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公开(公告)号：KR101889931B1
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：KR1020170125165
申请日：2017-09-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/054 , H01L31/0216 , H01L31/048 , H01L31/0236 , C03C3/066 , C03C3/068 , H01L31/055 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은파장변환유리층을포함하는태양전지및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의파장변환유리(층)는유리조성물과파장변환제로이루어지고, 상기파장변환제는파장변환유리층의전체함량에서 1-20중량%로함유된다. 본발명의파장변환유리(층)는파장변환제를포함하지않는일반유리(층)와비교하여 300-400 nm의입사광을 10% 이상더 흡수하여파장변환제를포함하지않는일반유리층과비교하여광전효율측면에서 0.1% 이상우수하다. 더욱이, 본발명의파장변환유리(층)는 (i) 높은가시광투과도; (ii) 파장변환제의산화, 열화및 백화현상에대한우수한보호능; (iii) 태양광노출에따라유발되는황변현상의효과적억제; 및 (iv) 태양전지의내마모성, 내열성, 내화학성, 밀봉효과등의개선효과등을나타낸다. 따라서, 본발명의파장변환유리(층)는우수한광전효율을가지는태양전지의제조에간편하고효과적으로이용될수 있다.
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公开(公告)号：KR101781837B1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：KR1020150157330
申请日：2015-11-10
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 그래핀산화물박막의제조방법은, 그래핀산화물분산액을준비하는단계; 전원의양극(anode)에연결된 ITO 박막이증착된기판을상기그래핀산화물분산액에침지시키는단계; 상기전원의음극(cathode)에연결된흑연판을상기그래핀산화물분산액에침지시키는단계; 및상기전원에전압을인가하는시간에따라두께를변화시켜그래핀산화물박막을증착하는단계를포함한다. 이에따라, 전기적증착방법을통해 ITO 기판위에그래핀산화물박막을원하는두께로균일하게증착할 수있고, 전기적환원방법을통해미리설계한특성에맞게환원된그래핀산화물박막을얻을수 있으며이를유기전계발광소자의정공주입(수송)층으로적용하여소자의특성을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160100611A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020150023255
申请日：2015-02-16
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/548
Abstract: 박막증착장치는, 동시스퍼터링을이용하여다성분계박막을형성하기위한적어도하나의스퍼터링소스의스퍼터링을물리적으로차단하는셔터부; 상기셔터부의열림동작또는닫힘동작을제어하는제어부; 상기제어부의제어에따라상기셔터부의열림동작또는닫힘동작시간을설정하는타이머부; 및상기셔터부를열림또는닫힘으로구동하는액츄에이터부를포함한다. 이에따라, 박막에미량첨가되는원소의양을매우미세하게조절할수 있을뿐만아니라박막전체에고르게분포시킬수 있다.
Abstract translation: 薄膜沉积装置包括：快门单元，物理地阻挡至少一个溅射源的溅射，以使用共溅射形成多组分薄膜; 控制单元，控制快门单元的打开操作或关闭操作; 定时器单元，根据控制单元的控制设置快门单元的打开操作或关闭操作时间; 以及操作快门单元以被打开或关闭的致动器。 因此，添加到薄膜中的微量元素能够被非常精细地控制; 而且能够均匀地分布在整个薄膜上。
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公开(公告)号：KR101307780B1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：KR1020120015689
申请日：2012-02-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 반도체 소자의 금속배선 제조방법은 기판 상에 형성된 층간 절연막을 패터닝하여 배선창을 형성하는 단계, 기판이 배치되는 증착장치에 질소를 포함하는 가스를 주입하여 층간 절연막의 표면을 질화처리하는 단계, 증착장치에 질소를 포함하는 가스 및 금속가스를 함께 주입하여 확산 방지막을 형성하는 단계, 배선창을 금속으로 채우는 단계, 및 화학기계적연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 공정으로 배선창 이외에 형성된 금속을 제거하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 층간 절연막의 기계적 강도를 증가시켜 화학기계적연마 공정에서 발생하는 스크래치 또는 결함을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130094442A
公开(公告)日：2013-08-26
申请号：KR1020120015689
申请日：2012-02-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A metal line of a semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve the reliability of the semiconductor device by preventing scratches and defects. CONSTITUTION: A line window (410) is formed by patterning an interlayer insulating film (110) formed on a substrate. The surface of the interlayer insulating film is nitrified by injecting gas including nitride to a deposition device on which the substrate is arranged. A diffusion barrier (150) is formed by injecting the gas including nitride and metal gas to the deposition device. The line window is filled with metal. The metal formed on the other region except for the line window is removed by a chemical mechanical polishing (CMP) process.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件的金属线及其制造方法，以通过防止划痕和缺陷来提高半导体器件的可靠性。 构成：通过图案化形成在基板上的层间绝缘膜（110）形成线窗（410）。 层间绝缘膜的表面通过将含有氮化物的气体注入到其上配置有基板的沉积装置而被硝化。 通过将包括氮化物和金属气体的气体注入到沉积装置来形成扩散阻挡层（150）。 线窗填充金属。 通过化学机械抛光（CMP）工艺除去在除了线窗之外的另一区域上形成的金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130059949A
公开(公告)日：2013-06-07
申请号：KR1020110126210
申请日：2011-11-29
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B3/08 , F24S23/00 , F24S23/31 , F24S40/52 , F24S50/80 , H01L31/054 , H01L31/0543 , Y02E10/43 , Y02E10/44 , Y02E10/52
Abstract: PURPOSE: A concentration-ratio controllable system for concentrate type solar cells is provided to control light quantity irradiated from the surface of a solar cell by using an adjustment part for adjusting the lower part of a solar simulator. CONSTITUTION: A first light concentrate part(102) condenses light irradiated from a light source firstly. A second light concentrate part(202) condenses light passing through the first light concentrate part secondarily and irradiates the light to a solar cell(103). An adjustment part(300) is arranged on a light path between the first light concentrate part and the light source. The control part adjusts the concentrate light area of the first concentrate part according to external force. A control part(310) analyzes an inputted signal and supplies a driving control signal to the adjustment part.
