나노입자 정제 장치와 모듈 및, 그 정제 방법
    31.
    发明授权
    나노입자 정제 장치와 모듈 및, 그 정제 방법 有权
    用于纳米过滤的设备和模块以及方法

    公开(公告)号:KR101399462B1

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:KR1020120105387

    申请日:2012-09-21

    Abstract: 본 발명은 나노입자 정제 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 첨가제를 이용해 나노입자를 응집/침전시켜 연속적으로 나노입자를 분리해내는 나노입자 정제 장치에 관한 것이다. 나노입자 정제 장치는 마이크로 채널을 이용한 나노입자 정제 장치에 있어서, 상부유로의 일단으로부터 불순물과 나노입자가 섞인 제1분산액 및 첨가제가 유입되고, 하부유로의 일단으로부터 제1분산용매가 유입되는 유입부, 상기 상부유로에서 상기 제1분산액과 상기 첨가제의 반응으로 나노입자가 응집되어 침전되고, 침전된 상기 나노입자가 상기 하부유로에서 상기 제1분산용매와 혼합되는 필터링부 및, 상기 상부유로 및 하부유로의 타단에 배치되어 상기 불순물이 섞인 제2분산용매 및 상기 나노입자가 혼합된 제2분산액이 배출되는 배출부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

    양자점 및 그 제조 방법
    32.
    发明公开
    양자점 및 그 제조 방법 有权
    量子点及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130022639A

    公开(公告)日:2013-03-07

    申请号:KR1020110085372

    申请日:2011-08-25

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method for a quantum dot is provided to provide a quantum dot with excellent photo stability and chemical stability without any change in wavelength. CONSTITUTION: A quantum dot comprises: a core which is formed of InP; and a second shell layer which surrounds the first shell layer. The band gap of the second shell layer is smaller than the band gap of the first shell layer. A manufacturing method for the quantum dot comprises a step of manufacturing InP nanocrystals by mixing a first indium solution and a first phosphorous solution; a step of forming nanocrystals which have the first shell layer surrounding the InP nanocrystals by mixing the first indium solution and first phosphorous solution; and a step of forming nanocrystals which have the second shell layer surrounding the first shell layer by putting ZnSe precursor solution into the solution. [Reference numerals] (AA) PL intensity; (BB) Wavelength(nm)

    Abstract translation: 目的:提供量子点的制造方法以提供具有优异的光稳定性和化学稳定性的量子点,而没有波长的任何变化。 构成:量子点包括:由InP形成的芯; 以及围绕所述第一壳层的第二壳层。 第二壳层的带隙小于第一壳层的带隙。 量子点的制造方法包括通过混合第一铟溶液和第一磷溶液来制造InP纳米晶体的步骤; 通过混合第一铟溶液和第一磷溶液形成具有围绕InP纳米晶体的第一壳层的纳米晶体的步骤; 以及通过将ZnSe前体溶液放入溶液中而形成具有围绕第一壳层的第二壳层的纳米晶体的步骤。 (AA)PL强度; (BB)波长(nm)

    광 검출 장치
    33.
    发明公开
    광 검출 장치 失效
    用于光照的检测装置

    公开(公告)号:KR1020110121933A

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:KR1020100041452

    申请日:2010-05-03

    Abstract: PURPOSE: A photodetector is intended to provide excellent sensitivity and high response speed by applying bias voltage set. CONSTITUTION: A photodetector comprises a substrate(112), a first metallic electrode(115), a second metallic electrode(116), a nano susceptor(118), a power supply unit(120), and an ammeter(130). The substrate has a board form. The second metallic electrode is arranged at an interval from the first electrode. The nano susceptor makes schottky junction to the first electrode and makes ohmic junction to the second electrode. The power supply unit is electrically connected to the metallic electrodes and applies bias voltage. The ammeter is electrically connected to the metallic electrodes.

    Abstract translation: 目的:光电检测器旨在通过施加偏置电压设置提供极好的灵敏度和高响应速度。 构成:光电检测器包括基板(112),第一金属电极(115),第二金属电极(116),纳米感受器(118),电源单元(120)和电流计(130)。 基板具有板形式。 第二金属电极与第一电极间隔设置。 纳米感受器与第一电极形成肖特基结,并与第二电极形成欧姆结。 电源单元电连接到金属电极并施加偏置电压。 电流表电连接到金属电极。

    전도성고분자 나노와이어 DNA센서 및 그의 제조방법
    34.
    发明授权
    전도성고분자 나노와이어 DNA센서 및 그의 제조방법 有权
    基于聚合物纳米线的DNA传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR100999957B1

