 내지 100 nm 수준의 크기를 가지고 균일한 분포로 형성됨에 따라 Bi
2 Te
y Se
3
-y 나노화합물의 열전도도가 감소하여, 궁극적으로는 열전성능지수가 향상된다.Abstract translation: 本发明涉及Bi2TeySe3-y纳米复合热电材料的制造方法及其制造的纳米复合热电材料。 通过根据本发明的实施方案的液体还原方法制备的Bi2TeySe3-y纳米复合物改善了均匀的纳米颗粒，并且通过不进行单独的热处理以除去化学成瘾性来防止颗粒的生长。 因此，Bi2TeySe3-y纳米复合物的热导率通过在1和100nm之间形成均匀分布的Bi2TeySe3-y纳米复合材料的颗粒而降低。 因此，Bi2TeySe3-y纳米复合热电材料的热电性能指标最终得到提高。
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公开(公告)号：KR1020140129597A
公开(公告)日：2014-11-07
申请号：KR1020130048092
申请日：2013-04-30
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본 발명은 Bi, Sb 및 Te 전구체를 용매에 투입하여 Bi-Sb-Te 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 Bi-Sb-Te 용액에 염기 수용액을 혼합하여 Bi-Sb-Te 수화물을 제조하는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 제조된 Bi-Sb-Te 수화물에 환원제를 투입하여 상온에서의 액상 환원을 통해 Bi
x Sb
2
-
x Te
3 반응물을 제조하는 단계(단계 3); 상기 단계 3에서 제조된 Bi
x Sb
2
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x Te
3 반응물을 에이징하는 단계(단계 4); 및 상기 단계 4에서 에이징을 거친 Bi
x Sb
2
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x Te
3 반응물을 여과 및 건조하여 Bi
x Sb
2
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x Te
3 나노입자를 제조하는 단계(단계 5);를 포함하는 Bi
x Sb
2
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x Te
3 나노화합물 열전재료의 제조방법(0 x Sb
2
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x Te
3 나노화합물은 화학첨가물 제거를 위한 별도의 열처리를 하지 않음으로써 입자의 성장을 막고 균일한 나노입자를 형성시킬 수 있다. 이에, Bi
x Sb
2
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x Te
3 나노화합물의 입자들이 1 내지 150 nm 수준의 크기를 가지고 균일한 분포로 형성됨에 따라 Bi
x Sb
2-x Te
3 나노화합물의 열전도도가 감소하여, 궁극적으로는 열전성능지수가 향상된다.Abstract translation: 本发明涉及一种BixSb2-xTe3纳米复合热电材料的制造方法及其制造的纳米复合热电材料。 通过根据本发明的实施方案的液体还原方法制造的BixSb2-xTe3纳米复合物通过不进行单独的热处理以除去化学成瘾性来防止颗粒的生长并形成均匀的纳米颗粒。 因此，BixSb2-xTe3纳米复合物的热导率通过在1和150nm之间形成均匀分布的BixSb2-xTe3纳米复合物的颗粒而减少。 因此，BixSb2-xTe3纳米复合热电材料的热电性能指标得到提高。
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公开(公告)号：KR1020130036638A
公开(公告)日：2013-04-12
申请号：KR1020110100841
申请日：2011-10-04
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing BixTe3-ySey nanocompound thermoelectric materials and the nanocompound thermoelectric materials manufactured by the same are provided to control a temperature to show the maximum thermoelectric performance index by controlling the charge carrier density of a nanocompound. CONSTITUTION: Bi(III)-stabilizer complex solutions are made by injecting a Bi precursor, a reducing agent, and a stabilizer into solvents(A1). BixTe3-ySey is made by reacting a Te precursor with the Bi(III)-stabilizer complex solutions(A2). BixTe3-ySey nanoparticles are obtained by filtering and drying the BixTe3-ySey(A3). The BixTe3-ySey nanoparticles are thermally processed(A4). [Reference numerals] (A1) Making Bi(III)-stabilizer complex solutions; (A2) Forming BixTe3-ySey by reacting a Te precursor with the Bi(III)-stabilizer complex solutions; (A3) Obtaining BixTe3-ySey nanoparticles by filtering and drying the BixTe3-ySey; (A4) Thermally processing the BixTe3-ySey nanoparticles; (AA) Start; (BB) End;
Abstract translation: 目的：提供一种制造BixTe3-ySey纳米复合热电材料的方法及其制造的纳米复合热电材料，以通过控制纳米复合材料的载流子密度来控制温度显示最大热电性能指标。 构成：通过将Bi前体，还原剂和稳定剂注入溶剂（A1）中制备Bi（III） - 稳定剂络合物溶液。 BixTe3-ySey是通过使Te前体与Bi（III） - 稳定剂络合物溶液（A2）反应来制备的。 通过过滤和干燥BixTe3-ySey（A3）获得BixTe3-ySey纳米颗粒。 BixTe3-ySey纳米粒子经热处理（A4）。 （A1）制备Bi（III） - 稳定剂复合溶液; （A2）通过使Te前体与Bi（III）稳定剂络合物溶液反应形成BixTe3-ySey; （A3）通过过滤和干燥BixTe3-ySey获得BixTe3-ySey纳米颗粒; （A4）热处理BixTe3-ySey纳米粒子; （AA）开始; （BB）结束;
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公开(公告)号：KR101132285B1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：KR1020090131594
申请日：2009-12-28
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 일 실시예에 따른 분말 열처리 장치는, 분말이 장입되며 열처리가 진행되는 반응관, 상기 반응관을 둘러싸도록 상기 반응관의 외부에 배치되는 외부관, 상기 반응관 및 상기 외부관을 회전시키는 회전 장치를 포함한다. 상기 반응관은 길이 방향에 수직인 방향으로의 단면이 다각형 형상을 가지는 반응실을 포함하고, 상기 반응관 및 상기 외부관 사이의 공간에는 소정의 분위기 가스를 공급함으로써 상기 반응관을 외부 환경으로부터 격리시킨다.
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公开(公告)号：KR1020100060320A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080118881
申请日：2008-11-27
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L21/20 , H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L21/20 , H01L31/0445
Abstract: PURPOSE: A method of synthesizing a CuInTe2 composite semiconductor is provided to synthesize CuInTe2 composite semiconductor having a high purity stably in very short synthesizing time. CONSTITUTION: A containing material having a copper, a containing material having an indium, a containing material having a telluride, and a solvent are provided. A mixture of the raw material and a solvent are provided. A mixture is put into a reaction container and is heated to the raw material to be reacted. The CuInTe2 compound semiconductor which is synthesized with heating to remove a reaction by-product is cleaned. The cleaned CuInTe2 compound semiconductor is dried under vacuum atmosphere of 80°C to 60 for 7~12 hours.
Abstract translation: 目的：提供一种合成CuInTe2复合半导体的方法，可以在非常短的合成时间内稳定地合成具有高纯度的CuInTe2复合半导体。 构成：提供具有铜的含有材料，含铟材料，含有碲化物的材料和溶剂。 提供原料和溶剂的混合物。 将混合物放入反应容器中并加热至待反应的原料。 清洗加热合成以去除反应副产物的CuInTe 2化合物半导体。 将清洁的CuInTe2化合物半导体在80℃至60℃的真空气氛中干燥7〜12小时。
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