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公开(公告)号：KR1020150120552A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：KR1020140045884
申请日：2014-04-17
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01M4/131 , A61K9/5115 , B01J21/04 , B01J21/063 , B01J21/066 , B01J23/06 , B01J23/08 , B01J23/14 , B01J23/72 , B01J23/74 , B01J23/745 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J35/0013 , B01J35/002 , B01J35/023 , B01J37/031 , B01J37/348 , C01F7/02 , C01F7/428 , C01G3/02 , C01G9/02 , C01G15/00 , C01G19/02 , C01G23/047 , C01G25/02 , C01G49/06 , C01G51/00 , C01G51/006 , C01G53/00 , C01G53/04 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/02 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/51 , C01P2004/64 , C25B1/00 , C25D11/08 , C25D11/16 , C25D11/26 , C25D11/34 , H01M4/485 , H01M10/0525 , C25C5/02 , B82B3/00 , B82Y40/00
Abstract: 본발명은금속산화물나노입자의제조방법및 이에따라제조되는금속산화물나노입자에관한것으로, 상세하게는음극및 산화물을형성하기위한금속으로이루어진양극을할로겐염을포함하는무기전해질용액내로침지시키는단계(단계 1); 및상기양극및 음극에전압을인가하여양극에양극을이루는금속의산화물을형성시키는단계(단계 2);를포함하는금속산화물나노입자의제조방법에관한것이다. 본발명에따른금속산화물나노입자의제조방법은기존의나노입자합성법이갖는단점을해결하여, 계면활성제를필요로하지않으며간단한단일공정을통해, 저렴하고빠르게, 다양한구조의나노입자를제조할수 있다. 양극산화법은 30 V 이하의낮은전압의전원공급장치와전해질만을필요로하고, 상온에서진행되며추가적인장치나시설을필요로하지않는다. 또한, 전원공급장치의전원을켠 직후부터금속산화물나노입자가매우빨리생성되며, 우수한결정도의나노입자를실온에서도생산할수 있으며, 전압, 온도, 전해질, 그리고전해질농도와같은양극산화법인자들을변화시킴으로써손쉽게형태를조절할수 있다. 따라서, 본기술은금속산화물나노입자의경제성을높여다양한금속산화물나노입자의대량생산에도기여할것으로기대된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造金属氧化物纳米粒子的方法及其制造的金属氧化物纳米粒子，更具体地说，涉及一种制造金属氧化物纳米粒子的方法，该方法包括：将负极和正极制成的第一步骤 从用于在包括卤素的无机电解液中形成氧化物的金属; 以及向正极和负极施加电压以在正极上形成构成正极的金属的氧化物的第二步骤。 根据本发明，金属氧化物纳米粒子的制造方法解决了用于合成纳米粒子的常规方法的问题，并且通过不含表面活性剂的单一简单方法，可以以低成本快速制造各种结构的纳米粒子。 正极氧化方法仅使用等于或低于30V的低电压的电源装置和没有附加装置或设备的电解质，并且在室温下进行。 除此之外，通过本发明的方法，金属氧化物纳米粒子在供电装置接通之后非常快速地产生，并且即使在室温下也可以产生具有优异结晶度的纳米颗粒。 此外，通过改变电压，温度，电解质和电解质浓度等正的氧化方法因素，可以容易地调节纳米颗粒的形状。 因此，本发明提高了金属氧化物纳米粒子的经济效率，从而允许大量生产各种金属氧化物纳米粒子。
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32.发明授权전자빔 조사를 이용한 ＰＣＢＭ 유도체/ＴｉＯ２ 전극의 제조방법, 이에 의해 제조된 ＰＣＢＭ 유도체-ＴｉＯ２ 전극 및 이를 포함하는 광전기화학 전지 有权通过电子辐射制备PCBM衍生物 - TiO2电极的方法，其制备的PCBM衍生物 - 二氧化钛电极和含有它们的光电化学电池
公开(公告)号：KR101333322B1
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：KR1020120051097
申请日：2012-05-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/042 , H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 본 발명은 전자빔 조사를 이용한 광전기화학 성능이 향상된 PCBM 유도체/TiO
2 전극의 제조방법, 이에 의해 제조된 PCBM 유도체/TiO2 전극 및 이를 포함하는 광전기화학 전지에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명의 전도성 유리 기판에 TiO
2 나노입자 필름을 형성하여 TiO
2
전극을 제조한 후, 용매에 플러렌 유도체인 PCBM([6,6]-페닐-C
61 -부틸산 메틸에스테르) 분말을 용해시킨 PCBM 용액에 상기 TiO
2 전극을 넣고 교반시켜 PCBM/TiO
2 전극을 제조한 다음, 상기 PCBM/TiO
2 전극에 전자빔을 조사하는 제조방법 의해 제조되는 PCBM 유도체/TiO
2 전극은 밴드갭이 작은 PCBM 유도체에 의해 TiO
2
단독 전극에 비해 가시광선 영역의 흡광도가 증가할 뿐만 아니라, 전자빔 조사로 인해 PCBM의 전자 밴드 구조가 변화되어 LUMO 준위가 높아진 PCBM 유도체에 의해 TiO
2 의 전도대로 전자의 주입이 더욱 용이한 효과가 있으므로 광전기화학 전지의 광전극으로 유용하게 사용할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020130057275A
公开(公告)日：2013-05-31
申请号：KR1020110123108
申请日：2011-11-23
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/44 , H01L51/42
Abstract: PURPOSE: A method for controlling an electronic band structure of a PCBM by irradiating an electronic beam is provided to improve an open voltage by increasing the LUMO level of the PCBM without a complex chemical synthesis. CONSTITUTION: A PCBM solution(10) is made by dissolving PCBM powder(2) in a solvent(1). The PCBM solution is dropped on a substrate(20). A PCBM thin film(30) is formed by spin-coating the substrate with the dropped PCBM solution. An electronic beam(40) is irradiated to the PCBM thin film. The molecular structure of the PCBM is changed by irradiating the electronic beam.
