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公开(公告)号：KR101926028B1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：KR1020170093949
申请日：2017-07-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L45/00
Abstract: 본 발명은 절연성 지지체; 및 절연성 지지체 내에 분산되어 있는 상보적 저항 변화성 충전재;를 포함하고, 상보적 저항 변화성 충전재는, 전도성 재료를 포함하는 구(sphere)형의 전도성 코어(core); 및 코어 표면에 형성되고 절연성 재료를 포함하는 절연층 쉘(shell);을 포함하는 구형의 코어쉘 구조인, 저항 변화 물질 에 관한 것이다. 이에 의하여, 구(sphere) 형의 상보적 저항 변화 충전재에 의한 전기장 제어 효과에 의해 상보적 저항 변화 충전재의 전도성 코어를 중심으로 두 전극에 인접한 각각의 저항층에 서로 대칭적인 균일한 필라멘트 전류 통로가 생성되어, 신뢰성 및 안정성이 증대된 상보적 저항 변화 특성이 구현될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101907039B1
公开(公告)日：2018-12-05
申请号：KR1020160146840
申请日：2016-11-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 하부전극; 상부전극; 및 상기 하부전극과 상부전극 사이에 형성된 절연막;을 포함하는 다중 레벨 비휘발성 저항 변화 메모리 소자로서, 상기 하부전극 및 상기 상부전극은 판형부; 및 상기 판형부 상에 형성된 패턴부;를 포함하며, 상기 패턴부는 복수 개의 프리즘형 구조물이 동일한 방향으로 일정간격을 두고 반복 배치된 돌출형 3차원 프리즘 구조체 패턴을 포함하고, 상기 하부전극의 패턴부과 상기 상부전극의 패턴부가 서로 마주보며 배치되되, 상기 하부전극의 상기 프리즘형 구조물의 길이방향과 상기 상부전극의 상기 프리즘형 구조물은 길이 방향끼리 서로 교차되어 배열되는 것을 특징으로 하는 다중 레벨 비휘발성 저항 변화 메모리 소자에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101861315B1
公开(公告)日：2018-07-02
申请号：KR1020160150907
申请日：2016-11-14
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 본발명은탄소재료를포함하는판 구조체; 및판 구조체를관통하도록수직방향으로정렬된다수의기공들;을포함하는다공성탄소판 구조체를포함하고, 다공성판 구조체는판 구조체의방사방향(radial direction)으로압축된, 신축성탄소전극및 그를포함하는슈퍼커패시터에관한것이다. 본발명의신축성탄소전극은전극재료를단차원화온도구배하에서용매의일방향성결정화를통해수직정렬된기공구조를형성하고, 방사방향(radial direction)으로압축시켜제조함으로써, 전방향(omni-direction)으로의물리적변형에안정적일수 있고, 이와같은신축성탄소전극을포함하는슈퍼커패시터는물리적변형에안정하고궁극적으로는높은정전용량을가질수 있다.
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公开(公告)号：KR20180050089A
公开(公告)日：2018-05-14
申请号：KR20160146840
申请日：2016-11-04
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0016 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/52 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/11 , H01L45/1253 , H01L45/1675
Abstract: 하부전극; 상부전극; 및상기하부전극과상부전극사이에형성된절연막;을포함하는다중레벨비휘발성저항변화메모리소자로서, 상기하부전극및 상기상부전극은판형부; 및상기판형부상에형성된패턴부;를포함하며, 상기패턴부는복수개의프리즘형구조물이동일한방향으로일정간격을두고반복배치된돌출형 3차원프리즘구조체패턴을포함하고, 상기하부전극의패턴부과상기상부전극의패턴부가서로마주보며배치되되, 상기하부전극의상기프리즘형구조물의길이방향과상기상부전극의상기프리즘형구조물은길이방향끼리서로교차되어배열되는것을특징으로하는다중레벨비휘발성저항변화메모리소자에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101795788B1
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：KR1020160141161
申请日：2016-10-27
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 폴리아미드; 및메카노퓨전(mechanofusion)과플라즈마처리에의해상기폴리아미드의표면에분산및 상기폴리아미드과물리적-화학적으로결합된탄소필러;를포함하는폴리아미드/탄소필러복합체및 이의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 聚酰胺; 以及通过机械融合和等离子体处理通过分散在聚酰胺表面上而与聚酰胺物理和化学键合的碳填料及其制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101788820B1
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：KR1020150156159
申请日：2015-11-06
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은 (ⅰ) 코어, 및 (ⅱ) 상기코어를둘러싸는탄소체쉘;을포함하는비 백금형촉매로, 상기코어는금속또는금속산화물이며, 상기쉘의표면에는도판트가함유되고, 상기촉매는나노-마이크론단위의입자크기를가지는분말형태의비 백금형촉매를제조함으로써, 상기촉매는우수한개시전위(Onset potential) 및높은전류밀도(Current density)와함께 4-전자(4-electron) 반응에근접하는우수한산소환원촉매성능을나타내는데현저한효과를나타낸다. 또한, 상기촉매는생산단가가저렴하고대량으로수득할수 있는장점으로인하여, 기존의백금촉매를대체할수 있으며가격경쟁력에있어서도획기적인증대효과를나타낼수 있다.
