公开(公告)号：KR1020140007243A

公开(公告)日：2014-01-17

申请号：KR1020120125499

申请日：2012-11-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

Abstract: According to embodiment of the present invention, a thin film solar cell includes a backside electrode formed on a substrate, a light absorption layer formed on the backside electrode, a buffer layer formed on the light absorption layer, a frontside transparent electrode formed on the buffer layer, a grid electrode formed on the edge of the frontside transparent electrode and partly exposing the upper part of the frontside transparent electrode, and an anti-reflection layer covering the upper surface of the frontside transparent electrode having the partly exposed upper surface. The buffer layer is made of TiOx.

Abstract translation: 根据本发明的实施例，薄膜太阳能电池包括形成在基板上的背面电极，形成在背面电极上的光吸收层，形成在光吸收层上的缓冲层，形成在缓冲层上的前侧透明电极 层，形成在前侧透明电极的边缘上并部分地暴露前侧透明电极的上部的栅极，以及覆盖具有部分露出的上表面的前侧透明电极的上表面的防反射层。 缓冲层由TiOx制成。

公开(公告)号：KR101296843B1

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：KR1020100030874

申请日：2010-04-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  이재민 ,  김준관 ,  임정욱

IPC: H01L21/3063 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 반사율을 최소화할 수 있는 산화아연박막의 반사방지 처리방법 및 그를 이용한 태양전지의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은, 기판 상에 다결정성 산화아연박막을 형성하고, 질산과, 과산화수소가 혼합된 식각 수용액으로 상기 다결정성 산화아연박막의 표면이 울퉁불퉁하게 텍스쳐링할 수 있다. 따라서, 다결정성 산화아연박막의 반사율이 줄어들 수 있다.

公开(公告)号：KR101193161B1

公开(公告)日：2012-10-19

申请号：KR1020080127267

申请日：2008-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  윤선진 ,  채병규 ,  임정욱

IPC: H01L31/062 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 불순물 반도체 태양전지보다 더 많은 이동자를 가지고서 고효율의 태양전지를 구현할 수 있는 태양전지용 광-유기 MIT 물질 복합체, 그 MIT 물질 복합체를 포함한 태양전지 및 태양전지모듈을 제공한다. 그 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되고, 결합된 n형 및 p형 금속 도체에 빛이 입사하여 본질적인 에너지 준위(Intrinsic Energy Level or Gap)에 있는 전자 및 정공이 이동자가 되면서 전위차가 형성되는 광-유기 MIT 물질 복합체; 상기 MIT 물질 복합체 상에 형성된 반사 방지막; 및 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 MIT 물질 복합체에 컨택되도록 형성된 상부 전극;을 포함한다. 여기서, 상기 n형 및 p형 금속 도체는 상온에서 금속의 전자구조를 가지면서 본질적인 에너지 준위를 갖는 절연체(혹은 반도체)인 MIT 물질로서, 이러한 MIT 물질의 전자구조는 그 물질의 최외각에 홀수개의 전자 혹은 정공을 갖는다. 본 발명의 태양전지는 본질적인 준위가 깨어지면 반도체의 불순물 준위에서 유기된 이동자보다 많은 이동자가 나온다. 따라서, 본 발명의 태양전지는 불순물 준위에 의한 반도체 태양전지보다 많은 이동자를 갖는 것이 장점을 갖는다.
금속-절연체 전이, MIT, 광-유기 MIT 태양전지

公开(公告)号：KR1020120105336A

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：KR1020110050311

申请日：2011-05-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱 ,  이성현 ,  이다정 ,  윤선진

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0392 ,  H02S20/26

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0392 ,  H02S20/26

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a solar cell is provided to express selected color by forming a light absorption layer absorbing selected wavelength. CONSTITUTION: A first electrode is formed on a substrate(S10). A light absorption layer is formed on the first electrode(S20). A second electrode is formed on the light absorption layer(S30). A protective film is formed on the second electrode(S40). The thickness of the first electrode and the second electrode is 200nm to 1000nm. A first selective transmission film which selects the wavelength of light entered in the light absorption layer is formed between the substrate and the first electrode. The first selective transmission film is comprised of material having energy band gap greater than or equal to 2.5eV. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) A first electrode is formed on a substrate; (S20) A light absorption layer is formed on the first electrode; (S30) A second electrode is formed on the light absorption layer; (S40) A protective film is formed on the second electrode

