특정 파장의 광원 및 반응성 가스를 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법 및 장치

    公开(公告)号:WO2019208916A1

    公开(公告)日:2019-10-31

    申请号:PCT/KR2019/001411

    申请日:2019-02-01

    Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법은, 메인 챔버 내부에 평탄화하고자 하는 대상물을 제공하는 단계; 상기 메인 챔버 내부에 식각용 가스를 주입하는 단계; 상기 특정 파장의 광원을 상기 대상물의 표면에 입사하는 단계; 및 상기 대상물의 온도를 제어하는 단계를 포함한다. 상기 방법에 의하면 종래의 CMP 공정에 의한 평탄화에서 발생하는 시료의 스크래치 또는 오염 등의 부작용을 최소화할 수 있고 공정 난이도가 낮아 평탄화 공정에 소요되는 비용 및 시간을 줄일 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따르면 나노미터(nm) 단위의 정교한 평탄화가 가능하며, 대면적의 표면뿐만 아니라 소자 측면의 평탄화도 동시에 수행 가능하므로, 평탄화 공정에 소요되는 비용 및 시간을 줄일 수 있다. 또한, 표면 거칠기를 개선하고 전기 전도도를 향상시킴으로써 LED 소자의 효율 증대 및 고출력화가 가능하다.

    에피-사이드 다운 마운팅된 히트싱크를 포함하는 고출력 레이저 다이오드 및 그 제조방법
    3.
    发明公开
    에피-사이드 다운 마운팅된 히트싱크를 포함하는 고출력 레이저 다이오드 및 그 제조방법 有权
    高功率激光二极管,包括外延侧向下安装的散热器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170054720A

    公开(公告)日:2017-05-18

    申请号:KR1020150157224

    申请日:2015-11-10

    Abstract: 실시예들은기판상에형성된에피층을포함하는레이저다이오드칩을준비하는단계, 솔더층이증착된금속블록을준비하는단계, 상기에피층과상기솔더층이서로향하도록정렬하는단계, 상기금속블록을가열하는단계및 상기가열에의해솔더층이액체상태가되면, 상기레이저다이오드칩과상기금속블록이접촉하도록상기레이저다이오드칩과상기금속블록을누르는단계를포함하는레이저다이오드제조방법및 이를이용하여제조된레이저다이오드에관한것이다.

    Abstract translation: 实例是制备激光二极管芯片,其包括在形成于基板上,其特征在于所述皮质的步骤:制备一个金属块沉积焊料层,对准皮层和焊料层,以便相互面对,所述金属块 当焊料层由步骤和用于加热液体的热量,和一个激光二极管的制造方法以及形成使用它们,包括压制激光二极管芯片和金属块这样的步骤,所述激光二极管芯片和所述金属块相接触的 并由此制造激光二极管。

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