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公开(公告)号：KR101230313B1
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：KR1020060062865
申请日：2006-07-05
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H03K19/0175 , G09G3/20 , G09G3/36 , G09G3/30
CPC classification number: H03K3/35613 , G09G3/3611 , G09G3/3648 , G09G2300/0408 , G09G2310/0289 , G09G2310/08
Abstract: 본 발명은 레벨 시프터에 대한 것으로서, 이 장치는 주기 신호인 제1 입력 신호 및 그 반전인 제2 입력 신호를 받아 상기 제1 입력 신호와 위상이 동일하고 상기 제1 입력 신호의 전압보다 높은 전압을 가지는 제1 출력 신호 및 상기 제1 입력 신호와 위상이 동일하고 상기 제1 입력 신호의 전압보다 낮은 전압을 가지는 제2 출력 신호를 생성하는 레벨 변환부, 그리고 상기 제1 출력 신호 및 상기 제2 출력 신호를 받아 상기 제1 입력 신호와 위상이 동일하고 상기 제1 입력 신호의 진폭보다 큰 진폭을 가지는 제3 출력 신호를 생성하는 증폭부를 포함한다. 따라서 입력 신호에 대하여 같은 위상을 가지면서도 그 진폭이 입력 신호보다 큰 출력 신호를 얻을 수 있다.
레벨 시프터, 액정 표시 장치, 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020080004181A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：KR1020060062865
申请日：2006-07-05
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H03K19/0175 , G09G3/20 , G09G3/36 , G09G3/30
CPC classification number: H03K3/35613 , G09G3/3611 , G09G3/3648 , G09G2300/0408 , G09G2310/0289 , G09G2310/08
Abstract: A level shifter and a driving method thereof are provided to generate an output signal having a greater amplitude than an input signal, but the same phase as the input signal. A level shifter includes a level shifting part(651) and an amplifying part(654). The level shifting part takes first and second input signals to generate first and second output signals, respectively. The first input signal is a cycle signal. The second input signal is an inverted first input signal. The first output signal is in phase with the first input signal and has a greater voltage than the first input signal. The second output signal is in phase with the second input signal and has a lower voltage than the second input signal. The amplifying part takes the first and second output signals to generate a third output signal. The third output signal is in phase with the first input signal and has greater amplitude than the first input signal.
Abstract translation: 提供电平移位器及其驱动方法以产生具有比输入信号更大幅度但与输入信号相同相位的输出信号。 电平移位器包括电平移位部分（651）和放大部分（654）。 电平移位部分分别采用第一和第二输入信号来产生第一和第二输出信号。 第一输入信号是一个周期信号。 第二输入信号是反相第一输入信号。 第一输出信号与第一输入信号同相，并且具有比第一输入信号更大的电压。 第二输出信号与第二输入信号同相，并且具有比第二输入信号更低的电压。 放大部分采取第一和第二输出信号以产生第三输出信号。 第三输出信号与第一输入信号同相，并具有比第一输入信号更大的振幅。
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公开(公告)号：KR1020070057574A
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：KR1020050117198
申请日：2005-12-02
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/325 , G09G3/3291 , G09G2300/0426 , G09G2300/0465 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0866 , G09G2310/0262 , G09G2310/06 , G09G2320/043
Abstract: A display device and a driving method thereof are provided to implement high resolution of the display device by minimizing the number of signal lines so as to increase PPI(Pixel Per Inch). A display device includes a light emitting element(OLED), a driving thin film transistor(Qd), a capacitor(Cst), and first and second switching units(SI,SII). The light emitting element is driven by a driving current(IOLED). The driving thin film transistor controls the magnitude of the driving current. The capacitor, which is charged with a voltage depending on threshold and data voltages of the driving thin film transistor, maintains a voltage corresponding to the difference between the data voltage and a gate voltage of the driving thin film transistor. The first switching unit supplies the data voltage to the capacitor in response to a scan signal. The second switching unit applies a light emitting signal to the driving thin film transistor.
