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公开(公告)号：KR1020090128888A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：KR1020080054863
申请日：2008-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/2037 , G09G3/2081 , G09G2300/0842 , H01L27/3244 , H01L2027/11879 , H01L2227/323
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a driving method thereof are provided to display the images with various colors by the gray scale of various steps by inserting at least one additional bit signal for an additional sub frame. CONSTITUTION: A driving transistor(T2) switches the current supply to an OLED by an image signal. A current controller includes a plurality of current control transistors(T3,T4) controlling an amount of currents to the OLED. A driving transistor operates in a linear region. Current control transistors operate at a saturation region. A storage capacitor stores an image signal. A switching transistor stores the image signal in a storage capacitor.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其驱动方法，通过插入附加子帧的至少一个附加位信号，通过各种步骤的灰度显示各种颜色的图像。 构成：驱动晶体管（T2）通过图像信号将电流源切换到OLED。 电流控制器包括控制到OLED的电流量的多个电流控制晶体管（T3，T4）。 驱动晶体管在线性区域中工作。 电流控制晶体管在饱和区域工作。 存储电容器存储图像信号。 开关晶体管将图像信号存储在存储电容器中。
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公开(公告)号：KR1020090060757A
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：KR1020070127686
申请日：2007-12-10
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/02271 , H01L21/0262 , H01L21/205
Abstract: A manufacturing method of a thin film transistor, a thin film transistor, and a flat panel display device including the same are provided to prevent growth of a native oxide film and pollution due to an air exposure by in-situ manufacturing a silicon layer and a gate insulation layer inside the same vacuum chamber. A substrate is prepared(S1). A buffer layer is formed on the substrate(S2). A silicon layer is formed on the buffer layer(S3). A gate insulation layer is formed on the silicon layer(S4). A gate metal layer is formed on the gate insulation layer(S5). A gate electrode is formed by patterning the gate metal layer(S6). A source, a drain, and a channel are defined by successively patterning the gate insulation layer and the silicon layer(S8). An interlayer insulation layer is formed on the gate electrode and the silicon layer(S9). A source electrode and a drain electrode connected to the source and the drain are formed by forming a contact hole on the interlayer insulation layer(S10).
Abstract translation: 提供薄膜晶体管，薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的平板显示装置的制造方法以防止自然氧化物膜的生长和由于通过原位制造硅层和空气曝光引起的污染 门绝缘层在同一真空室内。 制备底物（S1）。 在基板（S2）上形成缓冲层。 在缓冲层上形成硅层（S3）。 在硅层上形成栅极绝缘层（S4）。 在栅极绝缘层上形成栅极金属层（S5）。 通过对栅极金属层进行构图来形成栅电极（S6）。 源极，漏极和沟道通过连续构图栅极绝缘层和硅层来限定（S8）。 在栅电极和硅层上形成层间绝缘层（S9）。 通过在层间绝缘层上形成接触孔，形成与源极和漏极连接的源电极和漏电极（S10）。
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公开(公告)号：KR1020080076292A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：KR1020070016033
申请日：2007-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/42384 , H01L2029/7863 , H01L29/78675
Abstract: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to change doping level for respective semiconductor layer regions by adjusting thickness and location of first, second, and third insulation layers. A thin film transistor comprises a lower structure(11), a semiconductor layer(12), first and second insulation layers(14a,14b), and a third insulation layer(16), and a gate electrode layer(17). The semiconductor layer includes a plurality of doped regions(12b,12c,12d) on the lower structure. The first and second insulation layers are formed on the semiconductor layer, separated from each other. The third insulation layer is formed on the first and second insulation layers. The gate electrode layer is formed on the third insulation layer between the first and second insulation layers. The width of the third insulation layer is longer than that between the first and second insulation layers and shorter than that between the left part of the first insulation layer and the right part of the second insulation layer.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法，通过调整第一，第二和第三绝缘层的厚度和位置来改变各半导体层区域的掺杂水平。 薄膜晶体管包括下部结构（11），半导体层（12），第一和第二绝缘层（14a，14b）以及第三绝缘层（16）和栅电极层（17）。 半导体层包括在下部结构上的多个掺杂区域（12b，12c，12d）。 第一绝缘层和第二绝缘层形成在半导体层上，彼此分离。 第三绝缘层形成在第一和第二绝缘层上。 栅电极层形成在第一和第二绝缘层之间的第三绝缘层上。 第三绝缘层的宽度比第一绝缘层和第二绝缘层之间的宽度长，并且比第一绝缘层的左部分和第二绝缘层的右部分之间的宽度短。