Abstract translation: 目的：提供通过照射电子束来控制PCBM的电子带结构的方法，以通过增加PCBM的LUMO能级而不需要复杂的化学合成来提高开路电压。 构成：通过将PCBM粉末（2）溶解在溶剂（1）中制成PCBM溶液（10）。 PCBM溶液滴在基底（20）上。 通过用落下的PCBM溶液旋涂基板来形成PCBM薄膜（30）。 电子束（40）照射到PCBM薄膜上。 通过照射电子束来改变PCBM的分子结构。
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公开(公告)号：KR101255648B1
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：KR1020110004487
申请日：2011-01-17
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 급속가열법을 이용한 결정질 루브렌 박막의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 비정질 루브렌 박막을 급속가열하여 제조하는 것을 특징으로 하는 결정질 루브렌 박막의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 급속가열법을 이용한 결정질 루브렌 박막의 제조방법은 종래의 고품질 결정질 필름으로 제조가 어려웠던 루브렌(rubrene)을 급속가열하는 간단한 공정만으로 고성능 박막 트랜지스터(TFT) 특성을 보이는 결정질 필름으로 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따라 제조되는 루브렌 박막은 매우 높은 전하 이동도를 나타냄으로써 박막 트랜지스터(TFT)의 제조에 적용되어 고성능 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130028409A
公开(公告)日：2013-03-19
申请号：KR1020110091935
申请日：2011-09-09
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: An X-ray tube target for brachytherapy is provided to obtain uniform X-rays by a space, and to apply the X-rays on electron brachytherapy by changing a structure of the X-ray target. CONSTITUTION: An X-ray tube target for brachytherapy comprises a transmissive target(30) formed in a first shape; a first X-ray transmission window(10) formed on the outer side of the transmissive target; a reflective target(40) formed in the first shape; a second X-ray transmission window(20) connected to the side of the first shape; and a brazing filler(50) connecting one end of the first X-ray transmission window to one end of the second X-ray transmission window.
Abstract translation: 目的：提供一种用于近距离放射治疗的X射线管靶，以通过空间获得均匀的X射线，并通过改变X射线靶的结构将X射线应用于电子近距离放射治疗。 构成：用于近距离放射治疗的X射线管靶包括形成为第一形状的透射性靶（30） 形成在所述透射性靶的外侧的第一X射线透射窗（10） 形成为第一形状的反射靶（40）; 连接到第一形状的一侧的第二X射线透射窗（20） 以及将第一X射线透射窗的一端与第二X射线透射窗的一端连接的钎料（50）。
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Patent Agency Ranking36.发明授权전자빔 조사를 이용한 계층구조 필름의 제조방법과 이를 이용한 대면적 초소수성 및 초친수성 표면의 제조방법 失效通过电子束照射分层结构膜的制造方法和使用分层结构膜的大面积超级离子和超级表面的制造方法
公开(公告)号：KR101071320B1
公开(公告)日：2011-10-07
申请号：KR1020090006232
申请日：2009-01-23
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 이를위해본 발명에따른전자빔조사를이용한계층구조필름의제조방법은탄소고분자물질의구형마이크로입자로다중층의필름을형성하는단계와, 상기다중층의필름에실리콘고분자물질과실리카(silica) 나노입자의혼합물을코팅하여유기물과무기물의복합필름을형성하는단계및 상기유기물과무기물의복합필름에전자빔을조사하여마이크로·나노계층구조의필름을형성하는단계를포함하여구성된다.
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公开(公告)号：KR1020170139456A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：KR1020170070826
申请日：2017-06-07
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은금속소재의고온산화시 공동, 미세균열, 기공등을포함한여러가지의결함을가진비보호적인스케일로성장하는산화거동을예방하기위해, 고온환경노출이전에산화피막을형성하여산화속도를억제하는방법및 이에따라제조되는내부식성금속에관한것으로, 금속산화막격자내 침입형양이온, 음이온공공과같은이온결함농도를줄일수 있는원소를도펀트로포함시켜금속표면에산화피막을형성한다. 도펀트원소로산소원자보다원자가가높은불소등의원소를첨가해이온결함의농도를줄여음이온확산속도를줄여소재의내부식성향상에기여할것으로기대된다.
