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    셀렌화 및 황화 열처리를 통한 셀렌 및 황의 조성이 조절된 박막 태양전지 광흡수층의 제조방법 및 상기 광흡수층을 함유한 박막 태양전지
    33.
    发明公开
    셀렌화 및 황화 열처리를 통한 셀렌 및 황의 조성이 조절된 박막 태양전지 광흡수층의 제조방법 및 상기 광흡수층을 함유한 박막 태양전지 有权
    具有受控硒和薄膜太阳能电池的薄膜太阳能电池光吸收体的制造方法

    公开(公告)号：KR20180034285A

    公开(公告)日：2018-04-04

    申请号：KR20170124487

    申请日：2017-09-26

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 손대호 ,  강진규 ,  양기정 ,  김대환

    IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: 본발명은셀렌화및 황화열처리를통한셀렌및 황의조성이조절된박막태양전지광흡수층의제조방법및 상기광흡수층을함유한박막태양전지에관한것이다. 구체적으로본 발명에따른광흡수층내 셀렌및 황의조성이조절된박막태양전지의광흡수층제조는, 후면전극층상에금속, 금속황 또는금속셀렌을포함하는금속화합물전구체를증착하는단계; 순수셀렌금속을이용하여셀렌(Se)화공정을진행하는단계; 셀렌화공정후 잔유셀렌물질및 기화가스를제거(purge) 하는단계; 및황화수소(H2S) 가스주입및 황화열처리를순차적으로진행하는단계를포함한다. 본발명에따른방법은흡수층내에서셀렌과황의비율을적절하게조정하여밴드갭조절이가능한고품질의화합물태양전지의제조에유용하게활용할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及通过硒化和硫化热处理来控制硒和硫的组成的薄膜太阳能电池光吸收层的制造方法以及包含该光吸收层的薄膜太阳能电池。 具体而言，该方法包括沉积包含的光内的光吸收层吸收控制薄膜太阳能电池中的硫成分的层和硒制造的金属化合物前体中，金属背面电极层，在根据本发明的金属硫或硒金属; 使用纯硒金属进行硒化工艺; 添加硒后，清除残留的硒物质和蒸发气体; 以及依次注入硫化氢（H 2 S）气体和硫化热处理的步骤。 根据本发明的方法可以有效地用于制造能够通过适当调节吸收层中硒与硫的比率来调节带隙的高质量化合物太阳能电池。

    황화아연 버퍼층을 적용한 CZTS계 박막 태양전지 제조방법
    34.
    发明公开
    황화아연 버퍼층을 적용한 CZTS계 박막 태양전지 제조방법 审中-实审
    使用硫化锌缓冲层的CZTS薄膜太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号：KR1020180005730A

    公开(公告)日：2018-01-16

    申请号：KR1020180002212

    申请日：2018-01-08

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 심준형 ,  손대호 ,  양기정 ,  김영일

    IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

    Abstract: 본발명은후면전극에황화아연버퍼층을적용한 CZTS계박막태양전지제조방법에관한것으로, 더욱자세하게는후면전극과금속전구체층사이에황화아연버퍼층을도입하여광흡수층을형성함으로써후면전극과광흡수층사이의계면제어를통해광전환효율및 전지특성이향상된박막태양전지및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에따른박막태양전지제조방법은후면전극과금속전구체층사이에황화아연버퍼층을형성시킴으로써계면에발생하는공극(void)을감소시켜보다균일하고조밀한박막을가질수 있으며, 광흡수층금속전구체의구성원소(Cu, Zn, Sn)와 VI족원소(Se,S)가몰리브덴후면전극으로확산하는것을억제함으로써광흡수층과후면전극의전기적접합을향상시켜광전환효율이우수한이점을갖는다.

    Abstract translation: 本发明返回到电极至约CZTS基于通过形成背面电极和光吸收层之间的光吸收层施加硫化锌缓冲层，并且更具体地在电极和金属前体层之间的回引入了硫化锌缓冲层的薄膜太阳能电池的制造方法 通过晶界控制对光转换效率和电池特性提高的薄膜太阳能电池及其制造方法。 根据本发明的制造薄膜太阳能电池的方法可以在后电极和金属前体层之间形成硫化锌缓冲层，以减少在界面处产生的空隙，从而获得更均匀和致密的薄膜， 通过抑制构成元素（Cu，Zn，Sn）和VI族元素（Se，S）扩散到钼背面电极中，具有改善光吸收层和背面电极之间的电连接的优点。

    박막 태양전지 제조 장치 및 이를 이용한 열처리 공정 방법
    36.
    发明公开
    박막 태양전지 제조 장치 및 이를 이용한 열처리 공정 방법 有权
    薄膜太阳能电池制造装置及使用其的热处理工艺方法

    公开(公告)号：KR1020170036645A

    公开(公告)日：2017-04-03

    申请号：KR1020160123156

    申请日：2016-09-26

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 손대호 ,  심준형 ,  양기정 ,  김영일

    IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0236

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749

    Abstract: 본발명은화합물박막태양전지제조장치및 이를이용한열처리공정방법에관한것이다. 금속/ 금속-화합물물질로구성하고있는전구체를셀렌화및 황화열처리제조시스템를통하여 4원계이상화합물흡수층제작열처리공정방법에관한것이다. 본발명의태양전지제조장치는가압챔버, 밀폐된가압챔버내부에결합되는셀렌화및 황화열처리트레이및 기판트레이로구성되어있으며, 보다효율적으로열전달및 화합물결정성장을위한열전달플랭크가배치되었다. 상기트레이는보다효율적으로칼코젠원소를효율적으로공급함으로써셀렌/황화원소비율이조절이용이하고, 셀레늄및 황증기와불활성기체를챔버내부에서가열하여열처리공정시전구체의박막결정형성을극대화할 수있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种化合物薄膜太阳能电池制造装置及使用其的热处理工艺方法。 本发明涉及一种通过硒化硫化热处理系统制备四元化合物基吸收层的方法。 本发明的太阳能电池制造装置由硫化物，硒化物，和热处理托盘和托盘耦合到所述压力室中，一个封闭的压力室内部的衬底，热传递侧面置于传热化合物，并且更有效地晶体生长。 托盘可在此是有效的通过使用更多的，供给所述刀kojen元件有效地硒化/硫化元件比控制，并通过在腔室中加热所述硒和hwangjeung瓦片的惰性气体，以最大限度地提高热处理过程中形成的薄膜结晶步骤中，前体 。

    Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
    37.
    发明授权
    Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법 有权
    ZnO S CZTS制造具有ZnO S缓冲层的CZTS基薄膜太阳能电池的方法

    公开(公告)号：KR101632631B1

    公开(公告)日：2016-06-23

    申请号：KR1020150043102

    申请日：2015-03-27

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 양기정 ,  심준형 ,  손대호 ,  강진규 ,  이상주

    IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: 본발명은 Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계박막태양전지의제조방법에관한것으로, 상세하게는 Zn(O, S) 버퍼층을원자층증착법으로형성하여정확한비율의 Zn(O, S) 버퍼층의제조가가능한 Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계박막태양전지의제조방법에관한것이다. 본발명에따른 Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계박막태양전지의제조방법은 CZTS의광흡수층상에 Zn(O, S)의버퍼층을원자층증착법으로형성시켜, Zn(O, S)의버퍼층의산화아연(ZnS), 황화아연(ZnO)의비율을정확하게제어할수 있으며, 원자층증착법에의해 CZTS계의광흡수층과접촉되는계면의품질이향상되어계면에서전류와전압의손실이저하되는효과가있으며, 기존의버퍼층에서사용되는물질인 CdS를사용하지않아제조공정상의환경오염문제를해결할수 있다.

    신축성 기판, 그 신축성 기판의 제조 장치 및 제조 방법
    38.
    发明公开
    신축성 기판, 그 신축성 기판의 제조 장치 및 제조 방법 有权
    可拉伸基板，装置和制造可拉伸基板的方法

    公开(公告)号：KR1020140046620A

    公开(公告)日：2014-04-21

    申请号：KR1020120111700

    申请日：2012-10-09

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 양기정 ,  심준형 ,  강진규

    IPC: B29C39/00 ,  A61B5/04 ,  C08L83/04

    CPC classification number: B29C45/0001 ,  B29B7/90 ,  B29C45/0013 ,  B29K2083/00 ,  B29K2995/0026 ,  C08J3/242 ,  C08L83/06

    Abstract: An embodiment of the present invention relates to a flexible substrate, and a manufacturing apparatus and a manufacturing method for the flexible substrates. According to an embodiment of the present invention, a UV-hardened reinforcing member by a UV-hardening material is formed at the inside of a substrate body heat cured by PDMS material. Therefore, the flexible substrate according to an embodiment of the present invention can obtain the enough tear strength with the flexibility to prevent the flexible substrate from being torn by an external shock.

    Abstract translation: 本发明的实施例涉及柔性基板，以及用于柔性基板的制造装置和制造方法。 根据本发明的一个实施方案，在通过PDMS材料加热固化的基体上形成由UV固化材料制成的UV硬化增强部件。 因此，根据本发明的实施方式的柔性基板可以获得足够的撕裂强度并具有柔性，以防止柔性基板被外部冲击撕裂。

    고분자 분산형 액정 실리콘 표시소자 및 이의 제조 방법
    40.
    发明公开
    고분자 분산형 액정 실리콘 표시소자 및 이의 제조 방법 有权
    聚合物分散液晶显示及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020110075205A

    公开(公告)日：2011-07-06

    申请号：KR1020090131585

    申请日：2009-12-28

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 양기정 ,  김정호 ,  이광준 ,  최병대

    IPC: G02F1/1334

    CPC classification number: G02F1/13342 ,  G02F1/133703 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/137 ,  G02F2001/13775

    Abstract: PURPOSE: A polymer display element and method for manufacturing the same are provided to have a low manufacturing cost while having an excellent durability and have excellent otpical usage efficiency. CONSTITUTION: A liquid silicon display element(200) includes as follows. A lower silicon substrate(20). An upper transparent substrate(30) which is arranged to be separated with a lower silicon substrate. An liquid crystal structure material(40) is arranged between the lower silicon substrate and the upper transparent substrate. The lower silicon substrate includes as follows. A circuit layer(210) includes a driving circuit which operates the display element. A reflective layer(220) reflects the light which entered from an external side and is arranged on the circuit layer. The protective layer(230) prevent the damage of the reflective layer by locating on the reflective layer. The polymer is covered to the lower silicon substrate. A polymer disperse liquid crystal layer is arranged on the polymer layer.

    Abstract translation: 目的：提供一种聚合物显示元件及其制造方法，其具有低的制造成本，同时具有优异的耐久性并且具有优异的使用效率。 构成：液晶显示元件（200）包括如下。 下硅衬底（20）。 布置成与下硅衬底分离的上透明衬底（30）。 液晶结构材料（40）布置在下硅衬底和上透明衬底之间。 下硅衬底包括如下。 电路层（210）包括操作显示元件的驱动电路。 反射层（220）反射从外侧进入并设置在电路层上的光。 保护层（230）通过定位在反射层上来防止反射层的损坏。 聚合物被覆盖到下硅衬底。 聚合物分散液晶层设置在聚合物层上。

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