    公开(公告)日:2010-12-13

    申请号:KR1020080009137

    申请日:2008-01-29

    Abstract: 개시된 전도성고분자 나노와이어 DNA센서 제조방법은, 부전도체 기판 상부에 한 쌍의 전극을 상호 이격되게 설치하는 전극설치단계; 전극 사이에 희생층을 적층하는 희생층 적층단계; 전극 상부에 개방홀과 전기접촉부가 형성된 절연층을 적층하는 절연층 적층단계; 전도성고분자의 모노머가 용해된 현탁액에 희생층 및 절연층이 적층된 전극을 침지한 상태로 전극 및 현탁액에 전류를 공급하여 절연층의 개방홀에 전도성고분자를 적층되게 하는 전도성고분자 적층단계; 희생층과 절연층 및 전도성고분자가 적층된 전극을 절연층제거액에 침지시켜 절연층을 제거하는 절연층 제거단계; 희생층 및 전도성고분자가 적층된 전극을 희생층제거액에 침지시켜 희생층을 제거하는 희생층 제거단계; 희생층제거단계를 거친 후 전도성고분자에 탐침유전자를 결합시키는 기능화단계를 포함한다.
    이와 같은 전도성고분자 나노와이어 DNA센서 제조방법은, 전도성고분자의 나노와이어를 어레이로 만들어 사용함으로써 적은 시료양으로 낮은 DNA농도도 검출할 수 있게 하는 효과를 제공할 수 있다.
    DNA, 유전자, 나노, 센서, 나노와이어, 전도성고분자

    에너지 변환용 복합물질과 그 제조 방법 및 그를 이용한 에너지 변환소자
    35.
    发明公开
    에너지 변환용 복합물질과 그 제조 방법 및 그를 이용한 에너지 변환소자 无效
    用于能量转换的复合材料及其制造方法和神经转换装置

    公开(公告)号:KR1020100048604A

    公开(公告)日:2010-05-11

    申请号:KR1020080107840

    申请日:2008-10-31

    CPC classification number: H01L31/0352 H01L51/4266 Y02E10/549

    Abstract: PURPOSE: A composite material for energy conversion, a method for manufacturing the same, and an energy conversion device using the composite are provided to prevent reduction of electron transport ability and to enhance light emitting or photoelectric efficiency. CONSTITUTION: A composite material for an energy conversion comprises: a nanowire(2); a plurality of quantum dots(3) which are formed on each nanowire and are composed of a semiconductor material; a low molecular weight linker(4) interlinking nanowire and quantum dot by a non-covalent binding mode. The low molecular linker comprises amine or phosphine, which is selected from molecule having aliphatic chain with 4 or less carbon, or aromatic ring. Nanowire is composed of an oxide system in case of being used as an electron transport dragon.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于能量转换的复合材料,其制造方法和使用该复合材料的能量转换装置,以防止电子传输能力的降低和增强发光或光电效率。 构成:用于能量转换的复合材料包括:纳米线(2); 多个量子点(3),其形成在每个纳米线上并且由半导体材料构成; 低分子量连接体(4)通过非共价结合模式互连纳米线和量子点。 低分子连接体包括胺或膦,其选自具有4个或更少碳的脂族链或芳环的分子。 纳米线由氧化物系统组成,用作电子运输龙。

    양자점을 이용한 태양전지 및 이의 제조방법
    36.
    发明授权
    양자점을 이용한 태양전지 및 이의 제조방법 有权
    양자점을이용한태양전지및이의제조방법

    公开(公告)号:KR100934732B1

    公开(公告)日:2009-12-30

    申请号:KR1020070054081

    申请日:2007-06-01

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02P70/521

    Abstract: A high efficient solar cell using the quantum dot and a manufacturing method thereof are provided to increase the efficiency of the electron transport with the metal oxide by reforming the surface of the quantum dot. A high efficient solar cell(100) using the quantum dot comprises the transparent electrode(110), the opposing electrode(120), the metal oxide film(130), the quantum dot film(140), the electrolyte layer(150). The transparent electrode is positioned on the plate shape. The opposing electrode is positioned on the plate shape while being faced with the transparent electrode. The metal oxide film is coated on the single-side of the transparent electrode. The metal oxide film comprises the metal oxide in which a plurality of air bubbles are formed. The quantum dot film is coated on the metal oxide film. The quantum dot film comprises one or more quantum dots having the various sizes instead of the dye. The electrolyte layer is equipped between the opposing electrode and the transparent electrode.

