후면전극 표면에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지
    31.
    发明申请
    후면전극 표면에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 审中-公开
    制造具有表面电极表面形成纹理的双层纹理结构的聚氯乙烯太阳能电池的方法及其制造的氯化铝太阳能电池

    公开(公告)号:WO2013141644A1

    公开(公告)日:2013-09-26

    申请号:PCT/KR2013/002392

    申请日:2013-03-22

    Abstract: 본 발명은 후면전극 표면에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극의 표면에 후면텍스처를 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 후면전극 표면에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는,기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극올 포함하여 구성되고,상기 광흡수층에 접하는 상기 후면전극의 표면에 후면텍스처 구조가 형성되며,상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 전면텍스처와 후면텍스처의 2중 텍스처 구조를 구비하여 광포획 성능이 크게 증가하여,태양전지의 광전변환효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有双面纹理结构的硫族化物太阳能电池的制造方法,其中在后表面电极的表面上形成纹理,并且包括以下步骤:制备衬底; 在所述基板的顶部上形成背面电极; 在后表面电极的表面上形成背面纹理; 在后表面电极的顶部形成由硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 在光吸收层的顶部形成缓冲层; 在缓冲层的顶部形成透明电极; 并且在透明电极的表面上形成正面结构。 根据本发明,具有在背面电极的表面上形成纹理的双重结构结构的硫族化物太阳能电池包括:基板; 形成在基板顶部的背面电极; 由形成在背面电极顶部的硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 所述缓冲层形成在所述光吸收层的顶部; 以及形成在缓冲层顶部的透明电极,其中在与光吸收层收缩的背面电极的表面上形成后表面纹理结构,并且其中在 透明电极的表面。 本发明通过具有包括前表面纹理和后表面纹理的双重纹理结构,提供了由于光捕获能力的显着增加而增加光电转换效率的优点。

    NA 무함유 기판을 이용한 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지
    32.
    发明申请
    NA 무함유 기판을 이용한 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지 审中-公开
    使用不包含NA的基板和制造的太阳能电池制造CIGS薄膜太阳能电池的方法

    公开(公告)号:WO2013137587A1

    公开(公告)日:2013-09-19

    申请号:PCT/KR2013/001808

    申请日:2013-03-06

    Abstract: 본 발명은 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 CIGS계 전구체 박막을 형성하기 전 몰리브덴 전극이 형성된 소듐 무함유 기판 표면의 일부에 소듐 공급원 박막을 형성함으로써 태양전지의 광흡수층인 CIGS계 박막의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 소듐 무함유 기판을 사용하여 기판 내 존재하는 무분별한 소듐 성분의 확산을 방지하고, 별도의 소듐 공급원을 통해 태양전지의 광흡수층인 CIGS계 박막 내에 소듐 성분을 제공하여 태양전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造CIGS薄膜太阳能电池的方法及其制造的太阳能电池,更具体地说,涉及制造CIGS薄膜太阳能电池的方法和由此制造的太阳能电池,其中 通过在成膜前在不含钠的基板的表面的一部分表面形成钠源薄膜,从而提高作为太阳能电池的光吸收层的CIGS薄膜的电性能。 前体CIGS薄膜。 根据本发明,使用不含钠的基板来防止基板的不希望的钠含量的扩散,并且在从分离的太阳能电池的太阳能电池的光吸收层的CIGS薄膜中提供钠含量 钠源,以提高太阳能电池的效率。

    후면 TCO층을 구비한 CIS/CIGS계 태양전지 및 그 제조방법
    33.
    发明申请
    후면 TCO층을 구비한 CIS/CIGS계 태양전지 및 그 제조방법 审中-公开
    CIS / CIGS太阳能电池具有后期TCO层及其生产方法

    公开(公告)号:WO2013077547A1

    公开(公告)日:2013-05-30

    申请号:PCT/KR2012/008376

    申请日:2012-10-15

    Abstract: 후면 TCO층을 구비한 CIS/CIGS계 태양전지 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 CIS/CIGS계 태양전지는 기판; 기판상에 소정의 간격으로 두고 분리되어 병렬적으로 배치되는 두 층의 몰리브덴 전극인 제1 몰리브덴 전극과 제2 몰리브덴 전극; 제2 몰리브덴 전극의 상면 및 측면상에 배치되는 TCO층; TCO층의 상부 및 측면상에 배치되며, TCO층과 광흡수층 사이에 밴드갭 차이를 완충하는 버퍼층; 제1 몰리브덴 전극, 버퍼층 및 제1 몰리브덴 전극과 버퍼층 사이의 일부 노출된 기판상에 배치되는 광흡수층; 및 광흡수층상에 배치되고, 외부에서 조사되는 빛의 반사를 최소화하는 반사방지층;을 포함한다. 이에 의하여, 버퍼층과 TCO층을 광흡수층의 후면에 배치되어 광흡수층의 상부에서 광입사량을 저하시키는 방해구조가 제거되고, 광흡수층으로의 입사광량을 최대화함으로써 궁극적으로 태양전지의 에너지 변환효율을 높일 수 있다.

