公开(公告)号：KR1019970004488B1

公开(公告)日：1997-03-28

申请号：KR1019930018145

申请日：1993-09-09

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오광룡 ,  박기성 ,  박종대 ,  김홍만

IPC: H01L29/86 ,  H01L29/8605

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: The present invention provides a method of making a self-aligned semiconductor optical switch using variation of refractivity of optical waveguide by current application. This method includes the steps of: forming on a substrate (1) a light waveguide layer (2), an n-type InP clad layer (3), a p-type InP blocking layer (4) for blocking current, and an n-type InGaAs cap layer (5); selectively etching the cap layer (5) forming a reflecting surface to be in a groove shape and diffusing Zn all over the surface; depositing a p-type electrode (6) on the cap layer (5); and etching the cap layer (5), the p-type InP blocking layer (4), the clad layer (3), and depositing an n-type electrode (7) under the substrate (1).

Abstract translation: 本发明提供一种使用当前应用的光波导的折射率变化来制作自对准半导体光开关的方法。 该方法包括以下步骤：在基板（1）上形成光波导层（2），n型InP包覆层（3），用于阻断电流的p型InP阻挡层（4），以及n 型InGaAs覆盖层（5）; 选择性地将形成反射面的盖层（5）蚀刻成沟槽形状并使Zn全部在表面上扩散; 在所述盖层（5）上沉积p型电极（6）; 蚀刻所述盖层（5），所述p型InP阻挡层（4），所述覆盖层（3），以及在所述基板（1）的下方沉积n型电极（7）。

公开(公告)号：KR100091957B1

公开(公告)日：1995-11-22

申请号：KR1019920023359

申请日：1992-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박기성 ,  김홍만 ,  오대곤

IPC: H01L33/00

公开(公告)号：KR1019950021912A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930029080

申请日：1993-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박기성 ,  김홍만

IPC: H01S5/20

Abstract: 본 발명은 RWG반도체 레이저를 제작함에 있어서, 자기정렬 구조의 반도체 레이저 제조방법에 관한 것으로서, 종래에 제조공정상 리지(ridge)의 폭을 최적조건으로 줄이기 어려운 문제점을 개선하기 위하여, 본 발명은 반도체 레이저 제작에 필요한 에피층들의 MOCVD(또는 LPE)에 의한 성장, 에칭에 의한, 1.5내지 2㎛폭의 리지도파로(ridge waveguide)구조형성, 자기정렬 구조형성 및 에칭된 채널부분의 평탄화를 위한 폴리이미드 코우팅 및 패턴형성, 건식식각에 의한 리지상단의 폴리이미드 제거, SiNx패시베이션, p형 오믹금속 리프트-오프, 웨이퍼 뒷면 연마 및 n형 오믹금속증착의 제조 공정단계를 제공함으로써, 미세 리소그라피 공정이 불필요하고, LD의 제반특성을 향상시킬 수 있고, 리지 상단 전면에 직렬기생저항을 줄일 수 있으며, p형 전극의 면적을 최소화 여 기생정전용량을 줄여 변조대역폭을 크게 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019950019795A

公开(公告)日：1995-07-24

申请号：KR1019930027625

申请日：1993-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박종대 ,  박기성 ,  오광룡 ,  오대곤 ,  김홍만

IPC: G02B6/26

Abstract: 본 발명은 트랜치를 이용한 내부 전반사형 광스위치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 광스위치는 에피의 성장, 식각을 통한 트랜치의 형성, 재성장을 통한 오믹충의 형성, 전극증착등에 의해 제작되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분을 식각한 후 재성장법을 사용하여 종래의 Zn확산법에 의해 형성되는 전반사 영역보다 도핑분포를 조절함이 용이하여 전류주입층과 도파로층간이 도핑이 계단형 분포를 이룸으로 전류주입에 의한 스위칭 효율을 증가시킬 수 있다. 또한 상승 플래딩에 반절연 InP를 삽입하여 광도파로의 전파손실을 주지 않으면서 전류주입시 전류의 확산을 막는 구조이다.

