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    Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 Cu-Se 박막을 포함하는 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막
    31.
    发明申请
    Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 Cu-Se 박막을 포함하는 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 审中-公开
    使用Cu-Se二元纳米粒子熔剂和由该方法制备的CI（G）S薄膜制造包含Cu-Se薄膜的CI（G）S薄膜的方法

    公开(公告)号：WO2013012240A2

    公开(公告)日：2013-01-24

    申请号：PCT/KR2012/005695

    申请日：2012-07-17

    Applicant: 한국에너지기술연구원 ,  조아라 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  안승규

    Inventor： 조아라 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  안승규

    IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

    Abstract: Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 CI (G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 CI(G)S계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI (G)S계 박막의 제조방법은， Cu-Se 이성분계 나노입자 및 In 나노입자를 제조하는 단계; Cu-Se 이성분계 나노입자， 용매 및 바인더를 흔합하여 Cu-Se 이성분계 나노입자 포함 슬러리를 제조하고， In 나노입자， 용매 및 바인더를 흔합하여 In 나노입자 포함 슬러리를 제조 하는 단계; Cu-Se 이성분계 나노입자 포함 슬러리 및 In 나노입자 포함 슬러리를 기판 상에 순서에 관계없이 교대로 코팅하여 복수개의 층이 적층된 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 박막에 열처리하는 단계를 포함한다. 이에 의하여， Cu-Se 이성분계 나노입자는 열처리에 의해 플럭스로 작용하여 입자성장이 층분히 이루어지고， 공극을 채워 치밀한 구조의 박막을 형성하며， 궁극적으로 이를 포함하는 태양전지의 에너지 전환효율을 상승시킬 수 있다.

    Abstract translation: （G）使用Cu-Se二元纳米粒子焊剂的S系薄膜和根据该方法制造的CI（G）S系薄膜。 本发明的制备CI（G）S薄膜的方法包括以下步骤：制备Cu-Se二元纳米颗粒和In纳米颗粒; 基于两部件的Cu-Se系纳米颗粒，合并并且将溶剂和共同以制备含有纳米的Cu-Se系双组分颗粒，结合在纳米颗粒的浆料中的粘合剂，溶剂和常用的，以制备含有在纳米颗粒的浆料中的粘合剂; 将含有Cu-Se二元纳米粒子的浆料和含In纳米粒子的浆料的浆料依次交替涂布在基材上，由此形成多个层的层叠体; 并对形成的薄膜进行热处理。 以这种方式，基于双组分的Cu-Se系纳米颗粒是由充分的晶粒生长层用作通过热处理助熔剂，填充以形成致密的结构的空隙的薄膜，并最终增加了太阳能电池的包含其的能量转换效率 你可以做到。

    패터닝된 그리드전극과 이를 적용한 박막 태양전지 및 이들의 제조방법
    34.
    发明授权
    패터닝된 그리드전극과 이를 적용한 박막 태양전지 및 이들의 제조방법 有权
    图案化栅格电极和使用其的薄膜太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR101628957B1

    公开(公告)日：2016-06-13

    申请号：KR1020130138965

    申请日：2013-11-15

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 어영주 ,  조준식 ,  박주형 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  조아라 ,  신기식 ,  안승규 ,  유진수

    IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: 본발명은박막태양전지에관한것으로, 더욱상세하게는삼각형또는사다리꼴형상으로패터닝된그리드전극과이를적용한박막태양전지의제조방법에관한것이다. 이에본 발명은박막태양전지에서의그리드전극제조방법에있어서, 투명전극층위에그리드전극층을형성하는단계, 상기그리드전극층의단면이삼각형또는사다리꼴형상을이루도록패터닝하는단계를포함하는것을특징으로하는패터닝된그리드전극의제조방법을제공한다. 본발명의삼각형또는사다리꼴형상으로패터닝된그리드전극의제조방법에따르면, 빛의반사와산란이발생하는그리드전극층의단면이삼각형또는사다리꼴형상을이룸으로써경사각이생기고, 이에투명전극층에도달할수 있는유효반사면적과유효산란면적이증대하게된다. 이로인하여투명전극층의광포획효과(light trapping)가향상되고이로인해광전변환율이높아지는효과가있다.

    박막 태양전지의 광흡수층의 제조방법 및 이를 이용한 박막 태양전지
    40.
    发明授权
    박막 태양전지의 광흡수층의 제조방법 및 이를 이용한 박막 태양전지 有权
    薄膜太阳能电池及其薄膜太阳能电池的吸收层的制造方法

    公开(公告)号：KR101503043B1

    公开(公告)日：2015-03-25

    申请号：KR1020140044484

    申请日：2014-04-14

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 조아라 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  어영주 ,  안승규 ,  조준식 ,  유진수 ,  박주형 ,  김기환

    IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/208 ,  H01L31/032 ,  H01L31/04 ,  Y02E10/52

    Abstract: The present invention relates to a thin film solar cell and, specifically, to a method for manufacturing a thin film having an optical absorption layer including group Ib elements, group VIa elements, and group Va elements; and a thin film solar cell using the same. The present invention provides a method for manufacturing a transparent electrode of the solar cell, and particularly a method for manufacturing the optical absorption layer of the thin film solar cell, including: a substrate (100); a back side electrode layer (200) formed on the substrate; the optical absorption layer (300) formed on the back side electrode layer (200); a buffer layer (400) formed on the optical absorption layer; and a transparent electrode layer (500) formed on the buffer layer (400). The method for manufacturing the optical absorption layer of the thin film solar cell comprises the steps of: manufacturing binary nanoparticles of the group Ib elements-the group VIa elements (s100); adding a solvent, a binder, and a solution precursor including the group Va elements to the binary nanoparticles of the group Ib elements-the group VIa elements to manufacture binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements (s200); dispersing and mixing the binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements (s300); coating the binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements on the back side electrode layer (200) (s400); and heat-treating the coated nanoparticles slurry while supplying the group VIa elements (s500).

    Abstract translation: 薄膜太阳能电池技术领域本发明涉及薄膜太阳能电池，具体地说涉及一种具有含有Ib族元素，VIa族元素和Va族元素的光吸收层的薄膜的制造方法。 和使用其的薄膜太阳能电池。 本发明提供一种太阳能电池的透明电极的制造方法，特别是制造薄膜太阳能电池的光吸收层的方法，包括：基板（100）; 形成在所述基板上的背面电极层（200） 形成在背面电极层（200）上的光吸收层（300）; 形成在所述光吸收层上的缓冲层（400） 和形成在缓冲层（400）上的透明电极层（500）。 制造薄膜太阳能电池的光吸收层的方法包括以下步骤：制备Ib族元素的二元纳米颗粒 - 族VIa元素（s100）; 将包含Va族元素的溶剂，粘合剂和溶液前体加入到组Ib元素的二元纳米颗粒 - 组VIa元素中，以制备Ib族元素 - 组VIa元素（s200）的二元纳米颗粒浆料; 分散和混合组Ib元素的二元纳米颗粒浆料 - 组VIa元素（s300）; 涂覆Ib族元素的二元纳米颗粒浆料 - 背面电极层（200）上的VIa族元素（s400）; 并在提供VIa族元素的同时对涂覆的纳米颗粒浆料进行热处理（s500）。

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