Abstract translation: 提供了一种显示装置及其驱动方法，以通过使信号线的数量最小化来实现显示装置的高分辨率，从而增加PPI（每英寸像素）。 显示装置包括发光元件（OLED），驱动薄膜晶体管（Qd），电容器（Cst）以及第一和第二开关单元（SI，SII）。 发光元件由驱动电流（IOLED）驱动。 驱动薄膜晶体管控制驱动电流的大小。 充电电压取决于驱动薄膜晶体管的阈值和数据电压的电容器保持对应于数据电压和驱动薄膜晶体管的栅极电压之间的差的电压。 第一开关单元响应于扫描信号将数据电压提供给电容器。 第二开关单元向驱动薄膜晶体管施加发光信号。
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公开(公告)号：KR100679717B1
公开(公告)日：2007-02-06
申请号：KR1020050067265
申请日：2005-07-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G09G3/30
Abstract: 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 유기발광 표시장치의 화소 회로에 있어서, 유기발광소자와, 게이트 선택 신호를 게이트 단에 인가받으며 데이터 신호를 입력받는 제1트랜지스터와, 제1트랜지스터와 게이트 단이 연결되며 유기발광소자의의 전류를 구동하는 제2트랜지스터와, 데이터 신호를 게이트 단에 인가받으며 제어 신호를 입력받는 제3트랜지스터와, 제3트랜지스터와 제2트랜지스터의 게이트 단을 연결하는 제1커패시터와, 제1커패시터와 직렬 구성을 가지며 양자간의 커패시턴스 비율에 따라 설정되는 스케일링 팩터를 구성하는 제2커패시터를 포함함을 특징으로 한다.
OLED, 단위 화소, 구동, 전류 편차-
公开(公告)号：KR1020060055855A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1020040095023
申请日：2004-11-19
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G09G3/20 , G09G3/3225 , G09G3/3688 , G09G2310/0291 , H03F3/72
Abstract: 본 발명은 아날로그 버퍼회로에 관한 것으로, 제1 전원전압(V
DD )을 수신하며, 노드 A에서 게이트 전극과 드레인 전극이 접속된 제1 트랜지스터와; 상기 제1 트랜지스터의 소스/드레인 전류 통로에 자신의 소스/드레인 전류통로가 직렬 접속되며, 제2 전원전압(V
SS )을 수신하는 제2 트랜지스터와; 입력전압을 수신하고, 상기 타이밍 제어부에 의해 제어되며, 노드 B에서 자신의 드레인 전극과 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극이 접속된 제3 트랜지스터와; 타이밍 제어부에 의해 제어되며, 소스 전극이 상기 노드 A에 접속된 제4 트랜지스터와; 상기 타이밍 제어부에 의해 제어되며, 상기 제1 전원전압(V
DD )과 상기 노드 B 사이에 소스/드레인 전류통로가 접속된 제5 트랜지스터와; 상기 제1 전원전압(V
DD )과 출력단 사이에 접속된 커패시터를 포함하며, 상기 출력단에서의 전압은 상기 입력전압과 함수관계에 있음을 특징으로 한다.
박막트랜지스터, 아날로그 버퍼회로, 포화영역, 함수관계Abstract translation: 本发明涉及一种模拟缓冲电路，其中第一电源电压V
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060054603A
公开(公告)日：2006-05-23
申请号：KR1020040093210
申请日：2004-11-15
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , G09G2330/021
Abstract: 본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는, 발광 소자, 축전기, 제어 단자와 입력 단자 및 출력 단자를 가지며 발광 소자가 발광하도록 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 주사 신호에 따라 구동 트랜지스터를 다이오드 연결시키며 데이터 전압을 축전기에 공급하는 제1 스위칭부, 그리고 발광 신호에 따라 구동 전압을 구동 트랜지스터에 공급하고 축전기를 구동 트랜지스터에 연결하는 제2 스위칭부를 각각 포함하는 복수의 화소를 포함한다. 이때, 축전기는 제1 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 데이터 전압과 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 의존하는 제어 전압을 저장하고 제2 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 제어 전압을 구동 트랜지스터에 공급한다. 본 발명에 의하면, 구동 트랜지스터와 유기 발광 소자의 문턱 전압이 열화되더라도 이를 보상하여 화질 열화를 방지할 수 있다.
