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公开(公告)号：KR101469533B1
公开(公告)日：2014-12-05
申请号：KR1020130061787
申请日：2013-05-30
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01N27/205 , G01N15/0826 , G01N33/0004 , G01N33/0027
Abstract: 본 발명은 물질의 수분, 산소 등을 포함하는 외기의 침투율을 측정하는 장치에 관한 것으로, 본 실시예에 따른 기판의 외기 침투율 측정을 위한 반응 물질 카트리지는 기판을 투과한 외기와의 접촉에 따라 반응하는 반응 물질을 포함하는 반응부; 상기 반응부를 수용하며, 상기 반응 물질의 상기 외기와의 접촉에 따른 변화를 측정하는 측정부에 탈착 가능한 카트리지 몸체; 및 상기 카트리지 몸체를 차폐하며, 상기 반응 물질과 상기 외기의 접촉을 위하여 상기 카트리지 몸체에서 박리되는 차폐수단을 포함한다. 본 발명에 따르면 카트리지화된 가스 투과도 측정 장치 및 방법을 이용함으로써 종래의 기술에 비해 정밀하고 신뢰성 있는 데이터 확보가 가능하여 플렉서블 AMOLED 등의 새로운 응용분야에 필요한 제품의 신뢰성 평가가 용이할 수 있다. 또한 기판이 수용되는 부분도 카트리지 형태로 제작하여 상대적으로 장착 및 지지가 자유롭지 않은 유연 기판을 측정하고자 할 때 장치 외부에서 간편하게 작업할 수 있어서 측정자 간의 균일도 오류를 줄일 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量包括材料的水分，氧气等的室外空气的渗透率的装置。 根据本实施方式，用于测量基板的室外空气渗透率的反应性材料筒包括：反应部，其包括反应性材料，所述反应性材料与通过所述基板的室外空气接触而反应; 容纳反应部分并且可以根据室外空气和反应性材料之间的接触测量变化的测量部件拆卸的盒体; 以及屏蔽装置，其屏蔽盒体并且为了反应性材料和室外空气之间的接触目的而从盒体剥离。 根据本发明，与现有技术相比，使用筒式气体透过率测量装置和方法可以确保更准确和可靠的数据，从而有助于新应用所需产品的可靠性评估，例如灵活性 AMOLED的。 此外，容纳衬底的部分可以以盒形式制造。 因此，在测量不能相对自由地安装和支撑的柔性基板时，可以方便地在设备的外部执行操作，从而减少测量者之间的均匀性误差。
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公开(公告)号：KR101456238B1
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：KR1020120153255
申请日：2012-12-26
Applicant: 전자부품연구원 , 중앙대학교 산학협력단
IPC: H01L21/268
Abstract: 용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치이 개시된다. 본 자외선 램프 장치는 샘플탑재부와 내부에 챔버 공간을 가지고 샘플탑재부를 에워싸는 구조를 갖는 하우징을 구비하되, 챔버 공간의 상부에는 샘플탑재부와 대향되게 형성되어 하부로 자외선을 조사하기 위한 자외선 램프부를 포함하고, 하우징의 일영역에는 상기 샘플탑재부의 탑재된 샘플에 상기 불활성가스를 주입하기 위한 불활성가스 주입부를 구비한다.
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公开(公告)号：KR101456237B1
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020120137532
申请日：2012-11-30
Applicant: 전자부품연구원 , 중앙대학교 산학협력단
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02628 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02664 , H01L21/26 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조방법 및 그 전자소자의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 산화물 박막 제조방법은 산화물 용액을 기판 상에 코팅하는 단계와 불활성 가스 분위기 하에서 상기 코팅된 산화물 용액에 자외선 조사하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101407489B1
公开(公告)日：2014-06-13
申请号：KR1020120136970
申请日：2012-11-29
Applicant: 전자부품연구원 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H02N1/04 , F03G7/005 , H02N1/08 , H02N11/002
Abstract: 본 발명은 액체를 이용한 에너지 전환 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전기습윤(electrowetting)현상의 반대현상을 응용하여 기계적 에너지를 전기 에너지로 전환시키는 방법 및 장치에 관한 것으로 한쌍의 전극사이에서 액체와의 접촉면을 변화시키고, 그에 따른 액체와의 접촉면 변화를 전기에너지 생성에 활용하여, 채널 막힘현상이나 윤활층, 혹은 채널상에 복잡하게 패터닝된 전극들을 필요로 하지 않도록 함으로써 장치의 단순화, 제조원가 절감과 함께 고장이 적은 에너지 전환장치를 구현한다는 효과가 있으며, 플렉서블 소자 구현이 가능하도록 하고, 소자의 구조를 간단하게 하여 대면적 적용이 용이하도록 한 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1020140069565A
公开(公告)日：2014-06-10
申请号：KR1020120136970
申请日：2012-11-29
Applicant: 전자부품연구원 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H02N1/04 , F03G7/005 , H02N1/08 , H02N11/002
Abstract: The present invention relates to an energy converting apparatus using liquid and, more specifically, to an apparatus and a method for converting mechanical energy into electric energy by applying the opposition phenomenon to electrowetting. The energy converting apparatus changes a surface in contact with liquid between a pair of electrodes and utilizes the change in the surface in contact with liquid for generating electric energy, so that electrodes complexly patterned on a channel or a lubricating layer are not required or blockage of a channel is prevented. Therefore, the energy converting apparatus can provide less trouble, reduce manufacturing costs, have simplified equipment, make a flexible element, and be easily applied to a large area by simplifying a structure of an element.
