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公开(公告)号：KR1020070058960A
公开(公告)日：2007-06-11
申请号：KR1020060084913
申请日：2006-09-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S5/1237 , H01S3/08009 , H01S5/1209 , H01S5/2228
Abstract: A semiconductor laser structure including a quantum dot is provided to reduce cost and improve yield by obtaining single wavelength laser only through changing a mask without new technology development. A semiconductor laser structure including a quantum dot includes a lower clad layer, a plurality of gratings(320), a lower ridge waveguide(330), and an upper clad layer. The lower and upper clad layers are formed in a p+ or n+ clad layer. The lower and upper clad layers are different types from each other. A period of the grating(320) is integer times of T=(lambda/2)n. The grating(320) is arranged to form a predetermined angle with the lower ridge waveguide(330) for forming the lower ridge waveguide(330) in a direction for cleaving.
Abstract translation: 提供包括量子点的半导体激光器结构，通过仅通过改变掩模即可获得单波长激光来降低成本并提高产量，而无需新技术开发。 包括量子点的半导体激光器结构包括下包层，多个光栅（320），下脊波导（330）和上包覆层。 下包层和上覆盖层形成在p +或n +覆层中。 下层和上层包层彼此不同。 光栅（320）的周期是T =（λ/ 2）n的整数倍。 光栅（320）被布置成与下脊波导（330）形成预定角度，用于在切割的方向上形成下脊波导（330）。
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公开(公告)号：KR100723833B1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：KR1020050052575
申请日：2005-06-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 분포귀환형 반도체 레이저를 제공한다. 본 발명은 기판 상에 형성된 하부 클래드층과, 상기 하부 클래드층 상에 활성층 및 상부 클래드층이 순차적으로 형성되어 구성된 리지를 포함한다. 상기 활성층을 포함하는 상기 리지의 일측벽 또는 양측벽에는 상기 활성층 및 공진축의 수직방향으로 형성되어 단일 가로 모드 발진을 가능하게 하는 그레이팅이 형성되어 있다. 상기 그레이팅은 발진 파장(λ)의 1/2의 정수배(nλ/2, n=1,2,3..)에 해당하는 주기로 형성되어 있다. 상기 리지를 구성하는 상부 클래드층의 일측벽에 수직 가로 모드(transverse electromagnetic mode)를 조절할 수 있는 산화층이 형성되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020060064508A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050085194
申请日：2005-09-13
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 양자점 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 InP 기판 상에 상기 InP와 격자정합한 완충층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 완충층 상에, 서로 격자부정합이 큰 물질층인 In(Ga)As 물질층과, InAl(Ga)As 물질층 또는 In(Ga, Al, As)P 물질층을 순차적으로 교번하여 증착함으로써 In(Ga, Al)As 또는 In(Ga, Al,P)As 양자점을 형성한다. 이렇게 본 발명은 격자 부정합에 의한 자발 형성 방법과 교번 증착에 의한 교번 성장법을 동시에 이용하여 균일도가 우수한 양질의 양자점을 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100582540B1
公开(公告)日：2006-05-23
申请号：KR1020030027986
申请日：2003-05-01
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 양자점 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 InP 기판 상에, InAlAs, InAlGaAs, InP, InGaAsP 또는 이들로 구성된 이종접합층으로 격자 정합한 완충층을 형성한다. 상기 격자 정합한 완충층 상에, 상기 격자 정합한 완충층의 표면 구조를 변화시키고 후에 형성되는 In(Ga)As 양자점의 성장에 필요한 응력 에너지를 변조시키는 In
X Ga
1-X As 응력층을 형성한다. 이와 같이 마련된 시료는 In(Ga)As 양자점의 균일도가 현저하게 증가하여 포토루미네슨스의 반치폭이 감소하며 발광 세기가 현저히 증가한다. 따라서, 본 발명에 따른 In(Ga)As 양자점을 레이저 다이오드와 같은 발광소자나 광검출기 등의 광소자의 활성층으로 응용하였을 때 그 소자 특성이 개선될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980067652A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970003862
申请日：1997-02-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/02
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, InP 기판위에 조성비가 서로 다른 [In(x)Al(1-x)As/In(y)Al(1-y)As] 다층 박막으로 이루어진 수직형 인공초격자를 형성하고, 그 위에 InP층을 형성하여 양자선을 제조하며 이렇게 형성된 InP/InAlAs/InP를 다층으로 형성하여 더욱 향상된 특성을 갖는 양자선을 제조함으로써 양자선의 패킹 밀도를 높힐 수 있으며 양질의 초격자 구조를 생성할 수 있고, 단순한 에피성장 조건을 바꾸어 비교적 여러 가지 크기의 초격자 구조를 제조 할 수 있는 양자선 제조 방법이 제시된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100794653B1
公开(公告)日：2008-01-14
申请号：KR1020060056215
申请日：2006-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01S2301/185
Abstract: 본 발명은 분포 궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물에 관한 것이다.
