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公开(公告)号：KR100243656B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019960062146
申请日：1996-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18308 , H01S5/0282 , H01S5/2059 , H01S5/423
Abstract: 종래의 수직공진형 레이저는 소자 분리 공정시 공진기를 식각하거나, 불순물을 활성층에 주입하는 방법과 습식 산화처리 방법 등을 사용하고 있으나, 이러한 방법은 표면으로의 누설전류가 심각하게 증가하여 문턱전류를 증가시키고 출력 특성이 크게 저하되거나, 단일 모드 발진 특성을 도출해 내는데 한계가 있었다. 본 발명은 수직공진형 표면방출 레이저의 공진기 식각 후 수소 프라즈마 분위기에서 수소화 처리하여 소자를 효과적으로 분리함으로써 낮은 문턱전류 및 단일 모드 발진 특성의 수직공진형 표면방출 레이저를 구현하고자 한다.
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公开(公告)号：KR100243102B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970047183
申请日：1997-09-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S5/18302 , H01S5/0614 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18355
Abstract: 본 발명은 표면 방출 레이저에 관한 것으로서, 특히 갈륨 비소(GaAs) 등의 화합물 반도체 물질이 갖고 있는 전광(electro-optic) 효과를 이용하여 표면 방출 레이저의 화합물 반도체 거울층의 굴절률을 전기장을 이용하여 편광에 따라 다르게 변화시킴으로써 레이저 공진 파장이 편광에 의존하도록 하는 편광 조절 기능을 갖는 편광 스위칭 표면 방출 레이저 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래 표면 방출 레이저는 구조상 빛의 방출 면에서 대칭적인 구조를 갖고 있으므로 편광 특성을 보이지 않아야 하지만, 공정 상에서 발생되는 비대칭성, 응력 효과 및 전류 주입을 위한 전기장 효과 등에 의하여 편광 특성을 보이고 있다. 그러나 이와 같은 효과들은 인위적이지 않고 일정한 특성을 보이지 않아, 소자별 및 출력별로 편광의 변화가 나타나는 문제점이 도출되었다.
따라서 본 발명은 상부 및 하부 거울중 한쪽 거울에 전기장을 가해주어 편광에 따라 반사율과 반사파의 위상을 변화시킴으로서, 발진 빔의 편광을 인위적이고 능동적으로 스위칭할 수 있는 편광 스위칭 표면 방출 레이저 및 그 제조 방법을 제시한다.-
公开(公告)号：KR1019990047100A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065336
申请日：1997-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 공명 투과 광전소자를 이용한 다중 피크 발생 방법에 관한 것으로, 특히 이중장벽 구조를 갖는 공명 투과 소자의 측면에 간격층의 밴드 갭보다 큰 에너지의 빛을 조사함으로써, 공명 투과 조건이 이중장벽 구조의 일부분만 변조되어 다중 피크 특성이 나타나도록 하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에서는 공명 투과 소자의 측면에서 광원을 조사하여, 공명 투과 소자에 흐르는 전류가 빛이 흡수된 영역과 빛이 흡수되지 않은 영역이 병렬로 연결된 것과 같은 특성을 보이도록 함으로써 다중 피크 특성이 발생하게 하는 방법을 제시한다. 본 발명에 의한 측면 수광 공명 투과 소자는 간격층에 직접 빛이 조사되므로 약한 광 신호에서도 전기적 신호의 변조가 가능하게 된다.-
公开(公告)号：KR1019990043771A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970064813
申请日：1997-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 단일 모드 표면방출 레이저 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 반유도 클래드와 거울 층의 반사율 분포를 이용하여 넓은 영역에서 단일 횡 모드 발진 특성을 갖는 표면방출 레이저에 관한 것이다.
광 통신 및 병렬 광 정보 처리등에 있어서 광섬유와의 효과적인 커플링 및 이차원 어레이 제작에 용이하게 사용되는 수직 공진형 표면방출 레이저는, 기판에 수직한 방향으로 빛을 방출하는 레이저로써, 그 구조적 특성에 의하여 종 방향으로는 단일 종모드 특성을 보이나, 횡방향으로는 다중 모드의 특성을 보인다.