Abstract translation: 目的：提供浓缩型太阳能电池的浓度比可控系统，通过使用用于调节太阳模拟器下部的调节部分来控制从太阳能电池表面照射的光量。 构成：第一聚光部（102）首先冷凝从光源照射的光。 第二光浓缩部分（202）将通过第一光浓缩部分的光二次冷凝并将光照射到太阳能电池（103）。 调整部（300）配置在第一聚光部和光源之间的光路上。 控制部根据外力来调整第一浓缩部的浓缩光面积。 控制部分（310）分析输入的信号并向调节部分提供驱动控制信号。
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公开(公告)号：KR101246333B1
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：KR1020100074104
申请日：2010-07-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/677 , B25J13/08 , B65G49/07
Abstract: 웨이퍼가 웨이퍼 캐리어에 탑재된 상태에서 웨이퍼 이탈 방지 구동부를 자동으로 구동하여 웨이퍼가 웨이퍼 캐리어로부터 미끌어지거나 이탈되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 탑재 유지 제어장치를 제공한다. 웨이퍼 탑재 유지 제어장치는 웨이퍼가 탑재되는 웨이퍼 캐리어, 웨이퍼 캐리어에 결합되어 웨이퍼의 탑재 유무를 감지하는 웨이퍼 검출부, 웨이퍼 캐리어의 일측에 결합되며, 웨이퍼가 웨이퍼 캐리어로부터 이탈됨을 방지하는 웨이퍼 이탈 방지 구동부, 및 웨이퍼 검출부로부터 출력되는 웨이퍼 탑재 유무 검출신호에 따라 웨이퍼 이탈 방지 구동부로 구동 제어신호를 공급하여 웨이퍼 탑재상태를 유지시키는 제어부를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101172358B1
公开(公告)日：2012-08-14
申请号：KR1020100020115
申请日：2010-03-05
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 유도 결합형 플라즈마의 반응성 이온 식각 장비를 이용한 원스톱 공정에 의한 하향식 실리콘 나노선 제조 방법이 개시된다. 상기 실리콘 나노선 제조 방법은 포토리소그래피 공정을 통해 기판의 소자 형성층에 포토레지스트 선 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 선 패턴의 크기 축소화를 통해 나노미터 선폭의 포토레지스트 선 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 나노미터 선폭의 포토레지스트 선 패턴을 마스크층으로 하여 상기 소자 형성층으로 실리콘 나노선을 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020120012139A
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：KR1020100074104
申请日：2010-07-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/677 , B25J13/08 , B65G49/07
CPC classification number: H01L21/67742 , B25J13/087 , H01L21/67265 , H01L21/68707 , Y10S414/141
Abstract: PURPOSE: An apparatus for maintaining wafer loading is provided to prevent wafer slip by driving a wafer separation prevention driving part which is mounted on a wafer carrier. CONSTITUTION: A wafer(200) is loaded on a wafer carrier. A wafer detection part(10) is combined with the wafer carrier and senses the wafer. A wafer separation prevention driving part is combined with one side of the wafer carrier. The wafer separation prevention driving part prevents wafer from being separated. A controlling part(30) supplies a driving control signal to the wafer separation prevention driving part and maintains a wafer loading state.
Abstract translation: 目的：提供一种用于维持晶片负载的装置，以通过驱动安装在晶片载体上的晶片分离防止驱动部分来防止晶片滑移。 构成：将晶片（200）装载在晶片载体上。 将晶片检测部分（10）与晶片载体组合并感测晶片。 晶片分离防止驱动部分与晶片载体的一侧结合。 晶片分离防止驱动部防止晶片分离。 控制部（30）将驱动控制信号提供给晶片分离防止驱动部，并保持晶片装载状态。
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公开(公告)号：KR1020110100993A
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：KR1020100020115
申请日：2010-03-05
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B82B3/0095 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 유도 결합형 플라즈마의 반응성 이온 식각 장비를 이용한 원스톱 공정에 의한 하향식 실리콘 나노선 제조 방법이 개시된다. 상기 실리콘 나노선 제조 방법은 포토리소그래피 공정을 통해 기판의 소자 형성층에 포토레지스트 선 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 선 패턴의 크기 축소화를 통해 나노미터 선폭의 포토레지스트 선 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 나노미터 선폭의 포토레지스트 선 패턴을 마스크층으로 하여 상기 소자 형성층으로 실리콘 나노선을 형성하는 단계를 포함한다.
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