公开(公告)号：KR101755268B1

公开(公告)日：2017-07-10

申请号：KR1020150157224

申请日：2015-11-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 한일기 ,  박재관 ,  고형덕 ,  권석준 ,  박준서 ,  이상배

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/022

Abstract: 실시예들은기판상에형성된에피층을포함하는레이저다이오드칩을준비하는단계, 솔더층이증착된금속블록을준비하는단계, 상기에피층과상기솔더층이서로향하도록정렬하는단계, 상기금속블록을가열하는단계및 상기가열에의해솔더층이액체상태가되면, 상기레이저다이오드칩과상기금속블록이접촉하도록상기레이저다이오드칩과상기금속블록을누르는단계를포함하는레이저다이오드제조방법및 이를이용하여제조된레이저다이오드에관한것이다.

公开(公告)号：KR101742687B1

公开(公告)日：2017-06-05

申请号：KR1020160132835

申请日：2016-10-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장호성 ,  김성일 ,  조소혜 ,  이승용 ,  고형덕 ,  홍아라

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0352 ,  C09K11/77 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L31/09 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/7705 ,  C09K11/7773 ,  H01L31/035209

Abstract: 본발명은근적외선을가시광선으로변환할수 있는고효율의코어/쉘구조의상향변환나노형광체와나노형광체에의해변환된가시광에의해여기될수 있는비 카드뮴계양자점을포함하는나노구조체를제공한다.

公开(公告)号：KR1020160144654A

公开(公告)日：2016-12-19

申请号：KR1020150081071

申请日：2015-06-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 고형덕 ,  조영학 ,  이동기

IPC: H01L31/09 ,  G01J1/42 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 본발명은금속-반도체-금속구조의나노선을포함함으로써, 추가적인필터없이도, 선택적으로자외선파장만을센싱할수 있으며, 자외선조사시매우안정적이고빠른광반응을나타낸다는효과를달성할수 있다. 또한, 본발명의모든공정은웨이퍼수준에서일괄공정방식에의해제작되도록하여저가, 대량생산이가능하도록하는효과를달성할수 있다.에관한것이다.

公开(公告)号：KR101682133B1

公开(公告)日：2016-12-02

申请号：KR1020150156331

申请日：2015-11-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 고형덕 ,  한일기 ,  김용현 ,  박민식

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/055 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0547 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52

Abstract: 본발명의광학필름은원뿔형구조의돌기들이구비된패턴과상기돌기내에양자점이임베디드된구조에의해빛의반사를방지하고, 근자외선파장영영에서의빛을태양전지가흡수할수 있는범위의파장으로변환하여, 소자의효율을현저히개선할수 있는효과를갖는다. 또한본 발명에따른광학필름은투명성이우수하고, 이자체가접착특성을갖기때문에, 추가제조공정없이태양전지등의소자에쉽게부착하는데사용될수 있다. 또한본 발명에따른광학필름은태양전지에적용되어태양전지의두께를크게증가시키지않으면서도태양광의흡수효율은현저히향상시키는효과를갖는다.

公开(公告)号：KR101540311B1

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：KR1020130140803

申请日：2013-11-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 고두현 ,  민병권 ,  닐리쉬바랑게 ,  고형덕 ,  한일기 ,  최원준

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은태양전지에관한것으로서, 찰코파이라이트형화합물을나노임프린트리소그래피공정을통해광결정구조로제조함으로써태양입사광의훕수를증폭시키므로우수한광전환효율을나타내고, 또한, Cu, In, Ga 전구체페이스트또는잉크를이용하여 CiGS 또는 CIS 박막을제조하여금속원료의소모를최소화함으로써공정비용을절감할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150057433A

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：KR1020130140803

申请日：2013-11-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 고두현 ,  민병권 ,  닐리쉬바랑게 ,  고형덕 ,  한일기 ,  최원준

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

Abstract: 본발명은태양전지에관한것으로서, 찰코파이라이트형화합물을나노임프린트리소그래피공정을통해광결정구조로제조함으로써태양입사광의훕수를증폭시키므로우수한광전환효율을나타내고, 또한, Cu, In, Ga 전구체페이스트또는잉크를이용하여 CiGS 또는 CIS 박막을제조하여금속원료의소모를최소화함으로써공정비용을절감할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池。 本发明通过纳米压印光刻工艺制造具有光子晶体结构的黄铜矿化合物，通过增加来自太阳的入射光的吸收来获得高的光转换效率。 此外，本发明通过使用Cu，In，Ga前体浆料或油墨制造CiGS或CIS薄膜来最小化金属材料的消耗来降低加工成本。

公开(公告)号：KR101505123B1

公开(公告)日：2015-03-23

申请号：KR1020130072912

申请日：2013-06-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 고형덕 ,  한일기 ,  최원준

IPC: G02B5/22 ,  G02B5/20

Abstract: 나노구조체는 기판, 기판 위에 위치하는 제1 금속층, 그리고 제1 금속층 위에 위치하는 단위 구조물(unit structure)을 포함하고, 단위 구조물은 제1 금속층 위에 위치하는 제1 유전체층, 제1 유전체층 위에 위치하는 제2 금속층, 제2 금속층 위에 위치하는 제2 유전체층, 제2 유전체층 위에 위치하는 제3 금속층, 제3 금속층 위에 위치하는 제3 유전체층, 그리고 제3 유전체층 위에 위치하는 제4 금속층을 포함하고, 제1 유전체층, 제2 유전체층, 그리고 제3 유전체층은 서로 두께가 다르다.