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    CZTS 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS 박막 태양전지
    31.
    发明授权
    CZTS 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS 박막 태양전지 有权
    基于CZTS的薄膜太阳能电池和基于CZTS的薄膜太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号：KR101559102B1

    公开(公告)日：2015-10-13

    申请号：KR1020140129970

    申请日：2014-09-29

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 양기정 ,  심준형 ,  손대호 ,  강진규

    IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/04

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/04

    Abstract: 본발명은 CZTS 박막태양전지의제조방법및 이에따라제조되는 CZTS 박막태양전지를제공하며, 구체적으로는, 600 ℃내지 1100 ℃에서견딜수 있는기판상에전극을형성하는단계(단계 1); 상기단계 1의전극상에, 광흡수층을위한전구체층을형성하는단계(단계 2); 및상기단계 2의전구체층을 600 ℃내지 1100 ℃에서황화공정또는셀렌화공정을수행하여광흡수층을형성하는단계(단계 3);를포함하되, 상기단계 2의수행전 또는수행후에 Na 첨가공정을수행하는것을특징으로하는 CZTS 박막태양전지의제조방법을제공한다. 본발명에따른 CZTS 박막태양전지의제조방법에따르면, 600 ℃이상의고온에서광흡수층을형성하기때문에, 결정성이향상되고이에따라결함이제거되어개방전압과단락전류의손실을최소화할수 있는효과가있다. 나아가, 고온의공정을수행함에따라소다라임기판을사용하지않는대신 Na을첨가하는공정을포함함으로써, 광흡수층의특성향상효과를나타낼수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种CZTS薄膜太阳能电池及其制造方法。 更具体地说，该方法包括以下步骤：在能够承受600-1100℃的温度的基板上形成电极（步骤1）。 在步骤1（步骤2）中形成的电极上形成用于光吸收层的前体层; 以及在600-1100℃的温度下进行处理步骤2的前体层以形成光吸收层的硫化物或硒化物工艺（步骤3）。 在步骤2之前或之后进行Na添加处理。根据本发明的CZTS薄膜太阳能电池制造方法用于在600℃或更高的高温下形成光吸收层以提高结晶度并消除 从而使短路电流和开路电压的损失最小化。 此外，本发明进行高温处理以添加Na添加处理而不是使用钠钙基质，从而提高光吸收层的性质。

    유연 무기물 태양전지의 제조 방법
    33.
    发明授权
    유연 무기물 태양전지의 제조 방법 有权
    可拉伸无机复合太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR101413163B1

    公开(公告)日：2014-06-30

    申请号：KR1020120128542

    申请日：2012-11-14

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 강진규 ,  손대호 ,  김대환 ,  양기정 ,  조성진

    IPC: H01L31/042 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 탄성 중합체를 이용하여 유연 기판상에 무기물 태양전지를 전사시키는 공정으로 효율적인 태양전지의 제조가 가능하도록 한 유연 무기물 태양전지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 그 구조는 유연 기판상에 형성된 후면 전극;상기 후면 전극 상에 형성되는 광흡수층;상기 광흡수층 상에 형성되는 완충층;상기 완충층 상에 형성된 n형 물질층 및 n형 물질층에 형성된 투명전극 및 상부 금속 전극층을 포함하는 것이다.

    박막 태양전지
    35.
    发明公开
    박막 태양전지 有权
    薄膜太阳能电池及其生产方法

    公开(公告)号：KR1020130137874A

    公开(公告)日：2013-12-18

    申请号：KR1020120061514

    申请日：2012-06-08

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 양기정 ,  강진규 ,  손대호 ,  김대환

    IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/042

    Abstract: The present invention relates to a thin film solar cell having a current diffuse layer and a manufacturing method for the same and, specifically, to a thin film solar cell and a manufacturing method for the same to transmit a current to a second electrode using a current diffuse layer. The purpose of the present invention is to provide a structure with improved optical conversion efficiency by reducing resistance on a high resistance current path and effectively transmitting electron to the second electrode using the current diffuse layer in a manufacturing process for the thin film solar cell in order to resolve the problems of conventional techniques. [Reference numerals] (110) R_rear electrode;(130) R_absorption layer;(140) R_buffer layer;(150) R_window layer 1;(170) R_current diffusion layer