본 발명에서는 자유 공간 광 배선 및 광섬유 커플링 등에 응용될 수 있도록, 반유도 클래드와 거울 층의 반사율 분포를 사용하여 기본 횡 모드의 출력 감소 없이 고차 횡 모드의 발진을 억제하는 수직 공진형 표면방출 레이저를 제시한다.-
公开(公告)号：KR1019990034174A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970055674
申请日：1997-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 이온 주입에 의한 결정 손상의 회복과 p형 전극 형성을 동시에 할 수 있는 얕은 접촉을 갖는 표면 방출 레이저의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 문턱 전압의 감소와 레이저 발진 효율을 증가시킬 목적으로 상부거울층을 전류 주입층, 거울층으로 분리시키는 표면 방출 레이저의 제조 방법에 있어서, 전류 주입 경로를 정의하기 위한 이온 주입 과정에서 유도되는 표면의 결정 손상을 회복시키면서, 동시에 오옴 접촉을 전류 주입층과 금속 계면에서의 재성장에 의하여 효과적으로 달성할 수 있는 얕은 접촉(shallow junction)을 갖는 표면 방출레이저의 제조 방법을 제시 한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100178488B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950049256
申请日：1995-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 표면 방출 레이저의 제조방법에 관한 것으로서, 제1 도전형 GaAs의 반도체 기판 상에 제 1도전형의 제 1거울층, 불순물이 도핑되지 않은 제 1공간층, 불순물이 도핑되지 않은 이득층, 불순물이 도핑되지 않은 제 2공간층, 제 2도전형의 불순물이 도핑된 제 2거울층 및 제 2도전형의 불순물이 도핑된 캡층을 순차적으로 결정 성장 방법으로 형성하는 공정과, 상기 캡층 상부의 소정 부분에 격자빈자리가 적은 제1보호층을 형성하는 공정과, 상기 제 1보호층의 상부에 식각용 마스크로 포토레지스터를 형성하고 상기 제 2공간층이 노출되도록 상기 캡층 및 상기 제 2거울층을 건식 식각 방법으로 제거하여 레이저기둥을 형성하고 포토레지스터를 제거하는 공정과, 상술한 구조의 상부와 상기 반도체 기판의 하부 표면에 격자빈자리가 많은 제 2보호층을 형성하고 급속 열처리하여 상기 레이저기둥 주위의 이득층과 제 1및 제 2공간층이 상호 확산되어 블록킹영역을 형성하는 공정과, 상기 레이저기둥 상부에 형성된 제1 및 제 2보호층을 제거하고 노출된 캡층의 표면에 상부전극을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판 하부의 제2보호층을 제거하고 노출된 반도체기판 하부 표면의 소정 부분에 하부전극을 형성하는 공정을 구비한다.
따라서, 블록킹영역에 의해 캐리어가 확산되는 것을 방지하므로 양자 효율이 증가되어 낮은 문턱 전류와 단일 횡모드를 얻을 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019980044117A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960062146
申请日：1996-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 장치 제조방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 수직공진형 레이저는 소자 분리 공정시 공진기를 식각하거나, 불순물을 활성층에 주입하는 방법과 습식 산화처리 방법 등을 사용하고 있으나, 이러한 방법은 표면으로의 누설전류가 심각하게 증가하여 문턱전류를 증가시키고 출력 특성이 크게 저하되거나, 단일 모드 발진 특성을 도출해 내는데 한계가 있었음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 수직공진형 표면 방출 레이저의 공진기 식각 후 수소 프라즈마 분위기에서 수소화 처리하여 소자를 효과적으로 분리함으로써 낮은 문턱전류 및 단일 모드 발진 특성의 수직공진형 표면 방출 레이저 제조방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
수직공진형 표면 방출 레이저 제조에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1019980016376A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035935
申请日：1996-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 표면 방출 레이저 어레이 제조 방법에 관한 것으로, 편광을 제어할 수 있도록 공진기를 110방향과110방향으로 기울어진 표면 방출 레이저를 열 또는 행을 따라 배열하여 제조함으로써 수직한 두 방향의 편광 특성을 모두 갖는 표면 방출 레이저 어레이를 제조할 수 있으며, 각각의 표면 방출 레이저는 발진 빔이 원형의 대칭성을 크게 벗어나지 않는 특징을 갖을 수 있고, 편광에 민감한 소자의 응용이 용이하며, 편광에 따라 발짐 빔의 진행 방향을 제어할 수 있으므로 광접속 및 광교환을 용이하게 할 뿐만 아니라 자기광 디스크(magneto-optics disk)와 같이 편광에 민감한 소자에 응용할 때 매우 효과적일 수 있는 표면 방출 레이저 어레이 제조방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR100125014B1
公开(公告)日：1997-12-01
申请号：KR1019930013359
申请日：1993-07-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/01716 , B82Y20/00 , G02F2001/01733
Abstract: Disclosed is a ultra-high speed optic switching device including a first quantum well structure(1) and a second quantum well structure(2). The first and second quantum well structures(1, 2) have different energy gap each other. The first quantum well structure(1) absorbs a bleaching phenomenon of a long time band. The first quantum well structure(1) has the same long time constant as the second quantum well structure(2). The long time bleaching phenomenon of the first quantum well structure(1) is as same as the long time absorption phenomenon of the second quantum well structure(2). Thus, the switching can be used for the future optic communication.
Abstract translation: 公开了一种包括第一量子阱结构（1）和第二量子阱结构（2）的超高速光学开关器件。 第一和第二量子阱结构（1,2）彼此具有不同的能隙。 第一量子阱结构（1）吸收长时间带的漂白现象。 第一量子阱结构（1）具有与第二量子阱结构（2）相同的长时间常数。 第一量子阱结构（1）的长时间漂白现象与第二量子阱结构（2）的长时间吸收现象相同。 因此，切换可以用于将来的光通信。
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