    Abstract translation: 提供使用量子点的高效太阳能电池及其制造方法,以通过重整量子点的表面来提高与金属氧化物电子传输的效率。 使用量子点的高效太阳能电池(100)包括透明电极(110),相对电极(120),金属氧化物膜(130),量子点膜(140),电解质层(150)。 透明电极位于板形上。 相对电极在面对透明电极的同时定位在板形上。 金属氧化物膜被涂覆在透明电极的单侧上。 金属氧化物膜包含其中形成有多个气泡的金属氧化物。 量子点膜被涂覆在金属氧化物膜上。 量子点膜包含具有各种尺寸的一个或多个量子点,而不是染料。 电解质层配备在相对电极和透明电极之间。

    전도성고분자 나노와이어 DNA센서 및 그의 제조방법
    37.
    发明公开
    전도성고분자 나노와이어 DNA센서 및 그의 제조방법 有权
    基于聚合物纳米基的DNA传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020090083146A

    公开(公告)日:2009-08-03

    申请号:KR1020080009137

    申请日:2008-01-29

    CPC classification number: C12Q1/6825 B82Y5/00 B82Y15/00 C12Q1/6837

    Abstract: A method for producing a conductive polymer nanowire DNA seonsor is provided to detect DNA with small amount of sample and form nanowire of conductive polymer. A method for producing a DNA sensor by forming a nanowire comprising a conductive polymer which connects a pair of electrode comprises: a step (S1) of installing an electrode on the upper part of non-conductive substrate; a step (S2) of laminating a sacrificial layer; a step (S3) of laminating an insulation layer; a step (S5) of removing the insulation layer by dipping electrode; a step (S6) of removing sacrificial layer by dipping a laminated electrode; and a step of binding a probe DNA on conductive polymer.

    Abstract translation: 提供一种导电聚合物纳米线DNA检测器的制备方法,用于检测少量样品的DNA,并形成导电聚合物的纳米线。 通过形成包含连接一对电极的导电性聚合物的纳米线来制造DNA传感器的方法包括:在非导电性基板的上部安装电极的工序(S1) 层叠牺牲层的步骤(S2); 层叠绝缘层的工序(S3) 通过浸渍电极去除绝缘层的步骤(S5); 通过浸渍层压电极去除牺牲层的步骤(S6); 以及将探针DNA结合在导电聚合物上的步骤。

    패시베이션된 양자점 및 그 제조방법

    公开(公告)号:KR101719574B1

    公开(公告)日:2017-03-24

    申请号:KR1020150084388

    申请日:2015-06-15

    Abstract: 개시된패시베이션된양자점의제조방법은, 표면에유기리간드가결합된양자점및 상기양자점을분산하는비극성용매를포함하는제1 용액을준비하는단계; 및상기제1 용액에, 할로겐염 및극성용매를포함하는제2 용액을가하여, 상기유기리간드를제거하고, 상기양자점의표면에할로겐염을포함하는패시베이션층을형성하는단계를포함한다. 상기할로겐화합물의함량이, 상기양자점 1g에대하여 0.001몰이상이다. 상기방법에따르면, 안정성이높은양자점을얻을수 있으며, 리간드치환공정없이양자점박막을형성할수 있다.

    패시베이션된 양자점 및 그 제조방법
    39.
    发明公开
    패시베이션된 양자점 및 그 제조방법 有权
    经验丰富的量子及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160147526A

    公开(公告)日:2016-12-23

    申请号:KR1020150084388

    申请日:2015-06-15

    Abstract: 개시된패시베이션된양자점의제조방법은, 표면에유기리간드가결합된양자점및 상기양자점을분산하는비극성용매를포함하는제1 용액을준비하는단계; 및상기제1 용액에, 할로겐염 및극성용매를포함하는제2 용액을가하여, 상기유기리간드를제거하고, 상기양자점의표면에할로겐염을포함하는패시베이션층을형성하는단계를포함한다. 상기할로겐화합물의함량이, 상기양자점 1g에대하여 0.001몰이상이다. 상기방법에따르면, 안정성이높은양자점을얻을수 있으며, 리간드치환공정없이양자점박막을형성할수 있다.

    나노입자의 종횡비에 따른 분리장치 및 이를 이용한 분리방법
    40.
    发明公开
    나노입자의 종횡비에 따른 분리장치 및 이를 이용한 분리방법 有权
    用于纳米颗粒的分离装置的宽高比和使用其的分离装置

    公开(公告)号:KR1020160126706A

    公开(公告)日:2016-11-02

    申请号:KR1020150058129

    申请日:2015-04-24

    Abstract: 본발명은나노입자분산액으로부터나노입자를종횡비에따라보다간편하고신속하게분리할수 있는나노입자의종횡비에따른분리장치및 이를이용한분리방법이개시된다. 본발명은일측에나노입자분산액이유입되는유입구가형성되고, 타측에나노입자가수거된나노입자분산액이배출되는배출구가형성되며, 내부에반응공간을형성하는챔버와, 상기챔버의내부에적어도하나이상설치되는전극과, 상기전극에음의전압또는양의전압을인가하는전원부와, 상기챔버로공급될나노입자분산액에비용매(nonsolvent)를혼합시키는공급부를포함하는나노입자의종횡비에따른분리장치및 이를이용한나노입자의종횡비에따른분리방법에관한것이다.

Patent Agency Ranking