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公开(公告)号：KR1019980067653A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970003863
申请日：1997-02-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/02
Abstract: 본 발명은 표면형 반도체 레이저 제조 방법에 관한 것으로, WDM을 위한 차세대 레이저에서 파장의 안정성을 유지하기 위한 본 발명은 활성층 내부의 클래딩층을 저온에서 성장시키고, 상부 및 하부 초격자 거울층과 활성층 내부의 양자 우물 구조층을 고온에서 성장시킨 후 형성된 구조에 고온 열처리 공정을 실시함으로써 개별적인 소자들의 레이저 파장을 원하는 대로 쉽고 정확하게 조절할 수 있으며 일단 열처리에 의해 파장 조절이 끝난 소자들은 재료 특성상 안정되어 시간에 따른 소자의 레이징 특성 변화를 일으키지 않는 튜너블 레이저 제조 방법이 제시된다.
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公开(公告)号：KR1019970054264A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950052646
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/12
Abstract: 본 발명은 격자부정합이 큰 이종박막 표면에 생기는 줄무늬 형태를 이용한 양자선 제작방법에 관한 것으로서, 특히 빗살무늬 자연적인 생성과정을 잘 선택하여 양자선 구조의 기본틀이 되는 V자형의 골이 파지고 산이 평평한 박막을 만드는 것이다.
인디움 갈륨비소박막의 줄무늬는 반원의 형태를 가지고, 갈륨비소 기판위에 성장할 때 성장온도를 고온에서 저온으로 점차적으로 내려 성장시키고, 인디움 조성은 그레이딩 방법으로 점차적으로 늘려 성장하고, 이 줄무늬를 가진 박막위에 생성하고, 또한 인디움 갈륨비소박막의 줄무늬는 M자의 형태를 가지고, 갈륨비소 기판위에 성장할 때 성장온도를 고온에서 저온으로 점차적으로 내려 성장시키고, 인디움 조성은 그레이딩 방법으로 점차적으로 늘려 성장하고, 이 줄무늬를 가진 박막위에 양자선을 생성하는 것이다.-
公开(公告)号：KR1019970053234A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950052674
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 MOCVD 방법으로 반도체 이종구조를 성장함에 있어서 레이저를 이용한 실시간 분석장치를 사용하여 반도체에 도핑된 불순물의 농도를 실시간으로 알아내는 방법과 고핑으로 인한 성장조건의 변화중 성장속도의 시간에 따른 변화를 감지한 방법이다. 실시간 분석장치로 알아낸 성장중의 반사신호는 에피층오가 기판에서의 레이저 간섭신호에 의해 반사신호가 주기적 성향을 띠며, 에피층에 흡수가 있을 경우 반사신호의 진폭변화는 흡수계수에 의해 결정됨을 이용하고 흡수계수와 불순물농도의 관계를 이용하여 불순물의 농도를 계산할 수 있다. 또한 반사신호에 나타나는 개개의 피크를 독립적으로 분석하여 보면 시간에 따른 성장속도를 일일이 계산할 수 있는데 탄소도핑된 알루미늄비소층에서 성장속도의 시간에 따른 감속이 감지되었다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970010931B1
公开(公告)日：1997-07-02
申请号：KR1019940028807
申请日：1994-11-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01J1/00
Abstract: The mirror holder of the luminescent measuring instrument includes the reflector(10) and a supporter(20), having the same length as the semi-diameter of the optical lens placed at the entrance of the monochromator. Groove(11) is made in the same size as the beam. The supporter(20) which tightly holds the reflector(10), fixed with a gold mirror(30) is made the same size as the inner diameter of the supporter holder. The gold mirror(30) is used as a reflecting mirror, that it ensures the high and equal reflection rate.
Abstract translation: 发光测量仪器的镜架包括反射器（10）和支架（20），其具有与放置在单色仪入口处的光学透镜的半径相同的长度。 槽（11）制成与梁相同的尺寸。 使用金镜（30）固定的紧固住反射体（10）的支架（20）的尺寸与支撑架的内径相同。 金镜（30）用作反射镜，确保高反射率。
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公开(公告)号：KR1019970015796A
公开(公告)日：1997-04-28
申请号：KR1019950029218
申请日：1995-09-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 에페성장장치 중 하나인 금속 유기물 화학증착(MOCVD; metal-organic chemical vapor deposition)장치에 관한 것으로, 특히 시료의 균일한 성장을 위한 MOCVD 성장용 보조장치에 대한 것이다. 종래의 에피성장장치는 균일한 시료의 성장을 위해 성장조건을 바꾸는 방법을 사용하고 있으나, 성장조건을 바꿀경우 성장구조의 두께 균일성은 조금 개선되지만 이로 인해 다시 성장조건을 잡아야 하는 시간적인 손실을 초래하게 된다. 본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로, 시료의 성장속도 및 조성을 바꾸지 않는 상태에서 성장구조를 향상시킬수 있도록 상기 금속화학 증착장치의 성장실내의 공급되는 원료가스가 운송가스를 통해 시료표면에 균일하게 증착되도록 유도하는 유도수단과, 상기 유도수단을 성장실내에 공하기 위한 고정수단을 포함하여 원료가스 및 운송가스가 상기 유도수단에 의해 균일한 흐림으로 시료에 유도되어 시료의 균일한 성장구조를 갖도록 한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019940008572B1
公开(公告)日：1994-09-24
申请号：KR1019910024255
申请日：1991-12-24
IPC: H01L31/00
Abstract: The method comprises the steps of (A) forming a reflection (2), an active (3), and a lid (4) layers on a GaAs substrate (1) by e.g. MBE, (B) removing the lid and the active layers selectively by etching to isolate each device, (C) forming an insulation region (5) by boron implantation, (D) forming an optical window, N-type doped (6) and P-type doped regions (7), (E) forming a metal layer (8) on doped regions, (F) making the light-passing region undoped by hydrogen-plasma implantation, and (G) forming an anti-reflection coating.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤：（A）通过例如在GaAs衬底（1）上形成反射层（2），活性层（3）和盖（4）层。 （B）通过蚀刻选择性地去除盖子和有源层以隔离每个器件，（C）通过硼注入形成绝缘区域（5），（D）形成光学窗口，N型掺杂（6）和 在掺杂区域上形成金属层（8）的P型掺杂区域（7），（F）使通过氢等离子体注入而未掺杂的光通过区域，（G）形成抗反射涂层。
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