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公开(公告)号：KR101752200B1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020150167711
申请日：2015-11-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/16 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1625
Abstract: 본발명은하부전극; 상기하부전극표면에형성된절연막; 및상기절연막위에형성된상부전극;을포함하는비휘발성저항변화메모리소자로서, 상기하부전극은복수의서로동일한 3차원금속구조체가일정간격을두고반복적으로배치되어형성된 3차원금속구조체패턴을포함하고, 상기 3차원금속구조체는피라미드(사각뿔), 프리즘, 원기둥및 사다리꼴피라미드(사각뿔대) 중에서선택되며, 상기복수의 3차원금속구조체사이공간을통해서균일한전도성필라멘트가형성되며, 낮은동작전압에서구동이가능하고장기안정성특성을갖는것을특징으로하는비휘발성저항변화메모리소자및 이의제조방법에관한것이다.
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38.发明公开낮고 신뢰성 있는 동작 전압 및 장기 안정성 특성을 갖는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 有权具有低且可靠的工作电压和长期稳定性特征的非易失性电阻可变存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170062197A
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：KR1020150167711
申请日：2015-11-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/16 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1625
Abstract: 본발명은하부전극; 상기하부전극표면에형성된절연막; 및상기절연막위에형성된상부전극;을포함하는비휘발성저항변화메모리소자로서, 상기하부전극은복수의서로동일한 3차원금속구조체가일정간격을두고반복적으로배치되어형성된 3차원금속구조체패턴을포함하고, 상기 3차원금속구조체는피라미드(사각뿔), 프리즘, 원기둥및 사다리꼴피라미드(사각뿔대) 중에서선택되며, 상기복수의 3차원금속구조체사이공간을통해서균일한전도성필라멘트가형성되며, 낮은동작전압에서구동이가능하고장기안정성특성을갖는것을특징으로하는비휘발성저항변화메모리소자및 이의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件， 形成在下电极表面上的绝缘膜; 和形成在绝缘膜上的上电极;其包括，其中所述下电极包括具有多个彼此相同三维金属结构的具有一定间隔的三维金属结构图案被重复地布置在形成的非易失性电阻可变存储器件， 三维金属结构是一个金字塔（四棱锥），棱镜，一个气缸，并且从梯形金字塔（四棱锥单位）选择时，具有均匀的导电细丝形成通过多个三维金属结构空间之间，所述驱动在低操作电压， 并且具有长期稳定性特征，以及其制造方法。
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39.发明授权복합 전해질 및 그 제조 방법과, 이를 이용한 중공형금속산화물 입자를 포함하는 전해질 기반의 염료감응태양전지 失效复合电解质及其制造方法以及使用其的金属氧化物的中空粒子的电解质的透明的太阳能电池
公开(公告)号：KR100949762B1
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：KR1020070127809
申请日：2007-12-10
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01G9/2004 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L51/0086 , H01M14/005 , Y02E10/542
Abstract: 본 발명은 복합 전해질 및 그 제조 방법과, 이를 이용한 중공형 금속산화물 입자를 포함하는 전해질 기반의 염료감응 태양전지에 관한 것으로서, 기 제조된 코어 표면에 금속산화물 미립자들을 흡착시킨 후 상기 코어를 제거하여 중심 부위가 비어있는 중공형 입자를 제조하고, 이 입자를 염료감응 태양전지의 전해질에 첨가하여, 전해질의 겔화를 통한 태양전지의 기계적 강도 개선 효과와, 전해질 내에서의 이온의 확산 계수 향상 효과와, 빛의 산란 효과를 동시에 얻게 되어, 단순한 금속산화물 나노 분말을 첨가하거나 혹은 광전극에 빛 산란만을 목적으로 하는 층을 도입하였을 때보다 태양전지의 에너지 변환 효율을 크게 향상시킬 수 있다.
염료감응 태양전지 (dye-sensitized solar cell), 중공형 입자 (hollow particle), 금속산화물 (metal oxide), 이온 확산 (ionic diffusion), 산란 효과 (scattering effect), 겔화 (gelation)-
公开(公告)号：KR1020050089213A
公开(公告)日：2005-09-08
申请号：KR1020040014517
申请日：2004-03-04
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/5092 , H01L51/004 , H05B33/22
Abstract: 본 발명은 유전율(permittivity; ε)이 3.0 미만인 고분자 나노 절연막을 포함하는 전기발광 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 고분자 전기발광 소자는 유전율이 3.0 미만인 고분자 나노 절연막을 발광층과 금속 전극, 즉 음극 사이에서 포함함으로써 발광층의 밴드 굽힘(band bending)이 감소하여 전극으로부터 발광층으로의 전자 주입이 증가하게 된다. 이와 같이 증가된 전자 주입은 발광층에서 전자와 정공이 만날 확률을 높임으로써 고휘도, 고효율의 빛을 내게 한다. 따라서, 본 발명에 따른 고분자 전기발광 소자는 보다 향상된 전기발광 강도 및 효율을 가지게 된다.
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