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公开(公告)号：KR100769433B1
公开(公告)日：2007-10-22
申请号：KR1020060121695
申请日：2006-12-04
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단 , 한민구
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L21/26586 , H01L29/78621
Abstract: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and a flat panel display having the same are provided to reduce a manufacturing cost by forming an LDD(Lightly Doped Diffusion) region and source and drain regions without using extra mask and photolithography. A semiconductor layer(13) is formed on a substrate(11). A gate electrode(15a) is isolated from the semiconductor layer by a gate insulating layer(14), and openings are formed on both sides of the gate electrode. A first impurity region is formed in the semiconductor layer, and is exposed by the openings. A second impurity region is formed on both sides of the gate electrode, in which an impurity concentration of the second impurity region is higher than that of the second impurity region. A buffer layer(12) is formed between the substrate and the semiconductor layer.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法和具有该薄膜晶体管的平板显示器，以通过在不使用额外掩模和光刻的情况下形成LDD（轻掺杂扩散）区域和源极和漏极区域来降低制造成本。 半导体层（13）形成在基板（11）上。 栅电极（15a）通过栅极绝缘层（14）与半导体层隔离，并且在栅电极的两侧形成开口。 第一杂质区形成在半导体层中，并被开口露出。 第二杂质区形成在栅电极的两侧，其中第二杂质区的杂质浓度高于第二杂质区的杂质浓度。 在衬底和半导体层之间形成缓冲层（12）。
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公开(公告)号：KR100982035B1
公开(公告)日：2010-09-13
申请号：KR1020070127686
申请日：2007-12-10
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 제조 공정중 대기 노출에 의한 오염 및 자연 산화막의 성장을 방지함으로써, 실리콘층과 게이트 절연층 사이의 계면 특성을 향상시키는데 있다.
이를 위해 본 발명은 기판을 준비하는 기판 준비 단계, 기판에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계, 버퍼층에 실리콘층을 형성하는 실리콘층 형성 단계, 실리콘층에 게이트 절연층을 형성하는 게이트 절연층 형성 단계, 게이트 절연층에 게이트 금속층을 형성하는 게이트 금속층 형성 단계, 게이트 금속층을 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 패터닝 단계, 게이트 절연층 및 실리콘층을 차례로 패터닝하여 소스, 드레인 및 채널이 정의되도록 하는 게이트 절연층/실리콘층 패터닝 단계, 게이트 전극 및 실리콘층에 층간 절연층을 형성하는 층간 절연층 형성 단계, 층간 절연층에 콘택홀을 형성하여 실리콘층의 소스 및 드레인에 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 소스/드레인 전극 형성 단계를 포함하고, 위의 실리콘층 형성 단계 및 게이트 절연층 형성 단계는 인시튜 공정으로 수행됨을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법을 개시한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100837335B1
公开(公告)日：2008-06-12
申请号：KR1020060127289
申请日：2006-12-13
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L51/5296 , H01L27/14692 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5092 , H01L2027/11879 , H01L2227/32 , H01L2924/1307
Abstract: A pixel circuit of a flat panel display device is provided to prevent the deterioration of a threshold voltage of a driving transistor by executing negative or positive annealing on a driving transistor and turning off an organic light emitting device at the same time. A pixel circuit of a flat panel display device includes first, second, and third switching transistors, a driving transistor(DR_TR), an illumination control transistor(EMI_TR), an organic light emitting device(OLED), and a storage element(Cst). A control electrode of the first switching transistor, which delivers data signals from a data line, is connected to a scan line. A control electrode of the driving transistor is connected to the first switching transistor(SW_TR1). The illumination control transistor, which is connected to the driving transistor, blocks current of the driving transistor. The organic light emitting device, which is connected to the illumination control transistor or the driving transistor, displays images. The storage element, which is connected to the driving transistor, is connected between the driving transistor and the illumination control transistor, The second switching transistor(SW_TR2) is connected between a second electrode of the storage capacitor and the data line. A first electrode of the third switching transistor(SW_TR3) is connected between the first switching and driving transistors and a control electrode thereof is connected to a control electrode of the second switching transistor.