公开(公告)号：KR1019950010147A

公开(公告)日：1995-04-26

申请号：KR1019930018267

申请日：1993-09-10

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오광룡 ,  박기성 ,  박종대 ,  김홍만

IPC: H01L29/86 ,  H01L29/8605

Abstract: 본 발명은 광스위치의 집적도증가 및 도파로 폭설계등의 조건을 완화시켜 우수한 성능의 광스위치를 제작하는 데 목적이 있는 것으로, 본 발명에서 제안된 광스위치는 에피성장, 홈(groove)식각, Zn확산, 전극증착등에 의하여 제작되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분에서 홈식각되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분에서 홈식각되어 Zn 확산이 깊숙이 이루어져 전류주입이 집중되어 지고 홈의 양옆으로는 p/n/p/n 접합이 형성되어 전류주입이 차단되어 진다.
즉, p형 접촉면적은 도파로 폭전체에 형성되어지고 전류 주입은 홈식각된 반사면을 이루고자하는 부분에서만 이루어진다.
그결과 p옴 저항접촉면적을 극대화시켜 접촉저항이 최소화하고, p형 전극증착시에 1㎛정도의 리쏘그라피 정렬조건이 제거되어 제작공정이 수월해진다.
도파로폭이 설계요건을 완화시켜 3~4㎛폭까지 가능해지고, 동작전력의 감소로 집적도 및 교환용량 향상에 기여할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019950010144A

公开(公告)日：1995-04-26

申请号：KR1019930018146

申请日：1993-09-09

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박기성 ,  오광룡 ,  박종대 ,  김홍만

IPC: H01L29/86 ,  H01L29/8605

公开(公告)号：KR100061765B1

公开(公告)日：1993-05-03

申请号：KR1019890020674

申请日：1989-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박기성 ,  오광룡 ,  이용탁

IPC: H01L21/82

公开(公告)号：KR100057505B1

公开(公告)日：1992-12-21

申请号：KR1019890019572

申请日：1989-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박기성 ,  김상배 ,  오광룡 ,  이용탁

IPC: H01L29/73

公开(公告)号：KR100282611B1

公开(公告)日：2001-02-15

申请号：KR1019970071616

申请日：1997-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승원 ,  이동호 ,  박기성 ,  김명규 ,  김홍만

IPC: H01L31/09

Abstract: 본 발명은 반도체의 밴드갭 근처의 파장대역에서 입사 되는 파장에 따라 물질의 광흡수계수가 변화하는 성질을 이용하여 파장분할 다중화 광전송 시스템의 파장 안정화 장치 혹은 능동형 파장 검출기에 사용될 수 있는 새로운 광소자에 대한 것이다. 종래의 광검출기의 흡수층에 사용되던 InGaAs 대신 밴드갭이 1.55 μm부근인 InGaAsP 혼합물 혹은 InGaAsP/InGaAsP 다중양자우물 구조를 사용하면 파장다중 광통신에 사용되는 1.55 μm파장대에서 입사광의 파장에 따라 흡수계수가 달라져 광감응성이 입력광의 파장에 따라 달라지는 광검출기를 구현할 수 있다. 또 본 발명에서는 InGaAsP 흡수층 광검출기 구조 위에 InGaAs 흡수층의 광검출기와 수직으로 집적화하여 추가의 InGaAs 광검출기가 필요 없는 보다 사용이 편리한 광소자도 제안한다. 본 발명에서 제안한 파장의존성 광검출기는 파장분할 다중화 광통신 시스템에 사용되는 광원의 파장을 확인하거나 주어진 일정한 파장에 광원의 파장을 고정시키는 장치에서 사용될 수 있으며 종래의 부품에 비하여 간단하므로 이러한 장치에 본 발명에서 제안한 파장의존성 광검출기를 사용하면 광원의 파장 확인 장치 및 파장안정화 장치의 제작을 보다 소형이며 저렴한 가격으로 제작할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990043121A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970064107

申请日：1997-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이상환 ,  송민규 ,  김홍만 ,  주관종 ,  박기성

IPC: H01S5/10

Abstract: 본 발명은 광통신 시스템의 핵심 부품인 반도체 레이저에 관한 것으로, 반도체 레이저와 모니터 포토다이오드의 광결합 구조를 단순화·소형화하여 패키징 공정에 필요한 난이도를 줄이고, 비용을 절감하며, 반도체 레이저 어레이의 패키징에 있어서도 공정의 난이도와 패키지 구조의 변화가 없이 모니터 포토다이오드를 사용할 수 있도록 하는 반도체 레이저 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 달성하기 위하여 본 발명의 특징적인 반도체 레이저 모듈은 반도체 레이저와, 상기 반도체 레이저를 구동하기 위한 구동 회로와, 상기 반도체 레이저로부터의 광신호를 전달하기 위한 광학계를 포함하여 이루어진 반도체 레이저 모듈에 있어서, 상기 반도체 레이저 상부의 후방부에 제공되는 모니터 포토다이오드와, 상기 반도체 레이저의 후방부에 소정 간격 이격되어 배치되어, 상기 반도체 레이저의 도파로로부터의 광출력을 반사하여 상기 모니터 포토다이오드에 전달하는 반사체를 포함하여 이루어진다.