표시 장치, 유기 발광 소자, 박막 트랜지스터, 축전기, 문턱 전압, 열화-
公开(公告)号：KR1020050058583A
公开(公告)日：2005-06-17
申请号：KR1020030090513
申请日：2003-12-12
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 게이트 절연막으로 사용되는 산화막의 특성을 향상시키기 위한 저온 화학기상증착법에 의한 게이트 산화막 형성방법 및 이를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 기판 위에 다결정 실리콘 박막을 형성하는 과정과; 상기 다결정 실리콘 박막 위에 저온 화학기상증착법에 의한 게이트 산화막을 형성하는 과정과; 엑시머 레이저 어닐링 공정을 통해 상기 게이트 산화막을 열처리하는 과정을 포함하며, 상기 게이트 산화막 열처리 과정은 상기 다결정 실리콘 박막이 녹지 않는 온도 범위 내에서 이루어짐을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020150066923A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：KR1020130152569
申请日：2013-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/66462
Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 밴드갭을갖는제1 반도체층과, 상기제1 반도체층상면에서로분리되어배치된제1 영역과제2 영역을포함하며상기제1 밴드갭보다큰 제2 밴드갭을갖는제2 반도체층및 상기제2 반도체층의상기제1 영역과상기제2 영역사이에배치되며상기제1 반도체층의적어도일부까지연장되고상기제1 및제2 반도체층의물질과다른반도체물질로이루어진제3 반도체층을포함하고, 상기제3 반도체층은불순물이도프된채널영역을구비하는것을특징으로하는반도체소자를제공한다.
Abstract translation: 在本发明的一个实施例中提供的半导体器件的特征在于包括：第一半导体层，包括第一带隙; 第二半导体层，包括通过彼此分离而布置在第一半导体层的上表面上的第一区域和第二区域，并且具有大于第一带隙的第二带隙; 以及布置在第二半导体层的第一区域和第二区域之间的第三半导体层，延伸到第一半导体层的至少一部分，并且由与第一和第二半导体材料的材料不同的半导体材料构成，其中 第三半导体层包括被杂质涂覆的沟道区域。
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公开(公告)号：KR101450875B1
公开(公告)日：2014-10-24
申请号：KR1020070116642
申请日：2007-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 TDD 방식을 이용하는 이동 통신 시스템의 무선 상하향 신호 전송을 위한 RoF(Radio-over-fiber) 시스템에 관한 기술로 상세하게는 TDD방식으로 이루어지는 시스템에서 상향 및 하향신호를 효율적으로 제어하여, 대역폭(bandwidth) 사용을 향상시키는 방법에 관한 내용이다.
본 발명에서는 TDD 방식을 이용하는 이동 통신 시스템의 무선 상하향 신호 전송을 위한 RoF 시스템에서 기지국과 복수의 릴레이가 무선 단말과 통신시 기지국과 릴레이와의 데이터 송수신의 시간지연을 효율적으로 관리하여 대역폭 활용을 높이는 구성을 제안한다.
제안된 대역폭 활용방법은 전체 시스템의 성능을 그대로 유지하며, 다운링크(Down Link) 신호 구간과 업링크(Up Link) 신호 구간 사이에 존재하는 완충시간(Guard Time)을 기지국과 릴레이와의 거리에 따라 서로 다르게 적용 함으로서, 업링크 구간의 대역폭 활용도를 최대한 유지할 수 있도록 하는 것이다.
광 릴레이 시스템, TDD 방식의 무선통신 시스템
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