Abstract:
산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법은 유연기판; 유연기판 상에 마련되는 하부전극; 하부전극 상에 수직 성장되는 산화아연 나노와이어; 및 산화아연 나노와이어를 캐핑(capping)시키는 캐핑 레이어를 포함하고, 캐핑 레이어는 폴리실라잔, 실세스퀴옥산 및 실란 화합물을 포함하는 코팅액으로 형성된다.
Abstract:
The present invention relates to a planar heating element using zinc oxide nanoplates and a manufacturing method thereof. The planar heating element according to an embodiment of the present invention includes: a substrate; a heat emitting layer which is made of ZnO nanoplates on the substrate; and a protection layer which is formed on the top of the heat emitting layer. The present invention can provide the planar heating element configured to ensure even temperature distribution over the entire surface.
Abstract:
Disclosed are a surface heating element with a 3D carbon structure and a manufacturing method thereof. The surface heating element according to one embodiment of the present invention includes a substrate and a carbon coating layer which is formed on the substrate. The carbon coating layer includes a carbon support element which is made of carbon materials with a planar structure and a carbon fiber which has an array shape vertically grown on the carbon support element.
Abstract:
PURPOSE: A method for forming a carbon nanotube conductive film and the carbon nanotube conductive film manufactured thereby are provided to manufacture good quality of a carbon nanotube conductive film by coating a coating material, pre-treated on a substrate, and a carbon nanotube coating liquid on the substrate. CONSTITUTION: A method for forming a carbon nanotube conductive film is as follows; a step where a substrate(100) is prepared, a step where a pre-treated substrate is formed by coating a pre-treating coating liquid on the substrate, and a step where a carbon nanotube coating liquid, which physically and chemically reacts to the pre-treated substrate, is coated on the pre-treated substrate.
Abstract:
본 발명은 탄소나노튜브 코팅층에 p-type의 유기 전구체를 이용한 p-도핑으로 탄소나노튜브 코팅층의 전기 전도성을 향상시키고 열적 안정성을 제공하는 저저항 고전도 탄소나노튜브 투명 필름 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판 위에 탄소나노튜브 코팅층을 형성한다. 그리고 탄소나노튜브 코팅층 위에 음이온 그룹으로 TFSI(bis(trifluoromethanesulfonyl)imide)를 포함하는 p-타입의 유기 전구체를 코팅한다. 이때 p-타입의 도펀트로 사용되는 p-타입의 유기 전구체는 탄소나노튜브 코팅층의 표면에서 탄소나노튜브와 전자진화도가 큰 p-타입의 유기 전구체의 양이온 사이에 전하 이동(charge transfer)이 발생하고, p-타입의 유기 전구체의 음이온 그룹이 비편재화 하여 도핑 효과를 안정시킨다. 이때 p-타입의 유기 전구체로는 (CF 3 SO 2 )2NH, (CF 3 SO 2 )2NAg, C 7 H 3 ClF 6 N 2 O 4 S 2 , C 6 H 5 N(SO 2 CF 3 ) 2 등이 사용될 수 있다.