Abstract translation: 目的：提供一种制造太阳能电池的方法，通过形成吸收选定波长的光吸收层来表现所选择的颜色。 构成：在基板上形成第一电极（S10）。 在第一电极上形成光吸收层（S20）。 在光吸收层上形成第二电极（S30）。 在第二电极上形成保护膜（S40）。 第一电极和第二电极的厚度为200nm至1000nm。 选择在光吸收层中进入的光的波长的第一选择透射膜形成在基板和第一电极之间。 第一选择透射膜由具有大于或等于2.5eV的能带隙的材料构成。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）第一电极形成在基板上; （S20）在第一电极上形成光吸收层; （S30）在光吸收层上形成第二电极; （S40）在第二电极上形成保护膜

公开(公告)号：KR1020120096867A

公开(公告)日：2012-08-31

申请号：KR1020110136575

申请日：2011-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A thin film solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve photonic efficiency of a solar cell by forming an intrinsic semiconductor film into an amorphous film. CONSTITUTION: A first cell comprises a first n-type impurity semiconductor film(135), a first p-type impurity semiconductor film(131), and an intrinsic semiconductor film(133). The intrinsic semiconductor film is placed between the first n-type impurity semiconductor film and the first p-type impurity semiconductor film and has a hydrogen content which continuously changes. A metal electrode is contiguous to the first n-type impurity semiconductor film. The transparent electrode is contiguous to the first p-type impurity semiconductor film.

Abstract translation: 目的：提供薄膜太阳能电池及其制造方法，以通过将本征半导体膜形成为非晶膜来提高太阳能电池的光子效率。 构成：第一单元包括第一n型杂质半导体膜（135），第一p型杂质半导体膜（131）和本征半导体膜（133）。 本征半导体膜被放置在第一n型杂质半导体膜和第一p型杂质半导体膜之间，并且具有连续变化的氢含量。 金属电极与第一n型杂质半导体膜邻接。 透明电极与第一p型杂质半导体膜邻接。

公开(公告)号：KR1020090044964A

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：KR1020080023827

申请日：2008-03-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱 ,  김준관 ,  윤선진 ,  김현탁

IPC: H01C7/10 ,  C04B35/453

CPC classification number: H01C7/112 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5853 ,  H01C7/1013 ,  H01C17/06546 ,  Y10T29/49099

Abstract: 본 발명은 박막형 바리스터 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 스퍼터링 방식으로 제1 산화아연 박막을 저온 증착시키는 제1 단계; 및 불활성 기체와 산소가 함께 주입된 환경하에서 상기 제1 산화아연 박막을 저온 열처리하여 바리스터용 산화아연 박막을 형성하는 제2 단계를 포함하여 구성되며, 이에 의하여 고집적화 회로에 적용할 수 있도록 바리스터 특성은 유지하면서도 공정온도는 낮추고 제조공정은 보다 간단해질 수 있도록 한다.
박막형 바리스터 소자, 박막, 저온 증착, 저온 열처리

公开(公告)号：KR1020090035357A

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：KR1020070100602

申请日：2007-10-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  이용욱 ,  김현탁 ,  김봉준 ,  임정욱 ,  최성열

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/113

Abstract: A photo gating switch system is provided to constitute an optic detection device and a light source separately, so integrating the light source. A metal insulator metal transition device(7) is formed as an optical detecting device on an optical transmission substrate(1). An photo gating switch system is installed on a substrate in which the metal insulator metal transition device is formed while integrating the light source(15). A metal insulator metal transition layer(3) as a photo detection layer is formed the substrate through which a light is permeated. An electrode is formed at both sides of the metal insulator metal transition layer.