Abstract translation: 本发明抑制氧化的速率，以形成高温环境之前氧化膜，曝光，以防止氧化行为生长未受保护的规模与各种各样的缺陷，包括高温腔，微裂纹中，金属材料的氧化过程中的孔 如何以及yiettara涉及一种耐腐蚀金属制备，以包含能降低的缺陷，如在间质的阳离子中的离子浓度的元素，阴离子公共金属氧化物晶格作为掺杂剂以形成在金属表面上的氧化膜。 预计将有掺杂元素比氧原子的添加的元素，例如氟离子降低缺陷减少阴离子扩散率的高浓度有助于改善材料的耐腐蚀性。
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公开(公告)号：KR1020170081120A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：KR1020160085333
申请日：2016-07-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: A61N5/10
CPC classification number: A61N5/10 , A61N5/1028 , A61N5/1001 , A61N5/1048 , A61N5/1064 , A61N2005/1074
Abstract: 본발명은 X-선근접치료시스템에관한것으로, 고전압연결부, 상기고전압연결부에연결된 X-선튜브, 상기고전압연결부의적어도일부및 X-선튜브의적어도일부를둘러싸는보호부및 상기보호부의적어도일부를둘러싸는어플리케이터를포함하고, 상기어플리케이터의일단이상기 X-선튜브보다외부로연장되어배치된 X-선튜브시스템; 상기 X-선튜브시스템에서발생하는 X-선을제어하는제어장치; 및상기 X-선튜브시스템에전원을공급하는전원장치;를포함한다.
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公开(公告)号：KR101731906B1
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150107309
申请日：2015-07-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C25D11/02 , C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/26 , C25D11/34 , C25D17/10 , C25D17/12 , C25D17/02 , C25D21/00 , C25D21/12
Abstract: 본발명은원기둥형태또는각기둥형태의외부표면을갖는금속재질의양극; 및와이어형태인것을특징으로하는금속재질의음극;을포함하고, 상기음극은 2 개이상이고, 상기양극외부표면에대하여소정의간격으로이격되며, 각각이상기양극외주면을따라소정의간격으로위치하는것을특징으로하는전기화학셀, 전해질용액및 전압인가장치를포함하는전기화학시스템을준비하는단계(단계 1); 상기단계 1에서준비된전기화학시스템에전압을인가하여양극산화반응을수행하는단계(단계 2);를포함하는원기둥형태또는각기둥형태의금속표면에산화막을형성하는방법을제공한다. 본발명에따른원기둥형태또는각기둥형태의금속표면에산화막을형성하는방법은종래원기둥형태의백금음극을사용하여양극산화를진행하는대신에와이어형태의음극을이용하여양극산화를진행함으로써, 원기둥형태또는각기둥형태의금속외부표면에균일한두께를갖는나노구조산화막을매우저렴하게제조할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及由外表面为圆柱形或棱柱形的金属制成的阴极; 以及由金属材料制成的负电极，其中负电极具有两个或更多个负电极并且与正电极外表面隔开预定距离， 准备包括电化学电池，电解质溶液和电压施加装置的电化学系统（步骤1）; （步骤2），通过向步骤1中制备的电化学系统施加电压来执行阳极氧化反应;以及在包括阳极氧化反应的圆柱形或棱柱形金属表面上形成氧化物膜。 上的圆筒状或根据本发明通过使用金属丝型的负极出发的阳极氧化的棱镜形状的金属表面形成氧化膜，代替进行到阳极氧化常规使用的铂阴极的圆筒状，圆柱状的的方法 或者可以以非常低的成本制造在棱柱形金属的外表面上具有均匀厚度的纳米结构氧化物膜。
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公开(公告)号：KR1020160132315A
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：KR1020150107309
申请日：2015-07-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C25D11/02 , C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/26 , C25D11/34 , C25D17/10 , C25D17/12 , C25D17/02 , C25D21/00 , C25D21/12
Abstract: 본발명은원기둥형태또는각기둥형태의외부표면을갖는금속재질의양극; 및와이어형태인것을특징으로하는금속재질의음극;을포함하고, 상기음극은 2 개이상이고, 상기양극외부표면에대하여소정의간격으로이격되며, 각각이상기양극외주면을따라소정의간격으로위치하는것을특징으로하는전기화학셀, 전해질용액및 전압인가장치를포함하는전기화학시스템을준비하는단계(단계 1); 상기단계 1에서준비된전기화학시스템에전압을인가하여양극산화반응을수행하는단계(단계 2);를포함하는원기둥형태또는각기둥형태의금속표면에산화막을형성하는방법을제공한다. 본발명에따른원기둥형태또는각기둥형태의금속표면에산화막을형성하는방법은종래원기둥형태의백금음극을사용하여양극산화를진행하는대신에와이어형태의음극을이용하여양극산화를진행함으로써, 원기둥형태또는각기둥형태의금속외부표면에균일한두께를갖는나노구조산화막을매우저렴하게제조할수 있다.
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