Abstract translation: 本发明涉及使用液体的能量转换装置，更具体地说，涉及通过将对立现象应用于电润湿来将机械能转换为电能的装置和方法。 能量转换装置改变与一对电极之间的液体接触的表面，并且利用与液体接触的表面的变化来产生电能，使得不需要在通道或润滑层上复杂地图案化的电极或阻塞 阻止通道。 因此，通过简化元件的结构，能量转换装置可以提供较少的故障，降低制造成本，简化设备，制造柔性元件，并且容易地应用于大面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101322331B1
公开(公告)日：2013-10-28
申请号：KR1020110050014
申请日：2011-05-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/115
Abstract: 본 발명에서는 직접형 digital X-ray radiography system용 TFT 백플레인 패널에 기존의 하부 게이트 박막 트랜지스터 소자 대신 상부 게이트 구조의 소자를 적용한다. 이에 따라 공정 단순화, 소자 구동 안정성 등이 보장된다.
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公开(公告)号：KR1020110071982A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090128730
申请日：2009-12-22
Applicant: 전자부품연구원 , 엘에스전선 주식회사
IPC: B82B3/00
Abstract: PURPOSE: A dispersion method of a dry complex within a polymer resin is provided to prevent nano particles generated from a dry complex in a process of a hot melting process from eluting by using polymer particles having a melting point higher than the one of the polymer resin. CONSTITUTION: The dispersion method of a dry complex within a polymer resin uses polymer particles having a melting point higher than the one of the polymer resin to prevent nano particles generated from a dry complex in a process of a hot melting process from eluting. The nano particle becomes a dry complex by using a high speed rotation device to the polymer particle. The melting point of the polymer particle is higher than the one of the polymer resin in a range of 5-300°C.
Abstract translation: 目的：提供聚合物树脂中的干燥络合物的分散方法，以防止在热熔融过程中由干燥络合物产生的纳米颗粒通过使用熔点高于聚合物树脂的聚合物颗粒进行洗脱 。 构成：聚合物树脂中的干燥络合物的分散方法使用熔点高于聚合物树脂的聚合物粒子，以防止在热熔融过程中由干燥络合物产生的纳米颗粒进行洗脱。 通过使用高速旋转装置将纳米颗粒变成干燥的复合物。 聚合物颗粒的熔点高于聚合物树脂的熔点在5-300℃的范围内。
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公开(公告)号：KR1020090103249A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：KR1020080028737
申请日：2008-03-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/107 , H01L51/0545
Abstract: PURPOSE: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to make a protective film of inorganic material excellent for blocking impurities. CONSTITUTION: An organic thin film transistor comprises a substrate(100), a buffer layer, a gate electrode(110), a gate insulating layer(120), a drain electrode(131), a source electrode(132), an organic semiconductor layer, the first protective film(150), and the second protective film. The buffer layer is formed on the substrate. The gate electrode is formed on the buffer layer. The gate insulating layer is formed on the buffer layer as surrounding the gate electrode. The drain and source electrodes are separated from each other on the gate insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法，以制造阻挡杂质的无机材料的保护膜。 构成：有机薄膜晶体管包括衬底（100），缓冲层，栅电极（110），栅极绝缘层（120），漏电极（131），源电极（132），有机半导体 第一保护膜（150）和第二保护膜。 缓冲层形成在基板上。 栅电极形成在缓冲层上。 栅极绝缘层在围绕栅电极的缓冲层上形成。 漏极和源极在栅极绝缘层上彼此分离。
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公开(公告)号：KR100691800B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020040114464
申请日：2004-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, 스퍼터링으로 비정질 실리콘 박막을 형성하기 때문에, 그 비정질 실리콘 박막에는 수소의 함량이 거의 없어, 탈수소화 공정을 생략하여 고분자 기판의 변형 및 비정질 실리콘 박막에서 크랙의 발생을 방지할 수 있어 소자의 특성이 우수해지는 효과가 있다.
다결정, 실리콘, 수소, 스퍼터링, 변형-
公开(公告)号：KR100651163B1
公开(公告)日：2006-11-30
申请号：KR1020050112237
申请日：2005-11-23
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786
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