Abstract:
표시장치를 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 기판; 상기 기판 상의 표시패널; 및 상기 표시패널을 밀봉하는 봉지막(encapsulation film)을 포함하며, 상기 봉지막은 적어도 하나의 유기층(organic layer), 적어도 하나의 무기층(inorganic layer) 또는 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층을 포함하고 적어도 한 쌍의 도전층(conductive layer)을 포함한다.
Abstract:
본발명에의할경우, 기준온도가최대 30 K/min 의속도로위아래로선형적으로변화되는동안약 1 μJ/K의정확도를가지고상온에서 700 K 까지넓은온도범위에서열용량을측정할수 있다. 또한, 동일한마이크로칼로리미터를이용해단 한번의센서교정만으로여러개의시료를교체하면서반복적으로고온에서의열용량측정을가능하게하여효율성을증대시킬수 있다.
Abstract:
본 발명은 주석(Sn)과, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 타이타늄(Ti) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 주석(Sn)과 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 타이타늄(Ti) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물로 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 배치되는 게이트 절연막을 통하여 상기 활성층의 적어도 일부와 중첩되는 게이트 도전막; 및 상기 게이트 도전막에 의해 이격된 상기 활성층의 양 측부들에 각각 접속되는 소오스 및 드레인 전극들을 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of a metal oxide layer, a thin film transistor substrate thereof, and a manufacturing method thereof are provided to improve the surface roughness, charge mobility, and crystallization of a metal oxide layer by controlling chamber pressure. CONSTITUTION: A first metal oxide layer(11) is formed on a substrate(10). The first metal oxide layer has first charge mobility. A second metal oxide layer(12) is formed to be directly contacted on the first metal oxide layer. The second metal oxide layer has second charge mobility which is different from the first charge mobility.