Abstract translation: 提供了一种平板显示装置的像素电路，以通过对驱动晶体管执行负或正退火以同时关闭有机发光器件来防止驱动晶体管的阈值电压的劣化。 平板显示装置的像素电路包括第一，第二和第三开关晶体管，驱动晶体管（DR_TR），照明控制晶体管（EMI_TR），有机发光器件（OLED）和存储元件（Cst） 。 从数据线传送数据信号的第一开关晶体管的控制电极连接到扫描线。 驱动晶体管的控制电极连接到第一开关晶体管（SW_TR1）。 连接到驱动晶体管的照明控制晶体管阻止驱动晶体管的电流。 连接到照明控制晶体管或驱动晶体管的有机发光器件显示图像。 连接到驱动晶体管的存储元件连接在驱动晶体管和照明控制晶体管之间。第二开关晶体管（SW_TR2）连接在存储电容器的第二电极和数据线之间。 第三开关晶体管（SW_TR3）的第一电极连接在第一开关晶体管和驱动晶体管之间，其控制电极连接到第二开关晶体管的控制电极。
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公开(公告)号：KR1020050058583A
公开(公告)日：2005-06-17
申请号：KR1020030090513
申请日：2003-12-12
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 게이트 절연막으로 사용되는 산화막의 특성을 향상시키기 위한 저온 화학기상증착법에 의한 게이트 산화막 형성방법 및 이를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 기판 위에 다결정 실리콘 박막을 형성하는 과정과; 상기 다결정 실리콘 박막 위에 저온 화학기상증착법에 의한 게이트 산화막을 형성하는 과정과; 엑시머 레이저 어닐링 공정을 통해 상기 게이트 산화막을 열처리하는 과정을 포함하며, 상기 게이트 산화막 열처리 과정은 상기 다결정 실리콘 박막이 녹지 않는 온도 범위 내에서 이루어짐을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101472799B1
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：KR1020080054863
申请日：2008-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/2037 , G09G3/2081 , G09G2300/0842
Abstract: 디스플레이장치는 OLED(Organic Light Emitting Diode), 화상신호에의해상기 OLED에대한전류공급을스위칭하는드라이빙트랜지스터, 상기 OLED에대한전류의량을제어하는복수의전류제어트랜지스터를포함하는전류제어부;를구비한다. 이러한구조에따르면종래비해높은해상도와깊은색감표현이가능한디스플레이의구현이가능하다.
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公开(公告)号：KR101334177B1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：KR1020070016033
申请日：2007-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/42384 , H01L2029/7863
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 하부 구조체; 상기 하부 구조체 상에 다수의 도핑 영역을 포함하여 형성된 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성된 이격되어 형성된 제 1절연층 및 제 2절연층; 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층 상에 형성된 제 3절연층; 및 상기 제 3절연층의 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층에 대응되는 영역 사이에 형성된 게이트 전극층;을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다.
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公开(公告)号：KR100926591B1
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：KR1020070073427
申请日：2007-07-23
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2320/0261 , G09G2320/066
Abstract: 본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 구동 트랜지스터의 열화 현상을 최소화 하는 데 있다.
이를 위해 본 발명은 주사선이 제어전극에 전기적으로 연결되며 데이터선과 제1전원전압선 사이에 전기적으로 연결되어 데이터신호를 전달하는 제1스위칭 소자와, 제1스위칭 소자에 제어전극이 전기적으로 연결되며 제1전원전압선과 제2전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터에 전기적으로 연결되며 구동 트랜지스터에 의해 공급되는 전류에 의해 화상을 표시하는 유기 전계 발광 소자와, 구동 트랜지스터의 제어전극과 제1스위칭 소자 사이에 전기적으로 연결된 제1용량성 소자와, 제1용량성 소자와 제2전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 제2용량성 소자와, 제1전원전압선과 구동 트랜지스터의 제어전극 사이에 전기적으로 연결된 제2스위칭 소자와 제1스위칭 소자와 구동 트랜지스터 사이에 전기적으로 연결된 제3스위칭 소자와, 구동 트랜지스터의 제어전극과 제2전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 제4스위칭 소자 및 구동 트랜지스터와 제2전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 제5스위칭 소자를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치를 개시한다.
AMOLED, 구동 트랜지스터, 네가티브(Negative), 어닐링(Anneling), 열화
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