본 분포 궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물은 하부 전극 상에 형성되는 제1 클래드층과, 상기 제1 클래드층 상에 형성되는 광도파로와, 상기 광도파로 상에 형성되며, 주기적으로 배치되는 복수의 그레이팅을 포함하는 그레이팅 구조층과, 상기 그레이팅 구조층 상에 형성되는 제1 SCH(Separate confinement hetero) 층과, 상기 제1 SCH 상에 형성되며, 복수의 양자점을 포함하는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되는 제2 SCH층과, 상기 제2 SCH층 상에 형성되는 제2 클래드층과, 상기 제2 클래드층 상에 형성되는 오믹층과, 상기 오믹층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 그레이팅 구조층을 기준으로 활성층 반대쪽에 광도파로를 위치시킴으로써, 단일 광모드의 효율을 증대시키고, 전류 주입을 위한 전극을 비대칭 다전극 구조를 사용함으로써, 단일 모드 반도체 레이저 구조물의 순도 및 수율을 극대화시킬 수 있다.
양자점, 반도체레이저, 분포궤환형, 광도파로, 활성층-
公开(公告)号：KR100766084B1
公开(公告)日：2007-10-12
申请号：KR1020060084913
申请日：2006-09-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
Abstract: 본 발명은 분포 귀환형 반도체 레이저 구조물에 관한 것으로, 본 반도체 레이저 구조물은 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층 상에 형성되는 제1 리지도파로; 상기 제1 리지도파로 상에 형성되는 활성층; 상기 활성층 상에 형성되는 제2 리지도파로; 상기 제2 리지도파로 상에 형성되는 제2 클래드층; 및 상기 제2 클래드층 상에 형성되는 오믹콘택층을 포함하며, 상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층 중 적어도 어느 하나에 형성되며, 상기 제1 리지 도파로 또는 상기 제2 리지 도파로와 소정 각도를 이루면서 상기 제1 리지 도파로 또는 상기 제2 리지 도파로의 길이 방향을 따라 주기적으로 배치되는 복수의 그레이팅을 포함한다.
이에 따라, 대량생산이 가능한 일반적인 홀로그램 리소그래피 공정을 적용할 수 있어 공정시간을 단축할 수 있으며, 완전한 단일 파장을 얻기 위한 추가적인 공정이 필요 없는 양자점 활성층을 사용하는 분포귀환형 반도체 레이저 구조물을 제공할 수 있다.
단일파장, 분포귀환형, 그레이팅, 리지 도파로, 각도-
公开(公告)号：KR100766069B1
公开(公告)日：2007-10-12
申请号：KR1020060086028
申请日：2006-09-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
Abstract: 본 발명은 분포 귀환형 양자점 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 양자점 레이저 다이오드의 제조방법은, 기판상에 복수의 그레이팅을 포함하는 그레이팅 구조층을 형성하는 단계; 상기 그레이팅 구조층 상부에 제1 격자정합층을 형성하는 단계; 상기 제1 격자정합층 상에 적어도 하나의 양자점을 갖는 하나이상의 양자점층을 형성하는 단계; 상기 양자점층 상에 제2 격자정합층을 형성하는 단계; 상기 제2 격자정합층상에 클래드층을 형성하는 단계; 및 상기 클래드층 상에 오믹 콘택층을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 양자점의 균일도에 영향을 받지 않으면서도 원하는 파장에서 높은 이득을 얻을 수 있어 레이저 다이오드의 특성을 개선할 수 있다.
그레이팅, 양자점, 레이저 다이오드-
公开(公告)号：KR100710048B1
公开(公告)日：2007-04-23
申请号：KR1020050043466
申请日：2005-05-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 하부 클래딩층, 광도파층, 활성층, 상부 클래딩층 및 오옴 접촉층을 순차적으로 적층한 후, 식각 공정을 통해 형성된 릿지; 상기 릿지의 폭을 조절하기 위해 상기 상부 및 하부 클래딩층의 표면부에 형성된 산화층; 상기 산화층이 형성된 릿지의 양 측면 각각에 형성된 유전체층; 상기 오옴 접촉층 상부와 상기 유전체층을 감싸도록 형성된 상부 전극층; 및 상기 기판의 하단에 형성된 하부 전극층을 포함함으로써, 기존의 반도체 레이저 다이오드의 제작공정에 비해 간단하며, 습식 산화시간의 조절에 의해서 릿지의 폭을 자유롭게 조절할 수 있을 뿐만 아니라 자동으로 오옴 접촉면을 형성할 수 있는 효과가 있다.
반도체 레이저 다이오드, RWG, 산화층, 오옴 접촉층, 양자점, 릿지-
公开(公告)号：KR100698015B1
公开(公告)日：2007-03-23
申请号：KR1020050047353
申请日：2005-06-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 양자점의 광 방출 파장을 자유롭게 조절하기 위한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 반도체 소자 제조방법은 기판과 격자정합을 이루는 제1 장벽층을 상기 기판상에 성장시키기 위해, 상기 제1 장벽층을 성장시키는 성장온도로 상기 제1 장벽층을 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 성장온도를 제1 온도로 낮추어 양자점을 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 양자점의 일부 또는 전부와 접촉하여 상기 양자점의 이동을 억제하는 억제층을 성장시키는 단계; 및 상기 억제층 및 상기 양자점 상에 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 상기 기판과 격자정합을 이루는 제2 장벽층을 성장시키는 단계를 포함한다.
이에 따라, 반도체 소자의 활성층인 양자점의 광 방출 파장을 용이하게 조절할 수 있다.
양자점, 비소화인듐알루미늄갈륨, 상 분리
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