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有电流扩散层的薄膜太阳能电池及其制造方法，具体而言涉及一种薄膜太阳能电池及其制造方法，用于使用电流将电流传输到第二电极 漫射层。 本发明的目的是通过在薄膜太阳能电池的制造工艺中按照顺序在低电阻电流路径上降低电阻并且使用电流扩散层有效地将电子传输到第二电极来提供具有改进的光转换效率的结构 解决传统技术的问题。 （110）R_rear电极;（130）R吸收层;（140）R缓冲层;（150）R_window层1;（170）R_电流扩散层

    비휘발성 저항 변화 메모리 소자
    36.
    发明公开
    비휘발성 저항 변화 메모리 소자 有权
    非易失性存储器件

    公开(公告)号：KR1020130054675A

    公开(公告)日：2013-05-27

    申请号：KR1020110120208

    申请日：2011-11-17

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 손대호 ,  김대환 ,  강진규 ,  성시준 ,  황대규

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

    CPC classification number: H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/085 ,  H01L45/146

    Abstract: PURPOSE: A non-volatility resistance memory device is provided to secure the stable property of a thin film by using oxide semiconductor including four elements. CONSTITUTION: A lower electrode(120) is formed on a substrate. An oxide semiconductor thin film(130) including four elements is formed on the lower electrode. The oxide semiconductor thin film includes at least one metal selected among tantalum, hafnium, zirconium, titanium, vanadium, and yttrium. The oxide semiconductor thin film further includes a metal additive for electric conduction. An upper electrode(140) is formed on the oxide semiconductor thin film.

    Abstract translation: 目的：提供一种非挥发性电阻记忆装置，通过使用包括四个元素的氧化物半导体来确保薄膜的稳定性。 构成：在基板上形成下电极（120）。 在下电极上形成包括四个元件的氧化物半导体薄膜（130）。 氧化物半导体薄膜包括选自钽，铪，锆，钛，钒和钇中的至少一种金属。 氧化物半导体薄膜还包括用于导电的金属添加剂。 在氧化物半导体薄膜上形成上电极（140）。

    태양추적 광센서가 내장된 태양전지 및 그 제조방법, 그리고 태양광 발전 시스템
    37.
    发明公开
    태양추적 광센서가 내장된 태양전지 및 그 제조방법, 그리고 태양광 발전 시스템 有权
    具有用于跟踪太阳能的照片传感器的太阳能电池及其制造方法，包括其的太阳能发展系统

    公开(公告)号：KR1020130052115A

    公开(公告)日：2013-05-22

    申请号：KR1020110117368

    申请日：2011-11-11

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 강진규 ,  손대호 ,  김대환 ,  성시준 ,  황대규 ,  박시내

    IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

    Abstract: PURPOSE: A solar cell with an optical sensor to track the sun, a manufacturing method thereof, and a photovoltaic power generating system are provided to reduce manufacturing costs by including an optical sensor in a solar cell module. CONSTITUTION: A first electrode(200) is formed on a substrate. A light absorption layer(300) is formed on the first electrode. The light absorption layer and the first electrode are etched by an etching process. An etched part is formed by etching the first electrode and the light absorption layer to expose a part of the substrate. A buffer layer(400) is formed by a vacuum process and a solution process after the etching process. An optical sensor active layer(410) is formed on the etched part. An optical sensor electrode(510) is formed on the optical sensor active layer.

    Abstract translation: 目的：提供一种具有用于跟踪太阳的光学传感器的太阳能电池，其制造方法和光伏发电系统，以通过在太阳能电池模块中包括光学传感器来降低制造成本。 构成：在基板上形成第一电极（200）。 在第一电极上形成光吸收层（300）。 通过蚀刻工艺蚀刻光吸收层和第一电极。 通过蚀刻第一电极和光吸收层以暴露基板的一部分来形成蚀刻部分。 通过真空工艺和蚀刻工艺之后的溶液工艺形成缓冲层（400）。 在蚀刻部分上形成光学传感器有源层（410）。 光学传感器电极（510）形成在光学传感器有源层上。

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