    Abstract translation: 公开了具有后TCO层的CIS / CIGS太阳能电池及其制造方法。 本发明的CIS / CIGS太阳能电池包括:基板; 第一钼电极和第二钼电极,其构成设置在所述基板上的两层中的钼电极,其间以预定的间隙平行分离; 设置在上表面的TCO层和第二钼电极的侧面; 缓冲层,其设置在所述TCO层的上表面和侧面,并且缓冲所述TCO层和光吸收层之间的带隙差; 所述光吸收层设置在所述第一钼电极上,所述缓冲层和所述衬底部分地暴露在所述第一钼电极和所述缓冲层之间; 以及防反射层,其设置在光吸收层上并使从外部照射的光的反射最小化。 以这种方式,缓冲层和TCO层以这样的方式设置在光吸收层的后表面上,以消除任何阻挡结构,其将减少光吸收层的上部上的入射光量,以及 使光吸收层上的入射光量最大化,从而最终提高太阳能电池的能量转换效率。

    Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 Cu-Se 박막을 포함하는 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막
    34.
    发明申请
    Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 Cu-Se 박막을 포함하는 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 审中-公开
    使用Cu-Se二元纳米粒子熔剂和由该方法制备的CI(G)S薄膜制造包含Cu-Se薄膜的CI(G)S薄膜的方法

    公开(公告)号:WO2013012240A2

    公开(公告)日:2013-01-24

    申请号:PCT/KR2012/005695

    申请日:2012-07-17

    Abstract: Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 CI (G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 CI(G)S계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI (G)S계 박막의 제조방법은, Cu-Se 이성분계 나노입자 및 In 나노입자를 제조하는 단계; Cu-Se 이성분계 나노입자, 용매 및 바인더를 흔합하여 Cu-Se 이성분계 나노입자 포함 슬러리를 제조하고, In 나노입자, 용매 및 바인더를 흔합하여 In 나노입자 포함 슬러리를 제조 하는 단계; Cu-Se 이성분계 나노입자 포함 슬러리 및 In 나노입자 포함 슬러리를 기판 상에 순서에 관계없이 교대로 코팅하여 복수개의 층이 적층된 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 박막에 열처리하는 단계를 포함한다. 이에 의하여, Cu-Se 이성분계 나노입자는 열처리에 의해 플럭스로 작용하여 입자성장이 층분히 이루어지고, 공극을 채워 치밀한 구조의 박막을 형성하며, 궁극적으로 이를 포함하는 태양전지의 에너지 전환효율을 상승시킬 수 있다.

    Abstract translation: (G)使用Cu-Se二元纳米粒子焊剂的S系薄膜和根据该方法制造的CI(G)S系薄膜。 本发明的制备CI(G)S薄膜的方法包括以下步骤:制备Cu-Se二元纳米颗粒和In纳米颗粒; 基于两部件的Cu-Se系纳米颗粒,合并并且将溶剂和共同以制备含有纳米的Cu-Se系双组分颗粒,结合在纳米颗粒的浆料中的粘合剂,溶剂和常用的,以制备含有在纳米颗粒的浆料中的粘合剂; 将含有Cu-Se二元纳米粒子的浆料和含In纳米粒子的浆料的浆料依次交替涂布在基材上,由此形成多个层的层叠体; 并对形成的薄膜进行热处理。 以这种方式,基于双组分的Cu-Se系纳米颗粒是由充分的晶粒生长层用作通过热处理助熔剂,填充以形成致密的结构的空隙的薄膜,并最终增加了太阳能电池的包含其的能量转换效率 你可以做到。

    패터닝된 그리드전극과 이를 적용한 박막 태양전지 및 이들의 제조방법
    37.
    发明授权
    패터닝된 그리드전극과 이를 적용한 박막 태양전지 및 이들의 제조방법 有权
    图案化栅格电极和使用其的薄膜太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101628957B1

    公开(公告)日:2016-06-13

    申请号:KR1020130138965

    申请日:2013-11-15

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 본발명은박막태양전지에관한것으로, 더욱상세하게는삼각형또는사다리꼴형상으로패터닝된그리드전극과이를적용한박막태양전지의제조방법에관한것이다. 이에본 발명은박막태양전지에서의그리드전극제조방법에있어서, 투명전극층위에그리드전극층을형성하는단계, 상기그리드전극층의단면이삼각형또는사다리꼴형상을이루도록패터닝하는단계를포함하는것을특징으로하는패터닝된그리드전극의제조방법을제공한다. 본발명의삼각형또는사다리꼴형상으로패터닝된그리드전극의제조방법에따르면, 빛의반사와산란이발생하는그리드전극층의단면이삼각형또는사다리꼴형상을이룸으로써경사각이생기고, 이에투명전극층에도달할수 있는유효반사면적과유효산란면적이증대하게된다. 이로인하여투명전극층의광포획효과(light trapping)가향상되고이로인해광전변환율이높아지는효과가있다.

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