Abstract translation: 提供了一种光门控开关系统，以分别构成光检测装置和光源，从而整合光源。 在光传输基板（1）上形成金属绝缘体金属过渡装置（7）作为光学检测装置。 照明门控开关系统安装在其上形成金属绝缘体金属过渡装置的基板上，同时整合光源（15）。 作为光检测层的金属绝缘体金属过渡层（3）形成有透过光的基板。 在金属绝缘体金属过渡层的两侧形成电极。

公开(公告)号：KR100842296B1

公开(公告)日：2008-06-30

申请号：KR1020070077170

申请日：2007-07-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이용욱 ,  김봉준 ,  김현탁 ,  최성열 ,  채병규 ,  임정욱 ,  윤선진

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L49/003 ,  H03B9/12

Abstract: An MIT element-based oscillation circuit and a method for controlling an oscillation frequency of the same are provided to control an oscillation phenomenon by adjusting an applied voltage or a resistance value to a specific condition. An MIT(Metal-Insulator Transition) element(700) has a MIT thin film and an electrode thin film connected to the MIT thin film, in which discontinuous MIT occurs at MIT occurring voltage. A variable resistive element(800) is connected in series with the MIT element. A power source(600) applies a voltage or current to the MIT element. An oscillation frequency is determined in accordance with a voltage to be applied to the power source and a resistance value of the variable resistive element.

Abstract translation: 提供了一种基于MIT元件的振荡电路和用于控制其振荡频率的方法，以通过将施加的电压或电阻值调整到特定条件来控制振荡现象。 MIT（金属绝缘体转移）元件（700）具有MIT薄膜和连接到MIT薄膜的电极薄膜，其中在MIT发生电压下发生不连续的MIT。 可变电阻元件（800）与MIT元件串联连接。 电源（600）向MIT元件施加电压或电流。 根据要施加到电源的电压和可变电阻元件的电阻值来确定振荡频率。

公开(公告)号：KR1020070049927A

公开(公告)日：2007-05-14

申请号：KR1020050107237

申请日：2005-11-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱 ,  윤선진 ,  이진호 ,  강광용

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/00

Abstract: 본 발명은 절연막의 형성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 원자층 증착법으로 알루미늄과 타이타늄을 포함하는 절연막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 절연막 형성방법은 플라즈마 원자층 증착법으로 알루미늄 전구체를 포함하는 반응기체를 박막으로 증착하는 제 1 단계, 및 플라즈마 원자층 증착법으로 타이타늄 전구체를 포함하는 반응기체를 박막으로 증착하는 제 2 단계를 각각 적어도 한번 이상 포함하는 것을 특징으로 한다.
플라즈마, 원자층, ALD, 절연막, 타이타늄, 알루미늄

公开(公告)号：KR100687760B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020060017888

申请日：2006-02-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱 ,  윤선진 ,  김현탁 ,  채병규 ,  김봉준 ,  강광용

IPC: H01L21/316

Abstract: An insulator experiencing abruptly metal-insulator transition and a method for manufacturing the same, and a device using the same are provided to quickly transit metal and insulator without changing a structure of the insulator. An insulator is abruptly transited into a metal by energy variation between electrons, without changing its structure, and has an energy band gap of 2 eV or more. The energy variation is conducted by changing temperature, pressure and electric field applied from an exterior. The insulator is any one of Al oxide, Ti oxide, and oxide of Al-Ti alloy. A device includes a substrate(10), a first insulator thin film formed on the substrate, and at least two electrodes(16,18) spaced apart from each by the insulator thin film.

Abstract translation: 提供了一种经历突然金属 - 绝缘体转变的绝缘体及其制造方法，以及使用该绝缘体的装置，以快速转移金属和绝缘体而不改变绝缘体的结构。 绝缘体通过电子之间的能量变化而突然转变为金属，而不改变其结构，并且具有2eV或更大的能带隙。 能量变化通过改变从外部施加的温度，压力和电场来进行。 绝缘体是Al氧化物，Ti氧化物和Al-Ti合金的氧化物中的任何一种。 一种器件包括衬底（10），在衬底上形成的第一绝缘体薄膜，以及至少两个由绝缘体薄膜隔开的电极（16,18）。